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公开(公告)号：CN101388310B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710077114.6
申请日：2007-09-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射体，该场发射体包括一基底、一阴极层位于该基底表面及一碳纳米管复合层位于上述阴极层表面，其中，该碳纳米管复合层的表面包括至少一个突起部，该突起部包括至少一个碳纳米管从突起部突出。一种场发射体的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管浆料；提供一基底及一阴极层，该阴极层形成于该基底上；将上述碳纳米管浆料涂敷于一阴极层上，冷却后，形成一碳纳米管复合层于阴极层上；以功率为10000-100000瓦/平方毫米，扫描速度为800-1500毫米/秒的激光照射碳纳米管复合层表面形成场发射体。
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公开(公告)号：CN102082051A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010616298.0
申请日：2010-12-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3044 , H01J2201/3043 , H01J2201/30469 , H01J2209/0226
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管线尖端的制备方法，其包括：提供一碳纳米管线；以及仅采用扫描功率大于等于1瓦且小于10瓦，及扫描速度小于200毫米/秒的激光烧断所述碳纳米管线，形成一锥形碳纳米管线尖端。本发明还提供一种场发射结构的制备方法。
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公开(公告)号：CN102064071A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010591539.0
申请日：2010-12-16
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种场发射显示装置，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与两个相邻的列电极引线形成一个网格；多个电子发射单元，每个电子发射单元对应一个网格设置，每个电子发射单元包括间隔设置的一阴极电极与一阳极电极，以及一阴极发射体，所述阴极发射体与阳极电极间隔设置；其中，所述每个电子发射单元进一步包括一第一聚焦电极及第二聚焦电极，所述第一聚焦电极和第二聚焦电极分别设置于阴极发射体两侧。
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公开(公告)号：CN101125944B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710129277.4
申请日：2007-04-26
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金柱英
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种用于形成电子发射源的组合物，所述组合物包含碳基材料、载体以及包含下式(1)单元的聚合物：式(1)其中A1为单键，或为取代或未取代的C1-C20亚烷基；Z1和Z2各自独立为氢、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、羧基、-NR1R2基团、苯乙烯基树脂的一部分或线形酚醛树脂的一部分，R1和R2各自独立为氢、取代或未取代的C1-C20烷基或取代或未取代的C6-C30芳基。所述组合物具有改善的印刷适性、光敏性、显影性能和粘附性并可形成具有精细图案的电子发射源。本发明还涉及由所述组合物形成的电子发射源和包括所述电子发射源的电子发射装置。
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公开(公告)号：CN102024653A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010564683.5
申请日：2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射单元及场发射像素管，所述场发射像素管包括一壳体及一场发射单元，所述场发射单元设置于壳体内，所述场发射单元包括至少三个阳极和分别设置于所述至少三个阳极表面的荧光粉层，一阴极，所述阴极与每个阳极之间间隔设置，所述阴极包括一阴极支撑体及至少三个电子发射体，该至少三个电子发射体与所述至少三个阳极一一对应设置，其中，所述每一电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构的一端与所述阴极支撑体电连接，所述碳纳米管管状结构的另一端向所述阳极延伸作为电子发射端，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕一中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构的电子发射端形成有多个电子发射尖端。
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公开(公告)号：CN101499389B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810066047.2
申请日：2008-02-01
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/316 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J9/027 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端。
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公开(公告)号：CN101965310A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980106855.X
申请日：2009-01-16
Applicant: 埃洛雷特公司
Inventor： C·V·恩古延
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 公开一种CNT电子源、一种制造CNT电子源的方法和一种利用CNT图案化雕塑的衬底的太阳能电池。实施例利用金属衬底，该金属衬底使CNT能够直接从衬底生长。可以向金属衬底施加抑制剂以抑制从金属衬底生长CNT。可以以任何图案向金属衬底精确地施加抑制剂，由此使CNT群集的定位能够更精确地加以控制。可以变化金属衬底的表面粗糙度以控制CNT在各CNT群集内的密度。另外，可以向CNT电子源施加吸收剂层和受主层以形成太阳能电池，其中可以响应于日光曝光在受主层与金属衬底之间生成电压电势。
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公开(公告)号：CN101427357B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200580021057.9
申请日：2005-06-28
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明揭示了在一种材料的表面上形成另一种纳米尺寸材料的涂层的方法，该方法使用微机械加工喷珠机植入纳米颗粒。该方法可采用许多种目标材料、纳米颗粒(例如碳纳米管、CNT)和环境条件，使用许多种载体珠粒尺寸和材料，或者不使用载体珠粒。本发明所要求的植入法可用来制造用于场致发射装置的表面活化CNT阴极。该植入法还可用来使撞击点附近的任何材料互相发生化学反应。
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公开(公告)号：CN101027742B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200580025402.6
申请日：2005-07-26
Applicant: 大日本网目版制造株式会社 , 野田优
Inventor： 野田优
CPC classification number: H01J29/04 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管装置，其包括：基板(1)；层(3)，其与所述基板(1)相接，并具有相对于所述基板(1)在垂直方向上贯通的间隙(5)；碳纳米管集合体(7)，其在面向所述间隙(5)的所述基板(1)的表面上由碳纳米管组成，该碳纳米管为具有相应于与所述间隙(5)的中心的距离而连续地变化的数量密度分布的碳纳米管；催化剂物质(6)，其在所述碳纳米管集合体(7)与所述基板(1)之间配置，并支撑所述碳纳米管集合体(7)，所述碳纳米管集合体(7)为多个碳纳米管互相缠绕而成的束，并形成为相对于所述基板(1)在垂直方向上延伸的刺状结构。
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公开(公告)号：CN101861282A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116201.0
申请日：2008-11-14
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
Inventor： S·D·伊特尔
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01J2201/30469 , Y02E60/324
Abstract: 本发明涉及包括碳纳米管和保护材料的组合物，所述保护材料保护碳纳米管免受例如由于暴露于高温时的氧化而造成的损害或降解。
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