公开(公告)号：WO2010052176A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/EP2009/064391

申请日：2009-10-30

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KLEHR, Andreas ,  LIERO, Armin

Inventor： KLEHR, Andreas ,  LIERO, Armin

IPC: G02F1/025 ,  H01S5/50 ,  H01S5/026

CPC classification number: G02F1/025 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/50

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Lichtmodulator und ein Verfahren zur Lichtmodulation anzugeben, mit denen sehr kurze optische Pulse bis in den Femtosekunden-Bereich mit geringer Folgefrequenz selektiert werden können, wobei die Folgefrequenz in einem Bereich zwischen einigen Hz bis in den GHz-Bereich variabel sein soll. Dazu weist die Vorrichtung einen ersten optischen Wellenleiter (3), eine erste Treiberschaltung (14), einen zweiten optischen Wellenleiter (1, 2) und eine zweite Treiberschaltung (15) auf, wobei der Abstand zwischen einem Schaltelement der ersten Treiberschaltung (14) und dem ersten optischen Wellenleiter (3) weniger als 3 mm beträgt und der Abstand zwischen einem Schaltelement der zweiten Treiberschaltung (15) und dem zweiten optischen Wellenleiter (1, 2) weniger als 3 mm beträgt und der erste optische Wellenleiter (3) eine erste Absorbersektion (5), eine Pulspickersektion (4) sowie eine zweite Absorbersektion (18) aufweist.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置和用于将光信号的选择性传输的方法。 本发明提供一种光调制器和光调制，这非常短的光脉冲可以下降到飞秒范围内选择具有低重复率的方法的目的，所述的范围内的重复率从几赫兹到GHz范围 应该是可变的。 为了这个目的，该设备包括一第一光学波导（3），第一驱动器电路（14），第二光学波导（1,2）和第二驱动器电路（15），其中，所述第一驱动电路（14）的开关元件之间的距离和 第一光学波导（3）是小于3mm和第二驱动器电路（15）和所述第二光波导的开关元件之间的距离（1，2）小于3毫米，并且所述第一光学波导（3）的第一吸收部 （5），一个脉冲选择器部分（4）和一个第二吸收部分（18）。

公开(公告)号：WO2010029186A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：PCT/EP2009/061975

申请日：2009-09-15

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GESCHE, Roland ,  KHALIL, M., Ibrahim ,  KUEHN, Silvio ,  LIERO, Armin

Inventor： GESCHE, Roland ,  KHALIL, M., Ibrahim ,  KUEHN, Silvio ,  LIERO, Armin

IPC: H03F1/30 ,  H03F1/32 ,  H03F1/52 ,  H03F3/193 ,  H03B5/12 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03F1/301 ,  H01L27/0255 ,  H03F1/306 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/523 ,  H03F3/193 ,  H03F3/1935 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/444

Abstract: The present invention is directed to a self-adjusting gate bias network for field effect transistors in radio frequency applications. A bias network for field effect transistors is provided comprising a field effect transistor (1) having a source electrode (1c) connected to ground and a drain electrode (1b) connected to a load (2); a radio frequency network (3) connected to the gate electrode (1a); a gate bias network (4) connected to the gate electrode (1a); wherein a device having a non-linear characteristic (5) is provided in series between the gate electrode (1a) and the gate bias network (4) such that a forward bias current at the gate electrode of the field effect transistor (1) is reduced or prevented. The reduction or prevention of a forward bias current leads in overdrive conditions to a self- adjustment of the bias point of the field-effect transistor (1) improving the reduction of distortions of an amplifier or changing the class of oscillators connected to the gate electrode (1a).

Abstract translation: 本发明涉及用于射频应用中的场效应晶体管的自调节栅极偏置网络。 提供一种用于场效应晶体管的偏置网络，包括具有连接到地的源电极（1c）的场效应晶体管（1）和连接到负载（2）的漏电极（1b）; 连接到所述栅电极的射频网络（3）; 连接到栅极电极（1a）的栅极偏压网络（4）; 其中具有非线性特性（5）的器件串联设置在栅极电极（1a）和栅极偏压网络（4）之间，使得场效应晶体管（1）的栅电极处的正向偏置电流为 减少或阻止 正向偏置电流的减少或防止导致过驱动条件下自动调节场效应晶体管（1）的偏置点，从而改善放大器失真的减少或者改变连接到栅电极的振荡器的类别 （1a）中。

