公开(公告)号：FR3044166B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：FR1561135

申请日：2015-11-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOURGEAT JOHAN ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L23/60 ,  H01L27/02 ,  H01L29/74

公开(公告)号：FR2975224A1

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：FR1154120

申请日：2011-05-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/02

Abstract: Le dispositif semi conducteur de protection contre des décharges électrostatiques, comprend plusieurs modules (MDi) de protection contre des décharges électrostatiques comportant des éléments déclenchables (TRi) couplés à des moyens de déclenchement, lesdits modules étant connectés entre deux bornes par l'intermédiaire d'un réseau résistif (R). Une couche semi conductrice commune contacte tous les modules, chaque élément déclenchable (TRi) ayant chacun au moins une gâchette (GHi), et les moyens de déclenchement comportent un unique circuit de déclenchement (TC) commun à tous les éléments déclenchables et dont la sortie est connectée aux gâchettes de tous les éléments déclenchables.

公开(公告)号：FR2964247A1

公开(公告)日：2012-03-02

申请号：FR1056789

申请日：2010-08-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GALY PHILIPPE ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/118

Abstract: Le dispositif électronique comprend une première borne (BP) et une deuxième borne (BN), un étage tampon connecté entre la première borne et la deuxième borne et comportant une entrée de signal, et des moyens de protection contre des décharges électrostatiques susceptibles de se produire entre au moins une paire de noeuds (BP, BN) de l'étage tampon. Le dispositif comprend au moins une structure intégrée (STR) connectée entre les deux noeuds (BP, BN) ainsi qu'à ladite entrée de signal (ES), contenant au moins un transistor MOS (TR) et formant à la fois lesdits moyens de protection et au moins une partie dudit étage tampon.

公开(公告)号：DE69421134D1

公开(公告)日：1999-11-18

申请号：DE69421134

申请日：1994-08-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GENS MARC ,  JIMENEZ JEAN

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20 ,  H02H9/04

Abstract: The present invention relates to a structure for protection against electrostatic overvoltages for the terminals of an integrated circuit of multiple supplies, each supply being connected between a high-potential terminal and a low-potential terminal. Each terminal (P1, P2, etc.) of the circuit, including supply terminals (VDD1, VDD2..., VSS1, VSS2...), is connected to the anode of a first diode (D1), the cathode of which is linked to a first conducting rail (R1) and to the cathode of a second diode (D2) the anode of which is linked to a second conducting rail (R2). A unidirectional clipper component (Z) is linked by its cathode to the first rail and by its anode to the second rail.