公开(公告)号：WO2014102222A9

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/EP2013077853

申请日：2013-12-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV JOSEPH FOURIER

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  JOUBERT OLIVIER ,  VALLIER LAURENT

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/266 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32133

Abstract: The invention relates to a microelectronic method for etching a layer to be etched, comprising the following steps: - modifying the layer to be etched from the surface of the layer to be etched and over a depth corresponding to at least a portion of the thickness of the layer to be etched so as to form a film, the modification comprising implanting light ions in the layer to be etched; - removing the film comprising a selective etching of the film relative to at least one layer underlying the film.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于蚀刻被蚀刻层的微电子方法，包括以下步骤： - 从待蚀刻层的表面改变待蚀刻的层，并且在相当于厚度的至少一部分的深度 待蚀刻的层以形成膜，所述修改包括将光离子注入待蚀刻的层中; - 去除所述膜包括相对于所述膜下面的至少一个层选择性地蚀刻所述膜。

公开(公告)号：FR3127628A1

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：FR2110075

申请日：2021-09-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TEYSSEDRE HUBERT ,  POSSEME NICOLAS ,  LANDIS STEFAN

IPC: H01L21/308 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/033

Abstract: Procédé de fabrication d’un moule pour nano-impression et moule associé. L’invention concerne un procédé de fabrication d’un moule (1) pour nano-impression et le moule (1) associé, comprenant une fourniture d’un substrat (10) comprenant une couche (11), et au moins une implantation ionique configurée de façon à obtenir dans la couche (10) au moins une première portion (111) non implantée ou présentant une première implantation, au moins une deuxième portion (111) présentant une deuxième implantation, et une troisième portion (113) non implantée distincte de la première portion (111) ; après l’implantation, le procédé comprend une gravure de la couche (10) configurée de façon à présenter une vitesse de gravure différente entre au moins la deuxième portion (112) et la troisième portion (113), de façon à graver à travers des ouvertures (130a, 130b) d’un masque de gravure (13) une pluralité de motifs (114a, 114b) de différentes hauteurs dans la couche (11). Figure pour l’abrégé : Fig. 4B

公开(公告)号：FR3116381B1

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：FR2011913

申请日：2020-11-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： TAVERNIER AURÉLIEN ,  POSSEME NICOLAS ,  SOMMER ROMAIN

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/15

Abstract: Procédé de fabrication d'un dispositif à LED La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comprenant les étapes suivantes : - former, du côté d'une face supérieure d'un premier substrat (100), une pluralité de LED (101) constituées chacune d'un élément semiconducteur tridimensionnel ; - déposer, du côté de la face supérieure du premier substrat, une première couche (205a) en un premier matériau différent de l'oxyde de silicium, ladite première couche (205a) entourant latéralement et recouvrant les LED (101) et présentant une face supérieure plane ; et - déposer une deuxième couche (205b) en oxyde de silicium sur la face supérieure de la première couche (205a), dans lequel le premier matériau est tel que la première couche (205a) soit gravable sélectivement par rapport aux LED (101) et que la deuxième couche (205b) soit gravable sélectivement par rapport à la première couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 2B

公开(公告)号：FR3116941A1

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：FR2012280

申请日：2020-11-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POLLET OLIVIER ,  GRENOUILLET LAURENT ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/28 ,  H01L45/00

Abstract: PROCÉDÉ POUR AUGMENTER LA RUGOSITÉ DE SURFACE D’UNE COUCHE MÉTALLIQUE L’invention concerne un procédé pour augmenter la rugosité de surface d’une couche métallique (10), comprenant les étapes suivantes : déposer sur la couche métallique (10) une couche sacrificielle (11) en un matériau diélectrique comprenant de l’azote ; exposer une surface de la couche sacrificielle (11) à un plasma de gravure de façon à créer des aspérités (12) ; graver (S13) la couche métallique (10) à travers la couche sacrificielle (11), de façon à transférer les aspérités (12) de la couche sacrificielle dans une partie au moins de la couche métallique. Figure de l’abrégé : Figure 1C

公开(公告)号：FR3100085A1

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：FR1909377

申请日：2019-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/425 ,  H01L21/764

Abstract: Procédé de fabrication de composants microélectroniques. L’invention concerne un procédé de réalisation d’un composant à base d’une pluralité de transistors sur un substrat. Le substrat comprend des zones d’isolation électrique (12) qui peuvent être le lieu de court-circuit lors du dépôt d’une couche mécaniquement contraignante (15). Pour y remédier, il est proposé de limiter le rapport de forme des espaces entre les transistors, notamment au niveau de cavités qui se forment au cours des étapes de fabrication à ce niveau, par un enlèvement sélectif du matériau d’un revêtement de protection (24) appliqué sur des espaceurs des grilles de transistors. Figure pour l’abrégé : Fig. 10

公开(公告)号：FR3100084A1

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：FR1909376

申请日：2019-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LE ROYER CYRILLE ,  NEMOUCHI FABRICE