公开(公告)号：WO2008155138A3

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：PCT/EP2008/005192

申请日：2008-06-17

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  LANGE, Ralph-Peter ,  JOCKEL, Dietmar ,  ZIEM, Mario ,  RUDOLPH, Peter ,  KIESSLING, Frank ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  CZUPALLA, Matthias ,  NACKE, Bernard ,  KASJANOW, Helene

Inventor： LANGE, Ralph-Peter ,  JOCKEL, Dietmar ,  ZIEM, Mario ,  RUDOLPH, Peter ,  KIESSLING, Frank ,  FRANK-ROTSCH, Christiane ,  CZUPALLA, Matthias ,  NACKE, Bernard ,  KASJANOW, Helene

IPC: C30B15/14 ,  C30B11/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, mindestens aufweisend einen in einer Züchtungskammer (10) angeordneten, eine Schmelze (11) enthaltenen Tiegel (12), eine den Tiegel (12) umgebende Heizeinrichtung (1), welche als Mehrspulenanordnung von übereinander angeordneten Spulen (1a, 1b, 1c) ausgeführt ist, wobei die Spulen (1a, 1b, 1c) stufenförmige oder stufenlose Spulenwindungen (9) aufweisen und an den Spulen (1a, 1b, 1c) Stromzuführungsschienen (2a, 2b, 2c, 2m) angebracht sind, die elektrisch mit einer außerhalb der Züchtungskammer (10) angeordneten Energieversorgungseinrichtung (13) verbunden sind. Es ist vorgesehen, dass die Heizeinrichtung (1) Stabilisierungselemente (3a), (3b), (3c), 3d) an den Spulenwindungen (9) aufweist und die Stromzuführungsschienen (2a), (2b), (2c), (2m) in Form eines Winkelteiles ausgestaltet sind.

公开(公告)号：WO2008131997A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/EP2008/053507

申请日：2008-03-25

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  GESCHE, Roland ,  ANDREI, Andreea, Cristina ,  BUCHHOLZ, Stephan ,  KUEHN, Silvio

Inventor： GESCHE, Roland ,  ANDREI, Andreea, Cristina ,  BUCHHOLZ, Stephan ,  KUEHN, Silvio

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/463 ,  H05H2240/10 ,  H05H2245/122 ,  H05H2277/11

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Elektrode für einen Plasmaerzeuger zur Erzeugung von Plasmen bei Atmosphärendruck oder atmosphärennahen Drücken durch Anregung mit Mikrowellen. Vorgeschlagen wird eine Elektrode aus einem Blechstreifen (1), in dessen Längsrichtung mindestens ein Schlitz (2) mit einer Länge eingebracht ist, die das Ein- oder Mehrfache eines Viertels der Wellenlänge der Leerlauf Spannung der Mikrowelle beträgt, so dass sich mindestens zwei Teilelektroden (3) bilden, wobei die Spannungszuleitung an die Teilelektroden (3) im Bereich des oder der geschlossenen Schlitzenden erfolgt.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在用微波大气压或接近大气压的压力通过激发产生等离子体的等离子体发生器的电极。 提出由金属带材（1）的，在其纵向方向上的电极的至少一个狭槽（2）被引入与对应于怠速的长度为所述一个或更多次的微波的波长的四分之一的电压，以使至少两个部分的电极（ 3），其中，所述电压供给线（到部分电极3）发生在的区域或闭合狭槽的端部。

公开(公告)号：WO2007025812A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：PCT/EP2006/064599

申请日：2006-07-24

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KRUEGER, Olaf ,  SCHOENE, Gerd ,  JOHN, Wilfred ,  WERNICKE, Tim ,  WUERFL, Joachim

Inventor： KRUEGER, Olaf ,  SCHOENE, Gerd ,  JOHN, Wilfred ,  WERNICKE, Tim ,  WUERFL, Joachim

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von vertikalen Durchkontaktierungen (Mikro-Vias) in Halbleiterwaf ern zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, das heißt von Kontakten auf der Wafer-Vorderseite durch den Halbleiter-Waf er hindurch zur Wafer-Rückseite . Vorgeschlagen wird ein Verfahren mit folgenden Schritten: -Laserbohren von Sacklöchern an den Kontaktverbindungsstellen von der Wafer-Rückseite her in das Halbleitersubstrat -Reinigung des Wafers -materialselektives Plasmaätzen des Halbleitersubstrates bis zum aktiven Schichtstapel des Wafers -materialselektives Plasmaätzen des aktiven Schichtstapels des Wafers bis zum Erreichen der mit der Wafer-Rückseite zu verbindenden Kontakte -Aufbringen einer Plattierbasis auf die Wafer-Rückseite und in die Sacklöcher -galvanischer Goldauftrag auf die metallisierte Wafer- Rückseite und die Sacklöcher

