公开(公告)号：JPWO2013183546A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2013534880

申请日：2013-05-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 福岡　淳 ,  淳 福岡 ,  斉藤　和也 ,  和也 斉藤 ,  坂巻　功一 ,  功一 坂巻 ,  知之 畠 ,  知之 畠

IPC: C23C14/34 ,  C22C33/02 ,  C22C45/02 ,  C22C45/04 ,  C23C14/14 ,  G11B5/738 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 本発明は、原子比における組成式が(Fea−Co100−a)100−b−c−d−Tab−Nbc−Md(0

Abstract translation: 本发明是在原子比用组成式（FEA-Co100-A）100-B-C-D-制表NBC-MD（0 <≦80,0≦b≦10,0≦Ç≦15,5 ≦b + C≦15,2≦ð≦20,15≦b + C + D≦25中，M由下式表示。）表示从由Mo，Cr和W的组中的一种或多种元素， 其中包括不可避免的杂质余量，和挠曲断裂应变率εfB在300℃，以提供基于铁 - 钴基合金溅射靶材料是0.4％以上。

公开(公告)号：JP5492409B2

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：JP2008334064

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社堀場製作所

Inventor： 久 磯崎

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/28

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/226 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/02 ,  H01J2237/2445

公开(公告)号：JP5447743B1

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：JP2013534880

申请日：2013-05-30

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 淳 福岡 ,  和也 斉藤 ,  功一 坂巻 ,  知之 畠

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 本発明は、原子比における組成式が（Ｆｅ
ａ −Ｃｏ
１００−ａ ）
１００−ｂ−ｃ−ｄ −Ｔａ
ｂ −Ｎｂ
ｃ −Ｍ
ｄ （０＜ａ≦８０、０≦ｂ≦１０、０≦ｃ≦１５、５≦ｂ＋ｃ≦１５、２≦ｄ≦２０、１５≦ｂ＋ｃ＋ｄ≦２５、Ｍは、Ｍｏ、ＣｒおよびＷからなる群から選ばれる１つ以上の元素を表す。）で表され、不可避的不純物からなる残部を含み、かつ３００℃における曲げ破断歪率ε
ｆＢ が０．４％以上であるＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。

公开(公告)号：JP2013025864A

公开(公告)日：2013-02-04

申请号：JP2011156015

申请日：2011-07-14

Applicant: Sumitomo Heavy Ind Ltd ,  住友重機械工業株式会社 ,  Sen Corp ,  株式会社Sen

Inventor： TANAKA MASARU ,  KURIYAMA HITOSHI ,  MUROOKA HIROKI

IPC: H01J37/317 ,  C23C14/48 ,  H01J37/16 ,  H01J37/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/02 ,  H01J2237/0203 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T29/49

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To minimize degradation in performance of the electrostatic chuck of an impurity introduction layer formation device.SOLUTION: The electrostatic chuck protection method includes a step for providing a protective surface 23 that prevents adhesion of foreign matters containing a nonvolatile material in a vacuum environment on an exposed chuck surface 13, and a step for releasing the protective surface 23 in order to execute a process for forming a surface layer containing a material having volatility in the vacuum environment on a substrate W attracted electrically to the chuck surface 13. The protective surface 23 may be provided when performing low vacuum evacuation operation of the vacuum environment surrounding the chuck surface.

Abstract translation: 要解决的问题：为了使杂质导入层形成装置的静电卡盘的性能降低最小化。 解决方案：静电卡盘保护方法包括提供防止在真空环境中包含非挥发性物质的异物在暴露的卡盘表面13上的附着的保护表面23的步骤，以及用于将保护表面23释放的步骤 执行用于形成表面层的过程，该表面层含有在真空环境中具有挥发性的材料在吸附表面13电吸附的基底W上。保护表面23可以在执行围绕着真空环境的真空环境的低真空抽真空操作时提供 卡盘表面。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：TWI567217B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW105114349

申请日：2013-06-04

Applicant: 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

Inventor： 福岡淳 ,  FUKUOKA,JUN ,  齊藤和也 ,  SAITO,KAZUYA ,  坂卷功一 ,  SAKAMAKI,KOUICHI ,  畠知之 ,  HATA,TOMOYUKI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C38/12

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

公开(公告)号：TWI542719B

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：TW102119791

申请日：2013-06-04

Applicant: 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

Inventor： 福岡淳 ,  FUKUOKA, JUN ,  齊藤和也 ,  SAITO, KAZUYA ,  坂卷功一 ,  SAKAMAKI, KOUICHI ,  畠知之 ,  HATA, TOMOYUKI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C38/12

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

公开(公告)号：TW201410900A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102119791

申请日：2013-06-04

Applicant: 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

Inventor： 福岡淳 ,  FUKUOKA, JUN ,  齊藤和也 ,  SAITO, KAZUYA ,  坂卷功一 ,  SAKAMAKI, KOUICHI ,  畠知之 ,  HATA, TOMOYUKI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C38/12

