公开(公告)号：WO2020239524A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/EP2020/063903

申请日：2020-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREUTER, Philipp ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  KLEMP, Christoph ,  EBBECKE, Jens ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/30

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device, particularly an optoelectronic device, proposes to provide a growth substrate (10); to deposit an n-doped first layer (20) and an active region (30) on the n-doped first layer (20); then a second layer (50) is deposited onto the active region (30); the second layer is doped with Mg in the second layer (50); Subsequently to depositing Mg, Zn is deposited in the second layer (50) such that a concentration of Zn in the second layer is decreasing from a first value to a second value in a first area of the second layer adjacent to the active region, said first area in the range of 5 nm to 200 nm, in particularly less than 50nm.

公开(公告)号：WO2020157149A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/EP2020/052191

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH, Thorsten ,  BEHRINGER, Martin ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  BOSS, Ruth ,  BRANDL, Michael ,  BRICK, Peter ,  DROLET, Jean-Jaques ,  HALBRITTER, Hubert ,  KREINER, Laura ,  LANG, Erwin ,  LEBER, Andreas ,  MEYER, Tobias ,  PFEUFFER, Alexander ,  PHILIPPENS, Marc ,  RICHTER, Jens ,  SCHWARZ, Thomas ,  TA, Paul ,  VARGHESE, Tansen ,  WANG, Xue ,  WITTMANN, Sebastian ,  WUENSCHE, Julia ,  DIEKMANN, Karsten ,  ENGL, Karl ,  HERRMANN, Siegfried ,  HAHN, Berthold ,  ILLEK, Stefan ,  JENTZSCH, Bruno ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  PIETZONKA, Ines ,  RAUSCH, Andreas ,  REGAU, Kilian ,  RUEGHEIMER, Tilman ,  SCHWALENBERG, Simon ,  SOELL, Christopher ,  STAUSS, Peter ,  SUNDGREN, Petrus ,  VU, Hoa ,  WIESMANN, Christopher ,  BOGNER, Georg ,  HOERNER, Patrick ,  KLEMP, Christoph ,  MUELLER, Jens ,  NEVELING, Kerstin ,  PARK, Jong ,  RAFAEL, Christine ,  SINGER, Frank ,  CHAND, Kanishk ,  FEIX, Felix ,  MUELLER, Christian ,  RUMMEL, Eva-Maria ,  HEITZER, Nicole ,  ASSMANN, Marie ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/58 ,  G09G3/32 ,  H01L33/60 ,  H01L33/30 ,  H01L25/075

Abstract: Die Erfindung betrifft verschiedene Aspekte zu einer µ-LED oder einer µ-LED Anordnung für Augmented Reality oder Licht Anwendungen, hier insbesondere im Automotive Bereich. Dabei zeichnet sich die µ-LED durch besonders kleine Abmessungen im Bereich weniger µm aus.

公开(公告)号：WO2021052635A2

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：PCT/EP2020/058547

申请日：2020-03-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BIEBERSDORF, Andreas ,  ILLEK, Stefan ,  FEIX, Felix ,  KLEMP, Christoph ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus ,  BERGER, Christian ,  KANEVCE, Ana

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L21/18 ,  H01L25/075 ,  H01L21/182 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/145

Abstract: Eine HalbleiterStruktur umfasst eine n-dotierte erste Schicht, eine mit einem ersten Dotierstoff dotierte p-dotierte zweite Schicht, und eine aktive Schicht, die zwischen der n-dotierten ersten Schicht und der p-dotierten zweiten Schicht angeordnet ist und mindestens einen Quantenwell aufweist. Die die aktive Schicht der Halbleiterstruktur teilt sich in eine Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen, mindestens einen zweiten Bereich und mindestens einen dritten Bereich auf. Dabei sind die mehreren ersten optisch aktiven Bereiche in einem hexagonalen Muster zueinander beabstandet angeordnet sind. Der mindestens eine Quantenwell im aktiven Bereich weist im mindestens einen zweiten Bereich eine größere Bandlücke auf als in der Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen und dem mindestens einen dritten Bereich, wobei die Bandlücke insbesondere durch ein Quantenwellintermixing modifiziert ist. Der mindestens eine zweite Bereich umschließt die Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen umschließt.