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在Halbleiterwaf仁用于制造半导体器件，即从由半导体WAF其传递到晶片背面的晶片表面上的触点垂直通孔（微通孔）的产生的方法。 提出了一种方法，包括以下步骤：在所述晶片的所述半导体衬底纯化晶片背面侧的接触连接点的盲孔的-Laserbohren -materialselektives半导体衬底以在晶片的活性层堆叠的等离子体蚀刻-materialselektives晶片的活性层堆叠的等离子体蚀刻到达 到与晶片背侧触点-Aufbringen电镀基体被接合到晶片背面侧并进入金属化晶片背面和盲孔上的盲孔-galvanischer金顺序

公开(公告)号：WO2006119927A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：PCT/EP2006/004233

申请日：2006-05-05

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG e. V. ,  SCHOLZ, Ferdinand ,  BRÜCKNER, Peter ,  HABEL, Frank ,  PETER, Matthias ,  KÖHLER, Klaus

Inventor： SCHOLZ, Ferdinand ,  BRÜCKNER, Peter ,  HABEL, Frank ,  PETER, Matthias ,  KÖHLER, Klaus

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  Y10S117/915 ,  Y10T428/24355

Abstract: An epitaxial growth process for producing a thick III-N layer, wherein III denotes at least one element of group III of the periodic table of elements, is disclosed, wherein a thick III-N layer is deposited above a foreign substrate. The epitaxial growth process preferably is carried out by HVPE. The substrate can also be a template comprising the foreign substrate and at least one thin III-N intermediate layer. The surface quality is improved by providing a slight intentional misorientation of the substrate, and/or a reduction of the N/III ratio and/or the reactor pressure towards the end of the epitaxial growth process. Substrates and semiconductor devices with such improved III-N layers are also disclosed.

Abstract translation: 公开了用于生产厚III-N层的外延生长方法，其中III表示元素周期表第III族中的至少一种元素，其中在异物底物上方沉积厚的III-N层。 外延生长工艺优选通过HVPE进行。 衬底也可以是包含异质衬底和至少一个薄III-N中间层的模板。 通过提供衬底的轻微故意取向，和/或在外延生长过程结束时降低N / III比和/或反应器压力来改善表面质量。 还公开了具有这种改进的III-N层的衬底和半导体器件。

公开(公告)号：WO2006092313A1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：PCT/EP2006/001926

申请日：2006-03-02

Applicant: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN ,  VERTRETEN DURCH DAS BUNDESMINISTERIUM FÜR GESUNDHEIT UND SOZIALE SICHERUNG LETZVERTRETEN DURH DEN PRÄSIDENTEN DES ROBERT KOCH INSTITUTES ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  NEUHOF, Thorsten ,  DIECKMANN, Ralf ,  VON DÖHREN, Hans ,  PREUSSEL, Karina ,  SEIBOLD, Michael ,  SCHMIEDER, Peter

Inventor： NEUHOF, Thorsten ,  DIECKMANN, Ralf ,  VON DÖHREN, Hans ,  PREUSSEL, Karina ,  SEIBOLD, Michael ,  SCHMIEDER, Peter

IPC: C07K9/00 ,  A61K38/14 ,  C12P21/00 ,  A61P31/00 ,  A61P35/00

CPC classification number: C07K9/008 ,  C07K7/64 ,  C12P21/00

Abstract: The present invention relates to lipopeptides having pharmaceutical activity, to methods of their isolation and production, to pharmaceutical composition and uses thereof and to cyano-bacteria from which the compounds may be isolated.

