公开(公告)号：CN108962704A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810588854.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 朴秀用

Inventor： 朴秀用

IPC: H01J23/12 ,  H01J1/28 ,  H01J9/385 ,  H01J23/00 ,  H01J23/05 ,  H01J25/587

CPC classification number: H01J23/005 ,  H01J1/28 ,  H01J9/18 ,  H01J9/26 ,  H01J9/385 ,  H01J23/05 ,  H01J23/12 ,  H01J25/50 ,  H01J25/587

Abstract: 本发明公开了一种4G磁控管。所述磁控管可以包括阳极，所述阳极包括圆柱形构件；以及设置于所述圆柱形构件内的阳极叶片，在所述圆柱形构件和阳极叶片之间定义了谐振腔；以及分配器阴极，适用于加热并同轴设置于所述阳极内。所述磁控管可以在大约850℃和1050℃的范围之间操作。所述磁控管可以包括传导冷却。所述磁控管可以包括创造性地阳极和阴极结构。本发明还提供了一种用于大体上同时制备多个磁控管管路的方法。

公开(公告)号：CN105874555B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480071807.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： L.迪努-格尔特勒 ,  E.P.霍杰沃斯特

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/28 ,  H01J1/46 ,  H01J37/07

CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明涉及一种阴极配置(20)，其包括：热离子阴极，其包括发射部分(30)和贮存器(38)，该发射部分设置有用于发射电子的发射表面，该贮存器用于保留材料，其中，该材料在受热时释放功函数降低微粒，这些功函数降低微粒朝该发射部分扩散并且以第一蒸发速率从该发射表面处发出；聚焦电极(40)，其包括聚焦表面，用以聚焦从该阴极的发射表面处被发射的电子；以及可调整的热源(50)，其被配置成用以保持该聚焦表面在可防止功函数降低微粒累积在该聚焦表面上的温度。

公开(公告)号：CN101084565A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200580043917.9

申请日：2005-12-13

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： G·F·格特纳 ,  E·克莱因

IPC: H01J1/28

CPC classification number: H01J1/28

Abstract: 一种钪酸盐扩散阴极，其具有设置在阴极支座(3)上的阴极体(4)、阴极涂层(5，6)，以及设置在阴极体(4)和层体系(6)之间的活化加速层体系(5)，其中所述阴极涂层包括由铼或铼合金(61)的一个或多个交替层和氧化钪或钪合金(62)的一个或多个交替层组成的层体系(6)，所述活化加速层体系包括由碱土金属氧化物组成的至少一个释放层(52)和活化剂层体系(51)，其中所述碱土金属氧化物优选氧化钡，所述活化剂层体系(51)由抗氧化性比所述阴极体的材料大的阻隔材料和用于还原所述碱土金属氧化物的活化剂材料组成，其中所述活化剂材料优选氧化钡。

公开(公告)号：CN100353476C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN03138112.X

申请日：2003-05-27

Applicant: 汤姆森许可贸易公司

Inventor： 让-克洛德·普吕沃 ,  杰里米·朗戈 ,  让-雷米·亚当斯基

IPC: H01J1/13 ,  H01J29/04 ,  H01J29/48

CPC classification number: H01J1/28 ,  H01J9/047

Abstract: 由使用电子发射材料浸渍的多孔基体形成的发射体(1)，该发射体由都具有小于0.2μm的粗糙度的外表面(11，12，13)限定。由于表面抛光，可以相当大地改进拥有这样的阴极发射体的阴极的工作和寿命。

公开(公告)号：CN1037131C

公开(公告)日：1998-01-21

申请号：CN92105645.1

申请日：1992-06-12

Applicant: 三星电管株式会社

Inventor： 卢焕哲

IPC: H01J1/20 ,  H01J29/04 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J9/047 ,  H01J1/28

Abstract: 一种浸渍式阴极装置，包括：具有截锥形顶部的套管，在其中心有一有预定直径的开口；在套管内形成与套管形状一致的浸渍式阴极发射材料，以便形成通过开口外露的一个部分；构成套管一部分的贮筒，用于贮放浸渍式阴极发射材料；分隔套管内部空间的支撑塞，以便形成用于贮筒的空间；和安装在套管中支撑塞之下的热子。

