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公开(公告)号：CN101625946B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200810068374.1
申请日：2008-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0232 , H01J2203/0236 , H01J2329/0455 , H01J2329/463 , H01J2329/4634
Abstract: 一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；以及多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内；其中，每个电子发射单元中包括两个相对设置的电子发射体，该两个电子发射体分别与第一电极和第二电极电连接，每个电子发射体包括一碳纳米管阵列片断。
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公开(公告)号：CN101425438B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710124241.7
申请日：2007-11-02
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜或者一碳纳米管丝；通过使用有机溶剂或者施加机械外力处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝得到一碳纳米管长线；将该碳纳米管长线通电流加热熔断，在熔断处形成多个场发射尖端；以及将该熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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公开(公告)号：CN101540253B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810066127.8
申请日：2008-03-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列；提供一第一电极和一第二电极，将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上，该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸；通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜，形成多个碳纳米管线；将该碳纳米管线通电流加热熔断，得到多个碳纳米管针尖；提供一导电基体，将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上，形成一场发射电子源。
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公开(公告)号：CN101986418A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010526331.0
申请日：2007-07-25
Applicant: 韩国科学技术院
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/3043 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器（FEDs）、传感器、电极、背光源等。
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公开(公告)号：CN1937136B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200510037510.7
申请日：2005-09-22
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J61/305 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J61/26 , H01J63/06 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极，该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射体，所述电子发射体含有碳纳米管及吸气剂材料。本发明还涉及一种采用上述场发射阴极的平面光源，该平面光源包括：上述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在阳极导电层上的荧光体层，该荧光体层和电子发射体相对。该平面光源能有效维持平面光源内部一定的真空度，使平面光源的使用寿命长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101051595B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610060186.5
申请日：2006-04-05
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源，其包括：一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层，该导电基体具有一顶部，该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接，另一端沿该导电基体顶部向外延伸，该表面修饰层均匀分布和浸润于该碳纳米管的表面，并覆盖该碳纳米管向外延伸的一端，该表面修饰层的逸出功低于碳纳米管的选出功。
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公开(公告)号：CN101221872B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710196272.3
申请日：2007-12-07
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了一种场发射装置的碳纳米管的制造方法，其中添加了纳米尺寸的金属颗粒，由此大大提高了发射体的可靠性。CNT发射体的制造方法包括(a)在溶剂中分散CNT粉末、有机粘合剂、光敏材料、单体、和纳米尺寸的金属颗粒，由此制造CNT浆料；(b)在基底上方形成的电极上涂覆CNT浆料；(c)曝光涂覆在电极上的CNT浆料，由此进行精细构图；(d)塑化精细构图的CNT浆料；并且(e)处理CNT浆料的表面，使得被塑化的CNT浆料被激活。CNT发射体可以被精细地构图至几个μm，并可以改善电子发射的均匀性。另外，添加纳米尺寸的金属颗粒作为CNT浆料的金属填充剂，使得金属可以在CNT不恶化的低温下熔化。此外，增强了CNT对阴极的粘接，从而可以改善CNT发射体的可靠性。
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公开(公告)号：CN101823688A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200910105873.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括至少一碳纳米管；形成一金属包覆层在所述碳纳米管结构中至少一个碳纳米管的外表面；给所述碳纳米管结构在真空中通电，使所述碳纳米管外表面的金属包覆层熔融并与该碳纳米管中的碳原子反应，在所述碳纳米管外表面形成多个金属碳化物颗粒。本发明所提供的碳纳米管复合材料的制备方法，加热方式简单，无需复杂的退火工艺，从而能够简化所述碳纳米管复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN1938225B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200580010622.1
申请日：2005-03-25
Applicant: 东海碳素株式会社 , 双叶电子工业株式会社 , 泷川浩史
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种具有具备较大封闭空间的空心结构的碳纳米球型结构体，及可容易且稳定得到这种结构体的碳纳米球型结构体的制造方法，其特征在于，将通过采用碳素电极进行电弧放电而产生的煤或对碳照射激光使其蒸发而产生的煤，或比表面积为1000m2/g以上、一次粒径为20nm以上的碳黑，在惰性气体环境中进行高温加热而制得，由石墨层相结合而以整体形成曲面的方式配置的空心结构构成。
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公开(公告)号：CN101441969B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710124775.X
申请日：2007-11-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/862 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/86 , Y10S977/952
Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一个阴极，至少三个阳极和设置于该阳极表面的荧光粉层，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，其中，所述阴极包括至少三个阴极发射体，该至少三个阴极发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，所述每个阴极发射体包括一电子发射端，该至少三个阴极发射体的电子发射端分别靠近与之对应的阳极表面设置。
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