公开(公告)号：WO2021009006A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：PCT/EP2020/069411

申请日：2020-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HETZL, Martin ,  SUNDGREN, Petrus ,  EBBECKE, Jens ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01S5/32 ,  H01S5/10 ,  H01S5/16 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

Abstract: Die kantenemittierende Halbleiterlaserdiode (100) umfasst ein Aufwachssubstrat (2), eine auf dem Aufwachssubstrat (2) angebrachte Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (13) und zwei einander gegenüberliegende Facetten (4). Die Facetten (4) begrenzen die Halbleiterschichtenfolge (1) in einer lateralen Richtung (L). Die Halbleiterschichtenfolge (1) umfasst zwei an die Facetten (4) grenzende Randbereiche (R) und einen direkt an beide Randbereiche (R) grenzenden Zentralbereich (Z). Innerhalb der Randbereiche (R) ist ein Volumenanteil der aktiven Schicht (13) an der Halbleiterschichtenfolge (1) jeweils geringer als im Zentralbereich (Z).

公开(公告)号：WO2020239526A1

公开(公告)日：2020-12-03

申请号：PCT/EP2020/063906

申请日：2020-05-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KREUTER, Philipp ,  KLEMP, Christoph ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  PIETZONKA, Ines ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/18

Abstract: A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs, wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area, the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

公开(公告)号：WO2017085200A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/EP2016/078032

申请日：2016-11-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  SUNDGREN, Petrus ,  ZEISEL, Roland

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/30 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (2), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt undeiner Passivierungsschicht (10) angegeben, in der elektrische Ladungsträger statisch fixiert sind oder die zu einer Absättigung der Oberflächenzustände der Halbleiterschichtenfolge (1) führt. Die Passivierungsschicht (10) ist auf einer Seitenfläche (8) der Halbleiterschichtenfolge (1) aufgebracht und die Passivierungsschicht (10) überdeckt zumindest die aktive Zone (2).

Abstract translation:

这是具有一外延半导体层序列（1）与活性区域（2），其在操作期间产生的电磁辐射所指示的电Ladungstr BEAR安达钝化层（10）被固定GER静态或LED芯片 这导致半导体层序列（1）的表面去饱和。 钝化层（10）被施加在半导体层序列（1）的侧表面（8）上，并且钝化层（10）至少覆盖有源区（2）。

公开(公告)号：WO2019091895A1

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：PCT/EP2018/080113

申请日：2018-11-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/08 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge, die eine erste und eine zweite Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps, eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht, eine erste elektrische Anschlussschicht und einedavon lateral beabstandete zweite elektrische Anschlussschicht, die die zweite Halbleiterschicht elektrisch kontaktiert sowie eine erste Kontaktzone eines zweiten Leitungstyps, die an die erste elektrische Anschlussschicht angrenzt und elektrisch leitfähig mit der ersten elektrischen Anschlussschicht verbunden ist aufweist. Und mindestens einenzwischen der ersten und der zweiten Anschlussschicht ausgebildeten funktionellen Bereich, in dem eine zweite Kontaktzone eines zweiten Leitungstyps und mindestens eine Abschirmzone eines zweiten Leitungstyps ausgebildet ist umfasst. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：WO2016066645A2

公开(公告)日：2016-05-06

申请号：PCT/EP2015/074875

申请日：2015-10-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  ENGLHARD, Marco ,  BEHRINGER, Martin, Rudolf ,  KLEMP, Christoph

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L33/0079 ,  C23F1/20 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/95

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Substrats (11) von einer Schichtenfolge (13) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Verbundes (1, 2), aufweisend - einen Wafer (1) mit dem Substrat (11), der Schichtenfolge (13) und einer zwischen dem Substrat (11) und der Schichtenfolge (13) angeordneten Opferschicht (12), - einen Träger (2) an einer dem Substrat (11) abgewandten Deckfläche (13a) der Schichtenfolge (13), und - zumindest zwei Trenngräben (14), die sich in vertikaler Richtung (Z) durch die Schichtenfolge (13) erstrecken, b) Anbringen einer Pumpvorrichtung (3) an dem Verbund (1, 2), c) Einbringen des Verbundes (1, 2) in ein Ätzbad (4) mit einer Ätzlösung (41), und anschließend d) Erzeugen eines Druckgradienten (5) zwischen den Trenngräben (14) und der Ätzlösung (41) mit der Pumpvorrichtung (3) derart, dass die Ätzlösung (41) durch die Trenngräben (14) stellenweise entlang der Opferschicht (12) fließt und stellenweise in direktem Kontakt mit der Opferschicht (12) steht, e) Ablösen des Substrats (11).

