公开(公告)号：CN105609424A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510988981.X

申请日：2015-12-24

Applicant: 江苏长电科技股份有限公司

Inventor： 刘恺 ,  梁志忠 ,  张波 ,  王亚琴

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/83201

Abstract: 本发明涉及一种框架外露的夹芯封装工艺方法，它包括以下步骤：步骤一、提供第一引线框；步骤二、在第一引线框基岛区域涂覆锡膏；步骤三、在第一引线框上植入芯片；步骤四、提供第二引线框；步骤五、在第二引线框上涂覆锡膏；步骤六、将第二引线框压合在第一引线框上表面的芯片上，形成整体框架；步骤七、将步骤六形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；步骤八、塑封料塑封，塑封后第二引线框的上水平段的上表面暴露在塑封料之外；步骤九、切割或冲切。本发明的有益效果是：可以很容易的使锡膏的厚度、面积以及位置得到控制。

公开(公告)号：CN104867898A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510087951.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·冯克布林斯基 ,  U·法斯特纳 ,  A·布罗克迈尔 ,  P·佐恩

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32111 ,  H01L2224/32155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法。提供了一种具有各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底。半导体芯片布置在插口中，并且在插口中镀覆金属以在半导体芯片上形成与该半导体芯片接触的金属结构。对载体衬底进行切割以形成单独的半导体器件。

公开(公告)号：CN104867863A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510067672.9

申请日：2015-02-09

Applicant: 西门子公司

Inventor： 米夏埃尔·莱佩纳特 ,  龙尼·维尔纳

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/75 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75983 ,  H01L2224/773 ,  H01L2224/77328 ,  H01L2224/77983 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84201 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92255 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/06 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明涉及一种用于制造电子模块(L)、特别是功率电子模块的方法(S1-S8)，所述方法包括至少一个半导体芯片(3，4)与至少一个引线框架(1)的触点接通，其中，半导体芯片(3，4)在其上侧(7)上并且在其下侧(6)上分别具有至少一个电接口(8，9)，并且至少一个引线框架(1)直接触点接通(S5)所述侧之一的所述接口(8，9)。一种电子模块(L)借助于所述方法(S1-S8)来制造。本发明特别是能够应用在功率电子模块上。

公开(公告)号：CN104851861A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410759400.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山寄优 ,  钉宫哲也 ,  广畑贤治

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L22/34 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/26155 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75318 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 根据一个实施例，半导体组件包括电路板、半导体芯片和接合部件，所述接合部件通过烧结包含金属颗粒的膏形成在所述电路板和所述半导体芯片之间，以接合所述电路板和所述半导体芯片。所述接合部件包括紧接在所述半导体芯片之下的第一区域和邻近于所述第一区域的第二区域。所述第二区域具有等于或者低于所述第一区域的孔隙度。

公开(公告)号：CN104810298A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510042659.8

申请日：2015-01-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.欣德勒

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L23/488 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L21/561 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/20101 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/83

Abstract: 电子器件和用于制造电子器件的方法。用于制造电子器件的方法包括使用输送装置将第一半导体芯片和第二半导体芯片同时附着到载体，其中附着第一半导体芯片包括第一附着方法，而附着第二半导体芯片包括不同于第一附着方法的第二附着方法。

公开(公告)号：CN104412360A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380034211.0

申请日：2013-06-05

Applicant: 索泰克公司

Inventor： I·拉杜 ,  M·波卡特 ,  阿诺德·卡斯泰 ,  格维塔兹·戈丹 ,  G·里奥

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/12 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/201 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12646 ,  Y10T428/12653 ,  Y10T428/12674

Abstract: 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：-将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；-向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。

公开(公告)号：CN103943518A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410026183.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： L.伯维

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: B22F7/08 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L24/34

Abstract: 用于制造牢固接合的连接和电气连接的方法。为了在第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）之间制造牢固接合的连接，首先提供第一接合伙伴（1）和第二接合伙伴（2）。第一接合伙伴（1）具有第一连接面（11）以及与第一连接面（11）不同的、待保护的表面片段（12）。第二接合伙伴（2）具有第二连接面（21）。在待保护的表面片段（12）上施加保护层（3），使得待保护的表面片段（12）完全被所述保护层（3）覆盖。在将保护层（3）施加在待保护的表面片段（12）上的状态下，在第一连接面（11）与第二连接面（21）之间制造出牢固接合的连接。在制造了牢固接合的连接之后，又将保护层（3）从所述待保护的表面片段（12）至少部分地去除。

公开(公告)号：CN102810527A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210174969.1

申请日：2012-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩圭镇

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：包括相对的第一表面和第二表面的第一衬底；穿透所述第一衬底的第一贯通电极；包括相对的第一表面和第二表面的第二衬底；穿透所述第二衬底的第二贯通电极；绝缘图案，其插入在所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面之间，以至少部分地暴露所述第一衬底的第二表面和所述第二衬底的第一表面；以及连接图案，其布置在由所述绝缘图案以及所述第一衬底和第二衬底限定的空间内，以将所述第一贯通电极与所述第二贯通电极电连接。

公开(公告)号：CN102741943A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008066.X

申请日：2011-01-20

Applicant: 索尼化学&信息部件株式会社

Inventor： 山田泰伸 ,  宫内幸一

IPC: H01B5/16 ,  C09J4/00 ,  C09J5/06 ,  C09J7/02 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J171/12 ,  C23C18/16 ,  H01R11/01

CPC classification number: C08L71/00 ,  C08G2650/56 ,  C08K3/08 ,  C08K9/02 ,  C08K2003/0862 ,  C08L33/06 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J11/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种异向性导电膜，所述异向性导电膜至少具有导电层和绝缘层，所述绝缘层含有粘结剂、单官能团的聚合性单体以及固化剂，所述导电层含有镍粒子、金属包覆树脂粒子、粘结剂、聚合性单体以及固化剂，所述金属包覆树脂粒子是树脂芯至少包覆有镍的树脂粒子。

公开(公告)号：CN106536096B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580040062.8

申请日：2015-03-18

Applicant: 贺利氏德国有限两合公司

Inventor： M.舍费尔 ,  W.施密特

IPC: B22F5/00 ,  B22F7/04 ,  H05K3/32

CPC classification number: B22F5/006 ,  B22F3/1003 ,  B22F3/24 ,  B22F7/04 ,  B22F2003/242 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/25 ,  B22F2302/45 ,  B22F2998/10 ,  C25D11/34 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29686 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K3/32 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

Abstract: 用于接合元件的方法，其中提供由至少两个各含金属接触表面的元件和布置在所述元件之间的具有金属氧化物表面的金属固体形式的金属烧结件形成的布置，并压力烧结所述布置，其中所述金属烧结件的金属氧化物表面和所述元件的金属接触表面各自形成共同接触面，且其中(I)在含有至少一种可氧化化合物的气氛中进行所述压力烧结和/或(II)在形成相应的共同接触面之前为所述金属氧化物表面配备至少一种可氧化有机化合物。