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公开(公告)号：CN115398591A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028509.5
申请日：2021-04-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/141 , H01J37/21 , H01J37/04 , H01J37/28 , H01J37/305
Abstract: 一种用于3D装置的晶片检验及检视的电子束系统提供高达20微米的焦深。为了检验且检视具有在数百到数千电子伏特的低着陆能量的晶片表面或次微米以下表面缺陷，可搭配能量增强上韦内电极使用具有三个磁性偏转器的无维恩滤波器的射束分离光学器件以减小物镜的球差及色差系数。
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公开(公告)号：CN114783852A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210341801.9
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/04 , H01J37/141
Abstract: 本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
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公开(公告)号：CN114551194A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210153343.6
申请日：2022-02-18
Applicant: 四川大学
IPC: H01J37/04 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀加工设备，特别是一种等离子体刻蚀装置，包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间具有用于放置待加工件的加工区域，还包括驱动装置，第一电极上靠近第二电极的一侧设置有呈阵列布置的尖端，尖端的尖部指向第二电极，驱动装置能够驱动第一电极回转。本申请的一种等离子体刻蚀装置，第一电极成为一种表面带有尖端阵列的电极，使得本申请的等离子体刻蚀装置在刻蚀时不需要对电源电压有太高的要求，或者再同等电源电压的条件下极大的提升了改性粒子的能量密度。使用驱动装置能够驱动第一电极回转，进而带动待加工件可以在一定速度范围内旋转，其配合尖端以实现对待加工件较为均匀的刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN114509003A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210128016.5
申请日：2017-03-31
Abstract: 本发明涉及非接触角测量设备和方法。一种非接触角测量设备包括物质波和能量(MWE)粒子源和检测器。MWE粒子源用于生成玻色子或费米子粒子。检测器用于检测由1)与第一平面的缝、凸块或孔对应的玻色子或费米子粒子和2)与被第二平面反射的玻色子或费米子粒子相关联的物质波的波前分割生成的干涉图案的多个峰或谷，其中，所述干涉图案的所述多个峰或谷的角位置、所述第一平面与所述第二平面的接合区域之间的第一距离、以及所述检测器和所述缝、凸块或孔之间的第二距离用于决定所述第一平面和所述第二平面之间的角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220726A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111321157.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 北京子牛亦东科技有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30 , H01J37/04 , H01J9/18 , H01J37/08
Abstract: 本发明涉及一种用于离子注入机的离子源的阴极固定装置，包括：紧固件；卡具，所述卡具设置在阴极外围，其上设置有凸块，所述凸块上设置有连接孔，所述连接孔用于配合紧固件将所述卡具固定在阴极上；以及支撑结构，所述支撑结构通过紧固件与所述凸块连接。本发明的阴极固定装置取消阴极杯体底部的中间杆，由设置在阴极外围的卡具和与卡具连接的支撑结构来固定阴极，将承重部位由中间杆变成整体外圈受力，可以有效避免因中间杆变形而引起的短路，提高离子注入机的利用率，节约人力和物力。本发明还涉及包括所述阴极固定装置的离子源，以及利用上述阴极固定装置固定阴极的方法。
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公开(公告)号：CN112908809A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110323708.0
申请日：2021-03-26
Applicant: 大束科技(北京)有限责任公司
IPC: H01J9/02 , H01J37/04 , H01J37/073 , H01J37/285
Abstract: 本发明公开了一种发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，发射针形成方法包括将直径为0.1‑0.5mm的柱形体的部分置入电化学腐蚀液中，向电化学腐蚀液中通入第一电流，柱形体与电化学腐蚀液发生电化学腐蚀，直至柱形体靠近电化学腐蚀液液面的位置断开形成上下两段；将上段柱形体的断开处置入电化学腐蚀液的液面以下，向电化学腐蚀液通入第二电流，第一电流的强度大于第二电流的强度，上段柱形体的断开处与带电流的电化学腐蚀液n次接触，n为大于或等于0的正整数，直至断开处的端面形成半径大小为0.1‑0.3um的圆滑表面。如此设置，将存在凹凸不平处和微裂纹的部分腐蚀掉，形成圆滑表面，电子发射过程会更加均匀和稳定。
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公开(公告)号：CN112670148A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910980967.3
申请日：2019-10-15
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
Inventor： 武文杰
IPC: H01J37/317 , H01J37/04
Abstract: 本发明公开了一种电磁波聚束装置，包括：射频桶(1)、漂移管(2)、四极透镜(3)。其中射频桶(1)、漂移管(2)组成聚束装置的主体部分，漂移管(2)与四极透镜(3)形成电容，在电容极板产生电势差对离子束进行加减速从而形成簇状束流。射频加速器需要稳定的簇状束流进入加速器，而产生这种簇状离子束的装置叫做电磁波聚束器。
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公开(公告)号：CN111463094A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010298307.X
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/16 , H01J37/305 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法，该设备包括反应腔室、设置在反应腔室顶部的上电极机构和设置在反应腔室中的基座，还包括中间电极机构，该中间电极机构包括电极板组件和与电极板组件电连接的中间射频电源，其中，电极板组件设置在反应腔室中，且位于上电极机构与基座之间，并将反应腔室分隔形成上子腔室和下子腔室；并且，上子腔室具有上进气口，下子腔室具有下进气口；在电极板组件中设置有多个过滤孔，用以将上子腔室和下子腔室相连通，且在上子腔室中的等离子体通过过滤孔时降低等离子体中的离子的能量。本发明提供的原子层刻蚀设备，其不仅可以提高工艺均匀性，而且有助于实现活化气体和刻蚀气体的隔离。
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公开(公告)号：CN111418040A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880077222.X
申请日：2018-11-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·沙克德 , M·G·M·J·玛森
IPC: H01J37/28 , H01J37/04 , H01J37/244
Abstract: 公开了用于进行带电粒子束调制的系统和方法。根据某些实施例，一种带电粒子束装置(510)生成多个带电粒子束。调制器(800)被配置为接收多个带电粒子束并且生成多个经调制的带电粒子束。检测器(541)被配置为接收多个经调制的带电粒子束。
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