Abstract translation: 本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11） 在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2） 在蚀刻浴（4）产生一个压力梯度的蚀刻液（41），然后D）（5）以这样的方式隔离沟槽（14）和所述蚀刻溶液（41）到所述泵送装置（3）之间，所述蚀刻液（41）由 隔离沟槽（14）的地方，沿所述牺牲层（12），并且在直接接触的地方流 与基板（11）的所述牺牲层（12）中，e）分离连通。

公开(公告)号：WO2015071134A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/EP2014/073717

申请日：2014-11-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE, Jens ,  KAUSS, Claudia ,  SUNDGREN, Petrus

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist die Halbleiterschichtenfolge (10) eine n-leitende n-Seite (11), eine p-leitende p-Seite (13) und eine dazwischen liegende aktive Zone (2) auf. Die aktive Zone (2) weist mindestens eine strahlungsaktive Schicht (21) mit einer ersten Materialzusammensetzung zur Erzeugung einerersten Strahlung (L1) auf. Die zumindest eine strahlungsaktive Schicht (21) ist senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (z) der Halbleiterschichtenfolge orientiert. Ferner weist die aktive Zone (2) eine Vielzahl von strahlungsaktiven Schläuchen (22) mit einer zweiten Materialzusammensetzung oder einer anderen Kristallstruktur zur Erzeugung einer zweiten Strahlung (L2) auf, wobei die zweite Materialzusammensetzung von der ersten Materialzusammensetzung verschieden ist. Die strahlungsaktiven Schläuche (22) sind parallel zur Wachstumsrichtung (z) orientiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，在n型n侧（11）的半导体层序列（10），p型的p侧（13）和中间有源区（2）。 活性区（2）包括至少一个具有用于产生第一辐射（L1）的第一材料组成的辐射活性层（21）。 所述至少一个辐射活性层（21）是垂直于半导体层序列的生长方向（z）为基础的。 此外，有源区（2）的多个辐射活性管（22）具有第二材料的组合物或不同的晶体结构，以产生一个第二辐射（L2），其中，所述第一材料成分的第二材料成分是不同的。 的辐射活性软管（22）平行于定向生长方向（z）。

公开(公告)号：WO2011128277A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：PCT/EP2011/055566

申请日：2011-04-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

Inventor： SUNDGREN, Petrus ,  BAUR, Elmar ,  HOHENADLER, Martin ,  HOFMANN, Clemens

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/112 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (5) angegeben, die ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (5) einen p-Typ Halbleiterbereich (2), einen n-Typ Halbleiterbereich (4) und eine zwischen dem p-Typ Halbleiterbereich (2) und dem n-Typ Halbleiterbereich (4) angeordnete aktive Schicht (3) zur Emission elektromagnetischer Strahlung enthält. Der n-Typ Halbleiterbereich (4) ist einer Strahlungsaustrittsfläche (6) des Leuchtdiodenchips zugewandt, und der p-Typ Halbleiterbereich (2) ist einem Träger (7) des Leuchtdiodenchips zugewandt. Zwischen dem Träger (7) und dem p-Typ Halbleiterbereich (2) ist eine weniger als 500 nm dicke Stromaufweitungsschicht (1) angeordnet, die eine oder mehrere p-dotierte Al x Ga 1-x As-Schichten mit 0,5

Abstract translation: 公开的是具有半导体层序列的发光二极管芯片（5），包括磷化合物半导体材料，该半导体层序列（5）具有p型半导体区域（2），n型半导体区域（4）之间的p型半导体区域 （2）和布置在所述n型半导体区域（4）活性层（3）包括电磁辐射的发射。 n型半导体区域（4）是在LED芯片的面的辐射出射表面（6），和p型半导体区域（2）是发光二极管芯片的面的载体（7）。 所述支撑件（7）和（2）位于所述p型半导体区域之间小于500纳米厚的电流扩散层（1），包括用0.5 <一个或多个p型AlxGa1-XAS层X = 1。