公开(公告)号：FR2997789A1

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：FR1202981

申请日：2012-11-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  LE TIEC YANNICK ,  WACQUEZ ROMAIN ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/22

Abstract: Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.

公开(公告)号：FR2973565B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：FR1101004

申请日：2011-04-04

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2995137A1

公开(公告)日：2014-03-07

申请号：FR1258274

申请日：2012-09-05

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/46 ,  H01L27/085

Abstract: Dispositif microélectronique (100) comportant : - un substrat (102) comprenant une première couche de semi-conducteur (108) disposée sur une couche diélectrique (106), la couche diélectrique étant disposée sur une deuxième couche de semi-conducteur (104), - une tranchée d'isolation (114) réalisée à travers la première couche de semi-conducteur, la couche diélectrique et une partie de l'épaisseur de la deuxième couche de semi-conducteur, comprenant au moins un matériau diélectrique et délimitant, dans la première couche de semi-conducteur, au moins une zone active (110) du dispositif, et dans lequel, au niveau de ladite partie de la deuxième couche de semi-conducteur, au moins une partie du matériau diélectrique de la tranchée d'isolation est disposée sous la zone active.

公开(公告)号：FR2990056A1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：FR1253893

申请日：2012-04-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE TIEC YANNICK ,  GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L21/306

Abstract: La présente invention concerne un procédé de traitement de traitement de l'état de surface d'un substrat de silicium par voie chimique pour le contraste de la rugosité caractérisé par le fait qu'il comprend au moins deux cycles de traitement successifs, chaque cycle de traitement comprend une première étape comportant la mise en contact du substrat de silicium avec une première solution comprenant de l'acide hydrofluorhydrique (HF) dilué dans de l'eau puis une deuxième étape, réalisée à une température inférieure à 40°C, comportant la mise en contact de la couche de silicium avec une deuxième solution comprenant de l'ammoniaque (NH OH) et du peroxyde d'hydrogène (H O ) dilués dans de l'eau (H O), de sorte à obtenir, à l'issue des cycles de traitement, une rugosité inférieure à 0,100 nanomètre sur une zone de 1µmx1µm. L'invention trouvera son application dans le domaine de la microélectronique pour la fabrication de transistors, de surface pour panneaux photovoltaïques ou pour le collage moléculaire direct.

公开(公告)号：FR2978611A1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：FR1156854

申请日：2011-07-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE TIEC YANNICK ,  GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/762

Abstract: La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une ou plusieurs tranchées dans un dispositif comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant formé d'une couche semi-conductrice de support, d'une couche isolante reposant sur la couche de support, et d'une couche semi-conductrice reposant sur ladite couche isolante, le procédé comprenant des étapes de : a) dopage localisé d'une portion donnée de ladite couche isolante à travers une ouverture d'une couche de masquage reposant sur la fine couche semi-conductrice , b) retrait sélectif de ladite zone donnée dopée au fond de ladite ouverture.

公开(公告)号：FR2970813A1

公开(公告)日：2012-07-27

申请号：FR1100202

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS ,  VINET MAUD

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

Abstract: Le dispositif à effet de champ comporte une électrode de grille sacrificielle ayant des parois latérales recouvertes par des espaceurs latéraux (8) formée sur un film en matériau semi-conducteur (2). Les électrodes de source/drain (6) sont formées dans le film en matériau semi-conducteur (2) et sont disposées de part et d'autre de l'électrode de grille (12). Un élément barrière de diffusion est implanté au travers de l'espace vide laissé par la grille sacrificielle de manière à former une zone de diffusion modifiée (11) sous les espaceurs latéraux (8). La zone de diffusion modifiée (11) est une zone où la mobilité des impuretés dopantes est réduite comparée aux électrodes de source/drain (6).

公开(公告)号：FR2970812A1

公开(公告)日：2012-07-27

申请号：FR1100201

申请日：2011-01-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： VINET MAUD ,  GRENOUILLET LAURENT ,  LE TIEC YANNICK ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

Abstract: Le dispositif à effet de champ est formé sur un substrat de type semi-conducteur sur isolant muni d'un substrat de support (4) séparé d'un film semi-conducteur (6) par une couche électriquement isolante (5). Les électrodes de source (2) et de drain (3) sont formées dans le film semi-conducteur (6) de chaque côté de l'électrode de grille (1). La couche électriquement isolante (5) comporte une première zone (5a) ayant une première valeur de capacité électrique entre le film semi-conducteur (6) et le substrat de support (4) face à l'électrode de grille (1). La couche électriquement isolante (5) comporte des deuxième et troisième zones (5b, 5c) ayant une valeur de capacité électrique supérieure à la première valeur entre le film semi-conducteur (6) et le substrat de support (4) face aux électrodes de source et de drain (2, 3).

公开(公告)号：FR2935067A1

公开(公告)日：2010-02-19

申请号：FR0855587

申请日：2008-08-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE TIEC YANNICK ,  ANDRIEU FRANCOIS

IPC: H01L21/762

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant : a) la formation à la surface d'un substrat semi-conducteur (2), dit substrat final, d'une couche semi-conductrice (4), dopée avec des éléments des colonnes III et V du tableau de Mendeleïev, formant plan de masse, b) la formation d'une couche diélectrique (3), c) puis l'assemblage par collage direct du substrat source, sur le substrat final (2), la couche (4) formant plan de masse étant comprise entre le substrat final et le substrat source, la couche diélectrique étant entre le substrat source et le plan de masse, d) puis l'amincissement du substrat source, laissant, à la surface de la structure semi-conductrice, un film (20) en matériau semi-conducteur.