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发明公开
浸渍型阴极单元及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1404615A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN01805318.1

申请日：2001-12-26

Applicant: 索尼公司

Inventor： 今林大智

IPC: H01J1/28 , H01J9/04

CPC classification number: H01J1/28 , H01J9/047 , Y10T29/49002

Abstract: 一种浸渍型阴极结构及制造该结构的方法，该阴极结构能够不利用插入件而牢固将多孔基体金属连接到帽体上并能够通过消除出现有缺陷焊接而提高多孔基体金属和帽体之间的焊接可靠性和生产率，该浸渍型阴极结构包括浸渍以发射材料的多孔基体金属(11)和使得多孔基体金属(11)的表面暴露出来并固定多孔基体金属(11)以便覆盖其底面和侧面的帽体(12)，其中，非多孔致密部分(14)形成在多孔基体金属(11)的底面上，紧密配合区域(16)通过沿着致密部分(14)的外形压变形帽体(12)的底部而形成，且帽体(12)的底部在该紧密配合区域(16)内焊接到多孔基体金属(11)的致密部分(14)上。

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