Abstract translation: 本发明涉及具有药物活性的脂肽，其分离和生产方法，药物组合物及其用途以及可以分离化合物的氰基细菌。

公开(公告)号：WO2006000213A3

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：PCT/DE2005/001181

申请日：2005-06-29

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KLUSSMANN, Enno ,  ROSENTHAL, Walter ,  HUNDSRUCKER, Christian

Inventor： KLUSSMANN, Enno ,  ROSENTHAL, Walter ,  HUNDSRUCKER, Christian

IPC: C07K14/43

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Nukleinsäuresequenz, die für Peptide kodiert, die die Interaktion von Proteinkinase A (PKA)und Proteinkinase A-Ankerproteinen (AKAP) inhibiert, einen Wirtsorganismus, der die Nukleinsäuresequenz umfasst und gegebenenfalls die Peptide exprimiert sowie die Verwendung der Peptide sowie des Wirtsorganismus bei der Untersuchung von Krankheiten, die mit der AKAP PKA Interaktion assoziiert sind sowie die Verwendung der Peptide als pharmazeutisches Mittel für die Behandlung solcher Krankheiten.

公开(公告)号：WO2004084410A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/EP2004/002612

申请日：2004-03-12

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KOCH, Reinhold ,  PAMPUCH, Carsten ,  NEY, Andreas ,  DAS, Amal, K.

Inventor： KOCH, Reinhold ,  PAMPUCH, Carsten ,  NEY, Andreas ,  DAS, Amal, K.

IPC: H03K19/18

CPC classification number: H03K19/18

Abstract: Es wird eine magnetische Logikeinrichtung (10) beschrieben, die ein magnetisches Element (11), mindestens zwei Eingänge (14, 15) und mindestens einen Ausgang (16) aufweist, wobei in Abhängigkeit von logischen Eingangsgrössen (IA, IB) an den Eingängen (14, 15) mindestens eine Magnetisierungsrichtung des magnetischen Elements (11) verstellbar ist, die eine logische Ausgangsgrösse 0 = F (I A , I B ) am Ausgang (16) bestimmt, und das magnetische Element (11) zwei verschiedene, nicht parallele Magnetisierungsrichtungen (M1, M2) aufweist, die miteinander derart gekoppelt sind, dass bei Umkehrung von einer der Magnetisierungsrichtungen (Ml) auch die jeweils andere Magnetisierungsrichtung (M2)umgekehrt wird.

Abstract translation: 它描述了一种磁性逻辑器件（10）包括一个磁性元件（11），至少两个输入端（14，15）和至少一个输出端（16），其中，在逻辑输入变量（IA，IB）到输入端依赖（ 14，15）的至少所述磁性元件（11的磁化）的方向是可调节的，= F（IA，IB）的输出端（确定0 16）的逻辑输出值，以及所述磁性元件（11）两个不同的，非平行的磁化方向（M1 其耦合到彼此，使得在磁化方向（ML）（也磁化M2的另一个方向）中的一个的反转反转时，M2）。

公开(公告)号：WO2003058685A2

公开(公告)日：2003-07-17

申请号：PCT/DE2003/000072

申请日：2003-01-08

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

Inventor： BRAUN, Matthias ,  ERBERT, Götz ,  WENZEL, Hans

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01S5/12 ,  G02B5/1857 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Braggschen Gitters in einer Halbleiterschichtenfolge eines Halbleiterkörpers mit den zugehörigen Schichtdicken und Brechungsindices mittels Ätzen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren und ein Bauelement zu entwickeln, mit dem Braggsche Gitter mit Tastverhältnissen, die deutlich von 1/2 verschieden sind, mit holografischer Belichtung hergestellt werden können, und mit dem eine genaue Einstellung und Kontrolle des Tastverhältnisses des Braggschen Gitters ohne die Maskierungsschicht im gleichen Tastverhältnis zu strukturieren und ohne die Verwendung bzw. Veränderung einer Elektronenstrahlbelichtung gewährleistet wird, wird dadurch gelöst, dass Schichtdicken und Brechungsindices einer Halbleiterschichtenfolge, in die das Braggsche Gitter geätzt wird, so gewählt werden, ein definiertes Tastverhältnis und eine definierte Differenz der effektiven Brechzahlen eingestellt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过蚀刻来生产与相应的层厚度和折射率的半导体本体的半导体层序列的布拉格光栅。 本发明的目的是开发一种方法和其可与从1/2全息曝光与布拉格光栅和与显著不同占空比被制造的装置的精确调节和控制所述布拉格光栅的占空比的不 在相同的占空比结构化掩模层并保证在不使用或改变在电子束曝光在该层的厚度和半导体层序列，其中，所述布拉格光栅被蚀刻，的折射率实现是这样选择的，定义的脉冲占空因数，并在限定的差 有效折射率设置。