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/425 ,  H01L21/764

Abstract: Procédé de fabrication de composants microélectroniques. L’invention concerne un procédé de réalisation d’un composant à base d’une pluralité de transistors sur un substrat comprenant au moins une zone active (11) et au moins une zone d’isolation électrique (12) adjacentes, chaque transistor de la pluralité de transistor comprenant une grille (21) et des espaceurs (22) de part et d’autre de la grille (21), le procédé comprenant les étapes suivantes : - une formation des grilles des transistors, - une formation des espaceurs, et - une formation d’une couche mécaniquement contraignante (15) sur les transistors, le procédé étant caractérisé en ce qu’il comprend en outre, après formation des espaceurs et avant formation de la couche mécaniquement contraignante : - au moins une étape de remplissage configurée pour combler par un matériau de remplissage des cavités (13) entre les grilles des transistors au sein de l’au moins une zone d’isolation électrique. Figure pour l’abrégé : Fig. 10

公开(公告)号：FR3091002B1

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：FR1873686

申请日：2018-12-20

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  AH-LEUNG VINCENT ,  POLLET OLIVIER

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/335

Abstract: Titre. Procédé de gravure d’une couche diélectrique tridimensionnelle L’invention porte notamment sur un procédé de gravure d’une couche diélectrique (40) recouvrant au moins partiellement un flanc (32, 32) d’une structure (30) en un matériau semi-conducteur, la structure (30) présentant au moins une face (31). Le procédé comprend une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes suivantes : une oxydation principale de manière à former un film d’oxyde (90) ; une gravure anisotrope principale du film d’oxyde (90), effectuée de manière à graver une portion (Ox41s, Ox141s, Ox60s) du film d’oxyde (90) s’étendant parallèlement aux flancs et une partie au moins de la couche diélectrique (40), être stoppée avant de graver ladite structure (30) et toute l’épaisseur d’une autre portion du film d’oxyde (Ox41f, Ox141f) s’étendant perpendiculairement aux flancs, la séquence étant réitérée jusqu’au retrait complet de la couche diélectrique (40) située sur les flancs (32) de ladite structure (30). Figure pour l’abrégé : Fig.3E

公开(公告)号：FR3090193A1

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：FR1873216

申请日：2018-12-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  LE ROYER CYRILLE ,  NEMOUCHI FABRICE ,  REBOH SHAY ,  GABEN LOÏC

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/203 ,  H01L21/308 ,  H01L29/78

Abstract: L’invention porte sur un procédé de fabrication d’un circuit intégré (1), comprenant les étapes de : -fournir un substrat (11) présentant des couches de Silicium (13), d’isolant (12), et de masque dur (14), des accès à des première et deuxième zones (151, 152) de la couche de Silicium (13);-former des premier et deuxième dépôts (17, 18) d’alliage de SiGe sur les première et deuxième zones pour former des premier et deuxième empilements; puis-protéger le premier dépôt (17) et maintenir un accès au deuxième dépôt ; puis-réaliser une gravure pour former des gorges (61, 62) entre le masque dur (14) et deux bords opposés du deuxième empilement ; puis-former une couche de Silicium contrainte en tension (139) dans la deuxième zone par amorphisation de la deuxième zone; puis cristallisation ;-enrichir la première zone (151) en Germanium par diffusion depuis le premier dépôt (17). Figure à publier avec l’abrégé : Fig. 6

公开(公告)号：FR3076068B1

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：FR1763234

申请日：2017-12-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： POSSEME NICOLAS ,  BARNOLA SEBASTIEN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/328 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention porte notamment sur un procédé de gravure d'une couche diélectrique (40) recouvrant au moins un sommet (31) et un flanc (32, 32) d'une structure (30), le procédé comprenant une pluralité de séquences comprenant chacune au moins les étapes successives suivantes : - une première gravure de la couche diélectrique (40), par plasma, en utilisant une chimie comprenant au moins: ○ au moins un premier composé à base de fluor (F) et ○ au moins un deuxième composé pris parmi le SiwCl(2w+2) et le SiwF(2w+2)W, x, y et z étant des entiers, ○ de l'oxygène (O). la première gravure étant effectuée de manière à : ○ interrompre la première gravure avant consommation de toute l'épaisseur de la couche diélectrique (40) située sur le flanc (32) et après avoir consommé toute l'épaisseur de la couche diélectrique (40) située sur le sommet (31), ○ former une première couche de protection (50) sur le sommet (31) et former une deuxième couche de protection (60) sur le flanc (32), ○ une deuxième gravure pour retirer entièrement la deuxième couche de protection (60) tout en conservant une portion de l'épaisseur de la première couche de protection (50), la séquence étant réitérée jusqu'au retrait complet de la couche diélectrique (40) située sur le flanc (32) de la structure (30).

公开(公告)号：FR3057991B1

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：FR1660231

申请日：2016-10-21

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CLAVEAU GUILLAUME ,  ARGOUD MAXIME ,  POSSEME NICOLAS ,  TIRON RALUCA

IPC: H01L21/027 ,  B01J19/24 ,  C08L53/00 ,  H01L21/20

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'un guide d'assemblage fonctionnalisé (300) destiné à l'auto-assemblage d'un copolymère à blocs, comprenant les étapes suivantes : - former à la surface d'un substrat (200) une couche de fonctionnalisation (210) en un premier matériau présentant une première affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs ; - former sur la couche de fonctionnalisation (210) un premier masque comprenant au moins un évidement ; - déposer un deuxième matériau présentant une deuxième affinité chimique vis-à-vis du copolymère à blocs, de façon à remplir ledit au moins un évidement du premier masque ; et - graver le premier masque sélectivement par rapport aux premier et deuxième matériaux, d'où il résulte au moins un motif (320a-320b) formé du deuxième matériau disposé sur la couche de fonctionnalisation (210).