公开(公告)号：FR2967810B1

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：FR1004497

申请日：2010-11-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE

IPC: H01L21/02 ,  G06F21/02

公开(公告)号：FR2953350B1

公开(公告)日：2012-05-18

申请号：FR0957782

申请日：2009-11-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LIARDET PIERRE-YVAN ,  MARINET FABRICE

IPC: H04L9/06 ,  G06F21/00

公开(公告)号：FR2950997B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR0956923

申请日：2009-10-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G06K19/073 ,  H01L23/58

公开(公告)号：FR2958078A1

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：FR1001177

申请日：2010-03-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE ,  LISART MATHIEU

IPC: H01L23/485 ,  H03K19/003

Abstract: L'invention concerne un procédé de détection d'une attaque d'un microcircuit électronique (IC), comprenant des étapes consistant à : former le microcircuit (IC) dans un substrat (SUB), former dans le substrat un premier caisson (PW1, PW2, PW3) électriquement isolé du substrat, par un second caisson (NW1, NW2, NW3) et un caisson enterré (NISO1, NISO2, NISO3), former dans les premier et second caissons un circuit de traitement de donnée (ISC1, ISC2, ISC3) comprenant une borne de masse (LG1, LG2, LG3) formée dans le premier caisson et une borne d'alimentation (VS1, VS2, VS3) formée dans le second caisson, et activer un signal de détection (DS1, DS2, DS3) lorsqu'une tension (Vgb1, Vgb2, Vgb3, Vdd) à la borne de masse ou d'alimentation du circuit de traitement de donnée franchit une tension de seuil (TH, TH1).

公开(公告)号：FR3094520B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1903063

申请日：2019-03-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  PROTON WORLD INT NV

Inventor： MARINET FABRICE ,  PEETERS MICHAEL

IPC: G06F21/60

Abstract: Clé de chiffrement et/ou de déchiffrement La présente description concerne un procédé de génération d'une clé de chiffrement et/ou de déchiffrement éphémère (RTKey) par application d'une fonction à un code stocké dans une mémoire non volatile (104, 106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3099259B1

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：FR1908376

申请日：2019-07-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G06F21/70 ,  H01L27/115

Abstract: Le circuit intégré comprend : - une mémoire (MEM) comportant au moins un transistor d’état (TE) comprenant une grille flottante (FG), stockant une donnée respective ; - un dispositif de protection des données stockées dans la mémoire (DIS) comprenant, pour chaque transistor d’état (TE), au moins une structure capacitive (SC) comprenant un premier corps électriquement conducteur (CC1) couplé à la grille flottante (FG) du transistor d’état (TE), un corps diélectrique (IMD), et un deuxième corps électriquement conducteur (CC2) couplé à une borne de masse (GND). Le corps diélectrique (IMD) est configuré pour coupler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) de façon à modifier la charge de la grille flottante (FG) et perdre la donnée correspondante si une solution aqueuse est mise en contact avec le corps diélectrique (IMD), et pour isoler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) sinon. Figure pour l’abrégé : Fig 1A

公开(公告)号：FR3097365B1

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：FR1906185

申请日：2019-06-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE

IPC: G11C16/06 ,  H04L9/12 ,  H04L9/28

Abstract: Circuit électronique La présente description concerne un circuit électronique (20) intégrant une mémoire morte (24) dans laquelle sont stockées des données chiffrées, la clé de déchiffrement n'étant pas présente dans ledit circuit (20). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3096175B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1904942

申请日：2019-05-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： SARAFIANOS ALEXANDRE ,  MARINET FABRICE ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L23/64 ,  G06F21/00

Abstract: Circuit intégré comprenant un substrat semiconducteur (SB) ayant une face avant et une face arrière, au moins une première prise de contact (PC1), au moins une deuxième prise de contact (PC2), espacées situées au niveau de la face avant, et une plaque électriquement conductrice (PL) située sur la face arrière et des premiers moyens de détection (MS1) configurés pour détecter un amincissement éventuel du substrat à partir de la face arrière, lesdits premiers moyens de détection comportant des premiers moyens de mesure (MS1) configurés pour effectuer une première mesure d’une valeur résistive du substrat entre ladite au moins une première prise de contact (PC1), ladite au moins une deuxième prise de contact (PC2) et ladite plaque électriquement conductrice (PL). Figure pour l’abrégé : Fig 2

公开(公告)号：FR3085530A1

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：FR1857840

申请日：2018-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  MARINET FABRICE

IPC: G11C17/16 ,  G11C17/18

Abstract: Circuit intégré comportant au moins une cellule mémoire (CM) intégrant un dispositif anti-fusible (DIS) comportant un transistor d'état (TR) possédant une grille de commande (EG) et une deuxième grille (FG) configurée pour être flottante de façon à conférer un état non claqué au dispositif anti-fusible (DIS) ou électriquement couplée à la grille de commande de façon à conférer un état claqué au dispositif antifusible (DIS).

公开(公告)号：FR3084492A1

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：FR1857057

申请日：2018-07-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE ,  FORNARA PASCAL

IPC: G06F21/00 ,  H01L27/00

Abstract: Le procédé de détection d'une attaque d'un circuit intégré (CI) par un faisceau de particules électriquement chargées (IB), comprend : - une réalisation dans le circuit intégré d'au moins un corps électriquement conducteur (MPL) et d'au moins un transistor d'état ayant une grille flottante (FG) électriquement couplée audit au moins un corps électriquement conducteur (MPL) ; - une configuration dudit au moins un transistor d'état (FGT) de façon à lui conférer une tension de seuil initiale ; et - une détection de ladite attaque par une détection d'une tension de seuil dudit au moins un transistor d'état (FGT) différente de la tension de seuil initiale. (FGT).