一种单晶硅空心微针结构的制作方法

    公开(公告)号:CN105217565B

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201410253151.8

    申请日:2014-06-09

    CPC classification number: B81C1/00111 A61M2037/0053 B81B2201/055

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法,在一典型实施案例中,该方法可以包括:先在(100)型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽;用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层;在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形;用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除,露出衬底硅;去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀,在上表面形成微针结构,下表面形成槽形结构,并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构,底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单,成本低廉,成品率高,适合大批量制造,且所获微针具有结构强度大、一致性好,载药剂量大等优点,在生物医学领域具有应用前景。

    一种单晶硅空心微针结构的制作方法

    公开(公告)号:CN105217565A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201410253151.8

    申请日:2014-06-09

    CPC classification number: B81C1/00111 A61M2037/0053 B81B2201/055

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法,在一典型实施案例中,该方法可以包括:先在(100)型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽;用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层;在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形;用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除,露出衬底硅;去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀,在上表面形成微针结构,下表面形成槽形结构,并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构,底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单,成本低廉,成品率高,适合大批量制造,且所获微针具有结构强度大、一致性好,载药剂量大等优点,在生物医学领域具有应用前景。

    一种在微尖锥顶端定位镀膜的方法

    公开(公告)号:CN1388267A

    公开(公告)日:2003-01-01

    申请号:CN02114979.8

    申请日:2002-03-20

    Applicant: 中山大学

    CPC classification number: B81C1/00111 B81B2201/055 B82Y30/00

    Abstract: 本发明公开了一种微尖锥定位镀膜的方法。所述的方法采用的工艺步骤如下:(1)锥尖暴露高度确定:在整个尖锥器件表面沉积覆盖层,采用薄膜削薄技术,减小表面覆盖层厚度,露出锥尖顶端,而锥体仍被覆盖;通过调节薄膜削薄参数,控制锥尖露出高度;(2)表面处理和钝化:根据实际需要,对露出锥尖进行表面净化处理和钝化保护。(3)薄膜沉积:根据实际需要,在锥尖顶端沉积上一层所需薄膜材料;(4)器件表面覆盖层剥离:采用选择性腐蚀方式,剥离器件表面覆盖层,形成锥尖定位镀膜器件。所述的微尖锥定位镀膜的方法,可对尖锥进行锥尖定位净化和镀膜。

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