公开(公告)号：FR2874454A1

公开(公告)日：2006-02-24

申请号：FR0408989

申请日：2004-08-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BARBE JEAN CHARLES ,  VINET MAUD ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

Abstract: Un procédé de fabrication d'un élément en couches minces, avec une couche (2) d'un premier matériau qui porte un motif (8) d'un second matériau, comprend une étape de dopage par implantation d'une espèce chimique sur une partie au moins de l'ensemble couche-motif de manière à stabiliser le motif sur la couche.

公开(公告)号：FR2997789B1

公开(公告)日：2015-12-25

申请号：FR1202981

申请日：2012-11-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  LE TIEC YANNICK ,  WACQUEZ ROMAIN ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/22

Abstract: Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.

公开(公告)号：FR2997789A1

公开(公告)日：2014-05-09

申请号：FR1202981

申请日：2012-11-07

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GRENOUILLET LAURENT ,  VINET MAUD ,  LE TIEC YANNICK ,  WACQUEZ ROMAIN ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/22

Abstract: Le substrat de type semi-conducteur sur isolant comporte un support (1), un film électriquement isolant (2), un film cristallin en matériau semi-conducteur (3), une couche de protection (4). Des ions de germanium sont implantés dans le film en matériau semi-conducteur (3) à travers la couche de protection (4) de manière à former une zone amorphisée en contact avec la couche de protection (4) et une zone cristalline en contact avec le film électriquement isolant (2). Le film en matériau semi-conducteur (3) est recuit de manière à recristalliser la zone amorphisée à partir de la zone cristalline.

公开(公告)号：FR2894386B1

公开(公告)日：2008-02-29

申请号：FR0512358

申请日：2005-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  FAYNOT OLIVIER ,  CLAVELIER LAURENT

IPC: H01L29/78

Abstract: The transistor comprises a source and a drain separated by a lightly doped intermediate zone. The intermediate zone forms first and second junctions respectively with the source and with the drain. The transistor comprises a first gate to generate an electric field in the intermediate zone, on the same side as the first junction, and a second gate to generate an electric field in the intermediate zone, on the same side as the second junction.

公开(公告)号：FR2896620A1

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：FR0600577

申请日：2006-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： JOLY JEAN PIERRE ,  FAYNOT OLIVIER ,  CLAVELIER LAURENT

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06

Abstract: Le circuit intégré tridimensionnel de type CMOS est formé dans un substrat hybride. Des premiers transistors (13), de type n-MOS, sont formés, à un niveau inférieur (11), dans une première couche semi-conductrice en silicium ayant une orientation (100), éventuellement contrainte en tension. Des seconds transistors (15) sont formés, à un niveau supérieur (12), dans une seconde couche semi-conductrice en germanium ayant une orientation (110), de préférence monocristallin et contraint en compression. La seconde couche semi-conductrice est transférée sur un premier bloc dans lequel les transistors n-MOS ont préalablement été formés, puis les transistors p-MOS sont formés.

公开(公告)号：FR2874454B1

公开(公告)日：2006-11-24

申请号：FR0408989

申请日：2004-08-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BARBE JEAN CHARLES ,  VINET MAUD ,  FAYNOT OLIVIER

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/762

Abstract: The fabrication of an element of thin films, in which one film (2) of a first material carries a pattern (8) of a second material having a thickness of less than 15 nm, involves a doping stage by the implantation of a chemical species on at least a part of the film-pattern assembly in a manner to stabilise the pattern on the film. An independent claim is also included for the thin film element produced.

公开(公告)号：FR2896620B1

公开(公告)日：2008-05-30

申请号：FR0600577

申请日：2006-01-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： JOLY JEAN PIERRE ,  FAYNOT OLIVIER ,  CLAVELIER LAURENT

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06

Abstract: The circuit has N-channel metal oxide semiconductor transistors (13) formed, at lower level (11), in a semi-conductive layer made of silicon. P-channel metal oxide semiconductor transistors (15) are formed, at an upper level (12), in a semi-conductive layer made of mono-crystalline germanium, where the semi-conductive layers have constraints adapted to the fabrication of the transistors. The transistors have respective longitudinal axes which are perpendicular in order to form a covering zone in which interconnections (V1, V2) of the transistors are formed. An independent claim is also included for a method for fabricating a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) type three-dimensional integrated circuit on a hybrid substrate.

公开(公告)号：FR2894386A1

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：FR0512358

申请日：2005-12-06

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  FAYNOT OLIVIER ,  CLAVELIER LAURENT

IPC: H01L29/78

Abstract: Le dispositif comporte une première zone dopée (1) par un premier type de dopage, par exemple P, et une seconde zone dopée (2) par un second type de dopage, par exemple N. Les première et seconde zones (1 et 2) sont reliées l'une à l'autre par une zone intermédiaire (I) de faible dopage. La zone intermédiaire (I) forme des première (3) et seconde (4) jonctions respectivement avec la première zone (1) et avec la seconde zone (2). Le dispositif comporte au moins une première grille (5) pour générer un champ électrique dans la zone intermédiaire (I), du côté de la première jonction (3). De plus, le dispositif comporte au moins une seconde grille (6) pour générer un champ électrique dans la zone intermédiaire (I), du côté de la seconde jonction (4).