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 本發明提供一種鐵鈷系合金濺鍍靶材，其以原子比表達的組成式係以(Fea-Co100-a)100-b-c-d-Tab-Nbc-Md(0＜a≦80，0≦b≦10，0≦c≦15，5≦b+c≦15，2≦d≦20，15≦b+c+d≦25，M表示從Mo、Cr及W所構成的群中選擇的1種以上的元素)表示，並包含無法避免的雜質所形成的剩餘部分，且在300℃的彎曲斷裂應變率εfB為0.4%以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种铁钴系合金溅镀靶材，其以原子比表达的组成式系以(Fea-Co100-a)100-b-c-d-Tab-Nbc-Md(0＜a≦80，0≦b≦10，0≦c≦15，5≦b+c≦15，2≦d≦20，15≦b+c+d≦25，M表示从Mo、Cr及W所构成的群中选择的1种以上的元素)表示，并包含无法避免的杂质所形成的剩余部分，且在300℃的弯曲断裂应变率εfB为0.4%以上。

公开(公告)号：TW201306166A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101121103

申请日：2012-06-13

Applicant: 住友重機械工業股份有限公司 ,  SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. ,  斯伊恩股份有限公司 ,  SEN CORPORATION

Inventor： 田中勝 ,  TANAKA, MASARU ,  栗山仁 ,  KURIYAMA, MASASHI ,  室岡博樹 ,  MUROOKA, HIROKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/02 ,  H01J2237/0203 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T29/49

Abstract: 〔課題〕抑制雜質導入層形成裝置的靜電卡盤的性能劣化。〔解決手段〕提供有一種靜電卡盤保護方法，包含：在真空環境中向露出之卡盤面(13)提供為了阻礙包含具有揮發性物質之異物附著之保護表面(23)；及為了執行在靜電吸附到卡盤面(13)之基板(W)上，形成包含在真空環境中具有揮發性之物質之表層之製程而解除保護表面(23)。保護表面(23)也可以在包圍卡盤面之真空環境中實施低真空排氣運轉時被提供。

Abstract in simplified Chinese: 〔课题〕抑制杂质导入层形成设备的静电卡盘的性能劣化。〔解决手段〕提供有一种静电卡盘保护方法，包含：在真空环境中向露出之卡盘面(13)提供为了阻碍包含具有挥发性物质之异物附着之保护表面(23)；及为了运行在静电吸附到卡盘面(13)之基板(W)上，形成包含在真空环境中具有挥发性之物质之表层之制程而解除保护表面(23)。保护表面(23)也可以在包围卡盘面之真空环境中实施低真空排气运转时被提供。

公开(公告)号：TW201627516A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW105114349

申请日：2013-06-04

Applicant: 日立金屬股份有限公司 ,  HITACHI METALS, LTD.

Inventor： 福岡淳 ,  FUKUOKA,JUN ,  齊藤和也 ,  SAITO,KAZUYA ,  坂卷功一 ,  SAKAMAKI,KOUICHI ,  畠知之 ,  HATA,TOMOYUKI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C38/12

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  C22C1/0433 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C33/0285 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  C22C38/12 ,  C22C38/26 ,  C22C2202/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/20 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01F41/183 ,  H01J2237/02

Abstract: 本發明提供一種鐵鈷系合金濺鍍靶材，其以原子比表達的組成式係以(Fea －Co100-a )100-b-c-d －Tab －Nbc －Md (0＜a≦80，0≦b≦10，0≦c≦15，5≦b＋c≦15，2≦d≦20，15≦b＋c＋d≦25，M表示從Mo、Cr及W所構成的群中選擇的1種以上的元素)表示，並包含無法避免的雜質所形成的剩餘部分，且在300℃的彎曲斷裂應變率εfB 為0.4％以上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种铁钴系合金溅镀靶材，其以原子比表达的组成式系以(Fea －Co100-a )100-b-c-d －Tab －Nbc －Md (0＜a≦80，0≦b≦10，0≦c≦15，5≦b＋c≦15，2≦d≦20，15≦b＋c＋d≦25，M表示从Mo、Cr及W所构成的群中选择的1种以上的元素)表示，并包含无法避免的杂质所形成的剩余部分，且在300℃的弯曲断裂应变率εfB 为0.4％以上。

公开(公告)号：TWI496241B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW101121103

申请日：2012-06-13

Applicant: 住友重機械工業股份有限公司 ,  SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. ,  斯伊恩股份有限公司 ,  SEN CORPORATION

Inventor： 田中勝 ,  TANAKA, MASARU ,  栗山仁 ,  KURIYAMA, MASASHI ,  室岡博樹 ,  MUROOKA, HIROKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68764 ,  H01J37/32871 ,  H01J2237/02 ,  H01J2237/0203 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  Y10T29/49