Abstract:
Provided are a microwave radiation antenna, a microwave plasma source and plasma processing apparatus which uniformly form plasma while suppressing the power loss and abnormal discharge of microwave. A microwave radiation antenna (45) of the present invention to radiate microwave into a chamber transmitted along a microwave transmission line and generate surface wave plasma includes an antenna body (121) which is formed with a conductor; a process gas introduction hole (124) formed in the antenna body (121); a gas diffusion space (123); a plurality of gas outlet holes (125); a plurality of slots (122) formed corresponding to the microwave transmission line in the antenna body (121) while being separated from the gas diffusion space (123) and the gas outlet holes (125); and a ring-shaped dielectric member (126) which is installed to include a slot-formed region in the microwave radiation side of the antenna body (121).
Abstract:
본 발명은 부하의 마이크로웨이브 처리 설비(1)에 관한 것으로서, 하나 이상의 인가 기구(30); 전자기파를 가이드하는 수단(5)에 의하여 하나 이상의 인가 기구(30)에 연결된, 마이크로웨이브 영역의 하나 이상의 고상 발생기(4); 대응되는 발생기(4)에 의하여 생성된 상기 전자기파의 주파수(f (i) )를 조정하도록 설계된 하나 이상의 주파수 조정 시스템(40); 인가 기구(30)에 의하여 반사된 출력(P R(i) )을 측정하도록 설계된, 상기 인가 기구(30) 또는 각각의 인가 기구(30)를 위한 측정 시스템(31); 그리고 각각의 주파수 조정 시스템(40) 및 각각의 측정 시스템(31)에 연결되어, 반사 출력(P R(i) ) 및/또는 전송 출력(P T(i) )을 조정하도록, 반사 출력에 따라 전자기파의 주파수(f (i) )의 조정을 제어하는 자동화 제어 수단(6)을 포함한다.
Abstract:
본 발명은 기판을 코팅하는 CVD 용 마이크로파를 사용하여 플라즈마를 생성하는 장치로서, 진공 용기(2) 및 전기 전도체(3)를 포함하고, 상기 진공 용기 안으로 반응 가스가 공급되고, 상기 전기 전도체는 진공 용기 안에 배치되고 마이크로파 결합 장치(6)와 연결되어 있는, 플라즈마 생성 장치로서, 상기 전기 전도체(3)의 양 단부는 각각 마이크로파 결합 장치(6)와 연결되어 있고, 상기 전기 전도체(3)는 전압원(7)과 연결되어 있고, 상기 전압원을 사용하여 상기 전기 전도체(3)와 주변 진공 용기(2) 사이에서 전위차가 생성될 수 있고, 상기 전기 전도체(3)는 마이크로파 생성 장치(6)에 결합된 상기 장치와 절연되어 있는 플라즈마 생성 장치에 관한 것이다. 상기 전기 전도체(3)는 막대 형태 또는 굴곡진 형태이다. 상기 전기 전도체(3)는 피드스루 필터를 통해서 상기 전압원(7)에 연결되어 있다. 마이크로파 생성 장치(6)에 결합된 상기 장치는 상기 전기 전도체(3)를 따라서 깔때기 형상과 같이 넓어지고 유전 물질(11)로 부분적으로 또는 완전히 채워져 있다. 마이크로파 생성 장치(6)에 결합된 상기 장치는 상기 전기 전도체 주변을 따라서 홈이 난 오목부를 가진다.
Abstract:
A plasma processing apparatus including antenna is provided to prevent a discharge error and to generate uniform and stable plasma by not generating a gap between a metal electrode and dielectric cover. A plasma processing apparatus processes an object using plasma generated by exciting a gas with an electromagnetic wave, and includes a treatment receptacle, an electromagnetic wave source, a conductor rod, a dielectric plate(305), and a metal electrode(310). The electromagnetic wave source outputs an electromagnetic wave. The conductor rod transmits the electromagnetic wave outputted from the electromagnetic wave source. A penetration hole(305a) is formed on the dielectric plate which emits the electromagnetic wave transmitted from the conductor rod. The metal electrode is connected to the conductor rod through the penetration hole formed in the dielectric plate. An open surface of the metal electrode is covered with the dielectric cover(320).
Abstract:
PURPOSE: To provide a magnetron having an oscillation frequency of 400 to 600 MHz and a processing device using the magnetron. CONSTITUTION: The magnetron is provided with a negative electrode part including a thermion emission source, a positive electrode part including a plurality of positive electrode vanes, magnetic circuit part including magnet-generating means and a output part including an antenna, and each electrode measures as follows. F (outer diameter of a negative electrode filament)=5.0 to 6.0 mm G (inner diameter of a vane end)=10 to 13 mm D1 (inner diameter of positive electrode cylinder part)=110 to 130 mm F/G £(outer diameter of a negative electrode filament)/(inner diameter of a vane end)|=0.38 to 0.6 L1 (total length of a positive electrode vane)=50 to 56 mm H1 (height of a positive electrode vane)=13 to 15 mm H2 (height of a notched part)=0 to 3 mm T1 (thickness of a positive electrode vane)=7.5 to 8.5 mm.