公开(公告)号：CN1092904A

公开(公告)日：1994-09-28

申请号：CN94101129.1

申请日：1994-01-25

Applicant: 莫托罗拉公司

Inventor： 詹姆斯·E·贾斯基

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J2201/30457

Abstract: 本发明涉及一种由一层具有金刚石键结构的类金刚石碳组成的电子发射体，这种结构在发射位置带有电活性缺陷。电活性缺陷的作用类似于一个功函数很低、具有改善了的电流特性(包括改善了的饱和电流)的很薄的电子发射体。

公开(公告)号：CN101409189B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810178595.4

申请日：2008-09-28

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 西村一仁 ,  笹冈秀纪

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30457

Abstract: 一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。

公开(公告)号：CN101375363A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200780003705.7

申请日：2007-06-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本喜之 ,  植田晓彦 ,  西林良树 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J37/073 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01J1/304 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/073 ,  H01J37/3174 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2237/06341 ,  H01J2237/26

Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。

公开(公告)号：CN101065820A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580040587.8

申请日：2005-11-28

Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 ,  卡西欧计算机株式会社

Inventor： 西村一仁 ,  笹冈秀纪

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/3048 ,  H01J2201/30457

Abstract: 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。

公开(公告)号：CN1331180C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN03158649.X

申请日：2003-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  财团法人精细陶瓷中心

Inventor： 西林良树 ,  安藤丰 ,  今井贵浩

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/3044 ,  H01J2201/30457

Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。

公开(公告)号：CN1647227A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN03808832.0

申请日：2003-03-06

Applicant: 宋简民

Inventor： 宋简民

IPC: H01J1/62

CPC classification number: H01J1/304 ,  C01B32/25 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30457

Abstract: 一种当输入足够量的能量时能够在真空中发射电子的无定形金刚石材料(5)。该材料可以利用组成和几何方面，以便使电子输出达到最大而使所需能量输入达到最小。在一方面，无定形金刚石材料可以包括至少90％的碳原子，其中至少大约30％的这种碳原子以扭曲四面体构型结合。此外，材料可以配置有具有从大约10到大约10,000纳米的粗糙高度(20)的发射表面。多种能量类型可以单独地或者结合地使用，以促进电子流动，例如热能，光能，和感生电场能。无定形金刚石材料可以包括到多种真空型设备中，例如开关，激光二极管，发电机和冷却设备。

公开(公告)号：CN1369104A

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN00811363.7

申请日：2000-06-21

Applicant: 尖端设备公司

Inventor： 里奇·戈斯基 ,  基思·D·贾米森

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30457

Abstract: 一种小型的电子枪,包括场致发射阴极(12)、类似的皮尔斯电极(18)、门层(14)、聚焦透镜层(16)、聚焦透镜(20)和会聚杯(22)。

公开(公告)号：CN1257604A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN98805274.1

申请日：1998-05-20

Applicant: SI戴梦德技术公司

Inventor： 兹维·彦尼夫 ,  理查德·L·芬克 ,  芝丹·L·托尔特

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 用对衬底(704)进行腐蚀然后淀积膜(705)的工艺,制造了可以用于计算机显示器的场发射器件的膜(碳和/或金刚石)。腐蚀步骤在衬底上产生用于膜淀积工艺的成核位置。用此工艺,避免了发射膜的图形化。用这种膜能够制造场发射器件。得到的场发射器件,其阴极具有未被腐蚀过的连续膜,因而具有优异的发射性质。阴极中的象素包括直接淀积在衬底上的发射膜,导体淀积在发射膜的一侧或更多侧上。在一个实施例中,发射体位于制作在导体层中的窗口中。

公开(公告)号：CN1044945C

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN92105393.2

申请日：1992-07-02

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 詹姆斯·E·贾斯基 ,  朱晓东 ,  罗伯特·C·凯恩

IPC: H01J1/30 ,  H01J3/02 ,  H01J29/46

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J3/022 ,  H01J2201/30457

Abstract: 本发明为一个利用电子源(610)的电子装置(600)，该电子源包含的材料有一个表面呈现出很低的或负的电子亲和势，例如II-B型金刚石的111结晶面。提供了电子源(802，902)，它们的几何突变处一曲率半径大于约1000埃。这些电子源显著地改善了电子发射水平并缓解了对尖蜂/边缘特性的要求。所描述的利用这种电子源的电子装置包括图象发生电子装置、光源电子装置、以及信息信号放大器电子装置。

公开(公告)号：CN1202271A

公开(公告)日：1998-12-16

申请号：CN96198312.4

申请日：1996-11-13

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： G·B·布兰彻特-芬彻 ,  W·L·霍尔斯泰 ,  S·苏布拉莫内 ,  N·贺容

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J2201/30457

Abstract: 一种通过使粒状场致发射材料附着到基体上以制造场致发射阴极的方法。将粒状场致发射材料分散在溶剂中的金属化合物溶液中,并附着在基体表面。用足够的时间加热基体,使金属化合物还原成金属。得到的场致发射阴极是一种涂有金属薄层的基体,在该金属薄层中粒状场致发射材料的颗粒嵌在其中并从中凸出。