公开(公告)号：WO2015074950A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2014/074515

申请日：2014-11-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING, Ivar ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung mit einer Peak-Wellenlänge im nahen infraroten Spektralbereich vorgesehenen aktiven Bereich (20) und einen Absorptionsbereich (3) aufweist, wobei der Absorptionsbereich einen kurzwelligen Strahlungsanteil mit einer Grenzwellenlänge, die kleiner ist als die Peak-Wellenlänge, zumindest teilweise absorbiert.

Abstract translation: 提供了一种包括一半导体本体的半导体层序列（2），其中，所述半导体层序列，用于产生具有在近红外光谱范围内有源区域中具有峰值波长（20），和吸收区的辐射的辐射的半导体器件（1）（3） ，其中所述吸收区域具有的截止波长小于峰值波长，至少部分地吸收的短波辐射的部分。

公开(公告)号：WO2014072254A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/EP2013/072939

申请日：2013-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BRÖLL, Markus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/186 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/305 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zum Erzeugen und/oder Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einem ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (22) eines zweiten Leitungstyps und einer Deckschicht (25) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen dem ersten Halbleiterbereich (21) und dem zweiten Halbleiterbereich (22) angeordnet und weist auf der dem aktiven Bereich abgewandten Seite eine Kontaktschicht (210) auf. Die Deckschicht (25) ist auf der dem aktiven Bereich (20) abgewandten Seite des ersten Halbleiterbereichs (21) angeordnet und weist zumindest eine Aussparung (27) auf, in der die Kontaktschicht (210) an die erste Anschlussschicht (3) angrenzt. Die Deckschicht ist vom zweiten Leitungstyp. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben.

Abstract translation: 它是一种光电子半导体芯片（1），包括一个半导体主体（半导体层序列（2），其具有用于生成和/或接收辐射激活区（20），第一导电类型的第一半导体区域（21），第二半导体区22 具有）第二导电类型和顶层（25）表示。 有源区（20）被布置在第一半导体区域（21）和第二半导体区（22），并且具有在有源区上，在接触层（210）的相对侧之间。 外层（25）是从所述有源区设置在侧远程（20）中的第一半导体区域（21）和具有至少一个凹部（27），其中，所述接触层（210）到所述第一连接层（3）相邻的侧面。 覆盖层是第二导电类型。 此外，被指定用于制造光电子半导体芯片的方法。

公开(公告)号：EP3745471A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177581.6

申请日：2019-05-31

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KREUTER, Philipp ,  KLEMP, Christoph ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/18

Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs,
wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area,
the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

公开(公告)号：EP3745472A1

公开(公告)日：2020-12-02

申请号：EP19177113.8

申请日：2019-05-28

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KREUTER, Philipp ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  KLEMP, Christoph ,  EBBECKE, Jens ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/30

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device, particularly an optoelectronic device, proposes to provide a growth substrate (10); to deposit an n-doped first layer (20) and an active region (30) on the n-doped first layer (20); then a second layer (50) is deposited onto the active region (30); the second layer is doped with Mg in the second layer (50); Subsequently to depositing Mg, Zn is deposited in the second layer (50) such that a concentration of Zn in the second layer is decreasing from a first value to a second value in a first area of the second layer adjacent to the active region, said first area in the range of 5 nm to 200 nm, in particularly less than 50nm.

公开(公告)号：EP2559076A1

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：EP11714027.7

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A light-emitting diode chip comprising a semiconductor layer sequence (5) comprising a phosphide compound semiconductor material is specified, wherein the semiconductor layer sequence (5) contains a p-type semiconductor region (2), an n-type semiconductor region (4) and an active layer (3) arranged between the p-type semiconductor region (2) and the n-type semiconductor region (4) and serving for emitting electromagnetic radiation. The n-type semiconductor region (4) faces a radiation exit area (6) of the light-emitting diode chip, and the p‑type semiconductor region (2) faces a carrier (7) of the light-emitting diode chip. A current spreading layer (1) having a thickness of less than 500 nm is arranged between the carrier (7) and the p‑type semiconductor region (2), said current spreading layer having one or a plurality of p‑doped Al
x Ga
1-x As layers where 0.5

公开(公告)号：EP3069389A1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：EP14799686.2

申请日：2014-11-04

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KAUSS, Claudia ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: In at least one embodiment, the semiconductor layer sequence (10) has an n-conducting n side (11), a p-conducting p side (13) and an active zone (2) lying in between. The active zone (2) has at least one radiation-active layer (21) with a first material composition for generating a first radiation (L1). The at least one radiation-active layer (21) is oriented perpendicularly to a direction of growth (z) of the semiconductor layer sequence. Furthermore, the active zone (2) has a multiplicity of radiation-active tubes (22) with a second material composition or a different crystal structure for generating a second radiation (L2), wherein the second material composition is different from the first material composition. The radiation-active tubes (22) are oriented parallel to the direction of growth (z).

公开(公告)号：EP2559076B1

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：EP11714027.7

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00