公开(公告)号：CN1042802A

公开(公告)日：1990-06-06

申请号：CN88107957

申请日：1988-11-14

Applicant: 菲利浦光灯制造公司

Inventor： 简·哈斯卡 ,  雅各布斯·爱德华达斯·克罗姆比恩 ,  安敦·卡雷尔·尼森 ,  亨利卡斯·约翰内斯·胡伯达斯·史托费伦

IPC: H01J1/28

CPC classification number: H01J1/28

Abstract: 通过至少给钪酸盐阴极的基质的顶层提供呈现钪离析现象的合金或化合物而能够达到在离子轰击以后令人满意地恢复具有高的电子发射率的阴极的目的。

公开(公告)号：CN105874555A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480071807.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 迈普尔平版印刷IP有限公司

Inventor： L.迪努-格尔特勒 ,  E.P.霍杰沃斯特

IPC: H01J3/02 ,  H01J1/28 ,  H01J1/46 ,  H01J37/07

CPC classification number: H01J37/3174 ,  G03F7/70058 ,  H01J1/15 ,  H01J1/28 ,  H01J3/027 ,  H01J3/029 ,  H01J37/075 ,  H01J37/3177 ,  H01J2229/481 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明涉及一种阴极配置(20)，其包括：热离子阴极，其包括发射部分(30)和贮存器(38)，该发射部分设置有用于发射电子的发射表面，该贮存器用于保留材料，其中，该材料在受热时释放功函数降低微粒，这些功函数降低微粒朝该发射部分扩散并且以第一蒸发速率从该发射表面处发出；聚焦电极(40)，其包括聚焦表面，用以聚焦从该阴极的发射表面处被发射的电子；以及可调整的热源(50)，其被配置成用以保持该聚焦表面在可防止功函数降低微粒累积在该聚焦表面上的温度。

公开(公告)号：CN1599940A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824054.5

申请日：2002-11-29

Applicant: 汤姆森许可贸易公司

Inventor： 让-吕克·里科 ,  让-米歇尔·罗凯

IPC: H01J1/28

CPC classification number: H01J1/28

Abstract: 一种针对真空管的浸渍阴极，包括利用碱土金属混合物浸渍的多孔片状器件11形式的发射部分；将所述片状器件放置在盘12中，所述盘12由难熔金属制成并覆盖有形成了阴极的发射表面的多孔金属薄片13。而且，所述片状器件具有位于严重浸渍区域和未浸渍或弱浸渍的区域10之间的分离表面18，从而使所述分离表面包括朝向发射表面的至少一个中空部分。利用该分离表面的形状，提高了阴极的寿命。

公开(公告)号：CN1516213A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03101614.6

申请日：1998-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川智

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/047 ,  H01J1/28 ,  H01J9/042

Abstract: 提供电子初始发射、寿命和电子枪的绝缘性能方面优良，适于批量生产的浸渍型阴极的制造方法。金属粉末烧结体的块内部有孔隙，用电子发射物质2填满其孔隙，使孔隙率随着从电子发射面3向反向面进展而连续变高。由于未形成块内部孔隙率不连续面，产生自由Ba的化学反应连续顺利地进展。由于不必使用多种粒径分布的原材料粉末，能够简化制造工艺。使孔隙率和孔隙率分布在一定范围内，使寿命特性等诸性能良好。

公开(公告)号：CN1099125C

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN96195427.2

申请日：1996-06-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇田英一郎 ,  樋口敏春 ,  中村修 ,  小山生代美 ,  松本贞雄 ,  大内义昭 ,  小林一雄 ,  须藤孝 ,  本间克久

IPC: H01J1/28 ,  H01J1/14 ,  H01J9/04 ,  H01J29/04 ,  H01J23/04

CPC classification number: H01J23/087 ,  H01J1/28 ,  H01J9/042 ,  H01J23/04 ,  H01J2223/04

Abstract: 一种以浸渍电子发射物使用浸渍型阴极基体的浸渍型阴极组件，它包括：大粒径低孔隙率区域；和小粒径高孔隙率区域，其平均粒径小于大粒径低孔隙率区域的平均粒径、其孔隙率大于大粒径低孔隙率区域的孔隙率。