公开(公告)号：CN100483579C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410103803.6

申请日：2004-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/64 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/63 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其具有主成分原料和副成分原料的烧结步骤，烧结前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035，比表面积为8～50m2/g。根据本发明，能提供一种由微细颗粒构成的、即使在电容器薄层化的情况下仍具有良好的电特性和温度特性的介电陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN1619727A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410103803.6

申请日：2004-11-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/64 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/63 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，其具有主成分原料和副成分原料的烧结步骤，烧结前的上述主成分原料使用由ABO3表示的钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位点成分和B位点成分的摩尔比A/B为1.006≤A/B≤1.035，比表面积为8～50m2/g。根据本发明，能提供一种由微细颗粒构成的、即使在电容器薄层化的情况下仍具有良好的电特性和温度特性的介电陶瓷组合物。

公开(公告)号：CN1610026A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410095182.1

申请日：2004-10-22

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/63 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种多层陶瓷电容器，其具有内部电极层和介电体层，其特征在于，上述介电体层的厚度在2.0μm以下，通过用上述介电体层的厚度除以构成上述介电体层的介电体粒子的平均粒径来求得的介电体层的每一层的平均粒子数在3个以上、6个以下。

公开(公告)号：CN108603276B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201780006900.9

申请日：2017-02-01

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山崎久美子 ,  千原宏 ,  永峰佑起 ,  山崎纯一 ,  梅田裕二

IPC: C23C14/06 ,  H01B3/00 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明目的在于提供相对介电常数大的多晶介电体薄膜及电容元件，其主要组成为钙钛矿型氮氧化物，所述钙钛矿型氮氧化物以组成式Aa1Bb1OoNn(a1+b1+o+n＝5)表示，所述钙钛矿型氮氧化物的晶格中的a轴长大于理论值。

公开(公告)号：CN108695062B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201810292586.1

申请日：2018-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  山﨑久美子

IPC: H01G4/08 ,  H01G4/10 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明提供一种多晶电介质薄膜，其中，主成分由通式(M(1)1‑xM(2)x)(M(3)1‑yM(4)y)(O1‑zNz)3所表示的氧氮化物构成。0≦x≦1、0≦y≦1、0＜z＜1/3。M(1)、M(2)、M(3)及M(4)的形式化合价的总和是14。氧氮化物的晶体结构包含由中心原子、2个4a位原子及4个8h位原子构成的八面体结构。中心原子是M(3)或M(4)。4a位原子是O原子或N原子。8h位原子是O原子或N原子。在八面体结构中，在将连结2个4a位原子的直线和所述晶体结构的c轴方向所成的角设为θ的情况下，0.5°≦θ≦12°。

公开(公告)号：CN106205920B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510493314.4

申请日：2015-08-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅田裕二 ,  横田英明

IPC: H01F1/057

Abstract: 本发明提供了种既能够维持良好的剩余磁通密度又具有高矫顽力的永久磁体。其特征在于:是R‑T‑X系永久磁体,含有由RTX型化合物(R为包含Y的稀土元素的1种以上,T为以Fe或者Co为必要的1种以上的过渡金属元素,X为以Be为必要并且选自Be、B、C当中的1种以上的元素)构成的主相,且所述主相具有正方晶NdFeB型结晶结构。

公开(公告)号：CN106233399B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201580020251.9

申请日：2015-03-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 门田祥悟 ,  铃木健一 ,  梅田裕二 ,  桥本龙司 ,  武田启司

IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  B22F3/00 ,  C22C38/00

CPC classification number: H01F1/057 ,  B22F3/16 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/02 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0556 ,  H01F1/0557 ,  H01F1/0577 ,  H01F1/058 ,  H01F1/059

Abstract: 本发明提供种在稀土类永久磁铁中磁各向异性大且使用了资源丰富的Ce的永久磁铁。本申请发明是在将主相颗粒中的3价的Ce原子数设为C3并将4价Ce原子数设为C4时,通过使存在比率C3/(C3+C4)成为0.1≤C3/(C3+C4)≤0.5,从而制得具有起因于3价的Ce状态的高磁各向异性的永久磁铁。

公开(公告)号：CN102531593B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110446242.X

申请日：2011-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大津大辅 ,  广濑正和 ,  梅田裕二

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/49

Abstract: 本发明提供相对介电常数和交流击穿电压高、介电损耗低、温度特性和烧结性良好的电介质陶瓷组合物。该电介质陶瓷组合物是具有以(Ba1-x-y，Cax，Sry)m(Ti1-z-a，Zrz，Sna)O3的组成式表示的主成分、第1副成分和第2副成分的电介质陶瓷组合物，其中，所述组成式中的x为0.03≤x≤0.30，所述组成式中的y为0.00＜y≤0.05，所述组成式中的z为0.02＜z≤0.2，所述组成式中的a为0≤a≤0.2，所述组成式中的z＋a为0.04≤z＋a≤0.3，所述组成式中的m为0.97≤m≤1.03，所述第1副成分为氧化锌，所述第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd和Y中的至少1种的氧化物，相对于100重量%的所述主成分含有0.45～10重量%的所述第1副成分，相对于100重量%的所述主成分含有以氧化物换算计超过0.0重量%且0.3重量%以下的所述第2副成分。

公开(公告)号：CN103449812B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201310203788.1

申请日：2013-05-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大津大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  梅田裕二

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/49

Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。

公开(公告)号：CN103449812A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310203788.1

申请日：2013-05-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大津大辅 ,  阿部贤 ,  广瀬正和 ,  梅田裕二

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种相对介电常数和交流破坏电压高、介电损耗低、且温度特性以及烧结特性良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物具备由（Ba1-x-y,Cax,Sry）m（Ti1-z-a,Zrz,Sna）O3的组成式所表示的主成分、第1副成分、第2副成分以及第3副成分。0.03≤x≤0.30；0.00＜y≤0.05；0.02＜z≤0.2；0≤a≤0.2；0.04≤z+a≤0.3；0.97≤m≤1.03。第1副成分为氧化锌，第2副成分为选自La、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd以及Y中的至少一种的氧化物，第3副成分为选自Al、Ga、In、Mg、Cu、Ni、Co、Fe以及Si中的至少一种的氧化物。相对于所述主成分100重量%，第1副成分的含量为0.45～10重量%，第2副成分的含量以氧化物换算为大于0.0重量%且0.3重量%以下，第3副成分的含量以氧化物换算为0.02～1.5重量%。