公开(公告)号：CN1022522C

公开(公告)日：1993-10-20

申请号：CN91109359.1

申请日：1991-09-21

Applicant: 三星电管株式会社

Inventor： 崔钟书

IPC: H01J9/04 ,  H01J1/28 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/28

Abstract: 本文公开一种制造储备式阴极的方法，该方法包括以下步骤：将一种多孔基底材料填装在一存储容器中，将该存储容器焊接在一圆筒形套筒上，将一加热器装配在该套筒内。该套筒具有：一个与存储容器焊接的支承面；一外径大于存储容器的外径；及一个开口，该开口小于存储容器的外径。本方法可阻止焊接期间的热量向多孔基底材料传导，并提高阴极工作期间的热效率，从而得到优异的阴极特性。

公开(公告)号：CN100418175C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN02824054.5

申请日：2002-11-29

Applicant: 汤姆森许可贸易公司

Inventor： 让-吕克·里科 ,  让-米歇尔·罗凯

IPC: H01J1/28

CPC classification number: H01J1/28

Abstract: 一种针对真空管的浸渍阴极，包括利用碱土金属混合物浸渍的多孔片状器件(11)形式的发射部分；将所述片状器件放置在盘(12)中，所述盘(12)由难熔金属制成并覆盖有形成了阴极的发射表面的多孔金属薄片(13)。而且，所述片状器件具有位于严重浸渍区域和未浸渍或弱浸渍的区域(10)之间的分离表面(18)，所述分离表面是凹入的，并且具有位于金属薄片和严重浸渍区域之间的至少一个中空部分。利用该分离表面的形状，提高了阴极的寿命。

公开(公告)号：CN1830051A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480007122.8

申请日：2004-02-13

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： 皮特·克鲁特 ,  斯蒂恩·W·H·K·斯蒂恩布林克

IPC: H01J1/28

CPC classification number: H01J37/065 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/28 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/3175 ,  H01J2237/31754 ,  H01J2237/31774

Abstract: 一种储备式阴极，其包括发射表面，当被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔，和至少一个用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面的通道，所述发射表面包括至少一个发射区域和至少一个非发射区域，该非发射区域涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域，所述非发射区域包括至少一个通道，该通道连接所述储腔和所述非发射区域，并在距离发射区域扩散长度的范围内开口，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

公开(公告)号：CN1152408C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN00132779.8

申请日：2000-11-17

Applicant: 中国科学院电子学研究所

Inventor： 刘燕文 ,  田宏

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/28 ,  H01J23/04

Abstract: 一种小多注速调管覆膜阴极的制备方法，在钼筒底面没有洞的表面上形成抑制发射的铪膜(1)；在已覆有抑制发射的铪膜(1)的表面上涂敷一层对发射无影响的有机物；将发射物质与钨粉按一定比例混合后放入底面有洞的钼筒内；进行压制；在阴极表面形成增强发射的锇膜(2)。多注速调管具有宽频带，高增益、高效率、低工作电压、重量轻和体积小等一系列优点，因此它是现代雷达系统发射机末级功率放大器中最有竞争力的器件之一。

公开(公告)号：CN1404615A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN01805318.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 今林大智

IPC: H01J1/28 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J1/28 ,  H01J9/047 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种浸渍型阴极结构及制造该结构的方法，该阴极结构能够不利用插入件而牢固将多孔基体金属连接到帽体上并能够通过消除出现有缺陷焊接而提高多孔基体金属和帽体之间的焊接可靠性和生产率，该浸渍型阴极结构包括浸渍以发射材料的多孔基体金属(11)和使得多孔基体金属(11)的表面暴露出来并固定多孔基体金属(11)以便覆盖其底面和侧面的帽体(12)，其中，非多孔致密部分(14)形成在多孔基体金属(11)的底面上，紧密配合区域(16)通过沿着致密部分(14)的外形压变形帽体(12)的底部而形成，且帽体(12)的底部在该紧密配合区域(16)内焊接到多孔基体金属(11)的致密部分(14)上。

公开(公告)号：CN1092837C

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN97126441.4

申请日：1997-12-11

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李钟焕

IPC: H01J1/28 ,  H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/26 ,  H01J1/28

Abstract: 一种低功率浸渍式阴极包括：一圆片状元件，一杯状件，一内套筒，一薄片和一外套筒，所述圆片状元件用于发射电子且置于杯状件内，杯状件与内套筒相连，所述内、外套筒通过薄片结合在一起，该圆片状元件的直径至少小于其厚度的1.5倍，以及外套筒的底部外径大于其顶部外径。

公开(公告)号：CN1044169C

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN93108001.0

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社金星社

Inventor： 李庆相

IPC: H01J1/28 ,  H01J29/04 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/047 ,  H01J1/28

Abstract: 按照本发明的一种阴极用浸渍圆片，它是通过如下步骤来生产的；将许多金属条排放在难熔金属制成的两端敞开的圆筒内以形成许多孔隙；用电子发射材料浸灌这些孔隙制备成棒形圆片坯材；将此棒形圆片坯材切割成有预定厚度的各浸渍圆片；以及用振动和倾斜工作板的工序修整这些圆片的表面。这种浸渍圆片能广泛地应用于阴极射线管、电子管和类似的要求高电流密度的器件中。

公开(公告)号：CN1013533B

公开(公告)日：1991-08-14

申请号：CN88100016

申请日：1988-01-07

Applicant: 中国科学院电子学研究所

Inventor： 由玉新 ,  张恩虬

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28

Abstract: 一种压制钡镍阴极，采用了多层结构，即由表层、中层和底层构成。表面材料是由镍粉和三元碳酸盐混合组成；中层材料是由镍粉、三元碳酸盐和多种激活剂组成；底层材料由镍粉或镍粉和钼粉组成。这种阴极兼备了氧化物阴极和贮备型阴极的主要优点，具有工作温度低，电子发射大，蒸发小抗中毒能力强，寿命长等优点，而且制备工艺简单，可通过调整配方和工艺来满足不同管型对阴极的要求。

公开(公告)号：CN85106573B

公开(公告)日：1987-01-21

申请号：CN85106573

申请日：1985-09-03

Applicant: 中国科学院电子学研究所

Inventor： 廖显恒

IPC: H01J1/14 ,  H01J1/28 ,  H01J19/06 ,  H01J19/22

Abstract: 本发明阴极是一种新的贮存式氧化物阴极。它由带有小室的阴极镍筒，小室内的铝酸盐和激活剂钛、钨和铼，小室上面的镍网帽，镍网帽下部的一层镍海绵，在镍海绵体内浸渍三元醋酸盐，以及在镍网帽表面涂覆的三元碳酸盐等构成。本发明提供了一种高可靠长寿命阴极，它可以广泛用于电真空器件中，特别是在行波管、速调管和显象管中使用，可靠性增加，寿命显著延长。

公开(公告)号：CN108962704A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810588854.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 朴秀用

Inventor： 朴秀用

IPC: H01J23/12 ,  H01J1/28 ,  H01J9/385 ,  H01J23/00 ,  H01J23/05 ,  H01J25/587

CPC classification number: H01J23/005 ,  H01J1/28 ,  H01J9/18 ,  H01J9/26 ,  H01J9/385 ,  H01J23/05 ,  H01J23/12 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587

Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极，所述阳极包括圆柱形构件；以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片，在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔；以及分配器阴极，适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。