公开(公告)号：KR101104514B1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: (요약) 막의 이동도를 높여 고주파 전력을 서셉터에 인가할 때, 유도 자장의 발생을 상쇄한다.
(해결 수단) 마이크로파 플라즈마 처리 장치(10)는, 처리 용기(100)와, 처리 용기 내에 마련되고, 기판 G를 탑재하는 서셉터(105)와, 서셉터(105)의 동일 원주상에 마련된 세 개의 위치 P1~P3에서 서셉터에 접촉하는 세 개의 급전봉 B1~B3과, 세 개의 급전봉 B1~B3에 접속되고, 세 개의 급전봉 B1~B3을 통해서 셋 이상의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(130)을 포함한다. 서셉터(105)의 동일 원주상의 세 개의 위치 P에서 서셉터(105)에 세 개의 급전봉 B1~B3을 접촉시킨다. 세 개의 급전봉 B1~B3에 고주파 전원(130)을 접속하고, 고주파 전원(130)으로부터 출력된 고주파 전력을 세 개의 급전봉 B를 통해서 세 개의 위치 P1~P3으로부터 서셉터(105)에 공급한다.

Abstract translation: （总结）当​​通过增加膜的迁移率将高频功率施加到基座时，感应磁场的产生被抵消。

公开(公告)号：KR101011961B1

公开(公告)日：2011-01-31

申请号：KR1020077023939

申请日：2006-03-28

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228 ,  C23C14/24 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/56

Abstract: 분사 용기에 유기 EL 분자 가스를 분사하는 구성을 구비한 성막 장치에 있어서, 복수의 유기 EL 원료 용액과, 복수의 유기 EL 원료 용기와 분사 용기를 접속하는 배관계를 갖고, 복수의 유기 EL 원료 용기는 선택적으로 유기 EL 분자 공급 상태가 되고, 당해 배관계는, 각 유기 EL 원료 용기 내에, 성막시와 비성막시가 동일한 압력이 되도록 수송 가스를 공급하도록 구성되어 있다. 비성막시, 수송 가스는 유기 EL 원료 용기의 하나로부터 다른 원료 용기로 흐른다.
성막 장치, 분사 용기, 배관계, 기화 수단

公开(公告)号：KR100990060B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020087008125

申请日：2006-09-05

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  마츠오카다카아키 ,  나카야마쇼조 ,  이토히로노리

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/568 ,  H01L51/56

Abstract: 고가의 유기 EL 원료를 낭비 없이 이용함과 함께, 유기 EL 막을 장시간에 걸쳐 균일하게 성막할 수 있는 성막 장치 및 그것을 위한 지그를 제공한다. 단일한 원료 용기부에 대해, 복수의 취출 용기를 구비하고, 원료 용기부의 유기 EL 원료를 기화시켜 캐리어 가스와 함께 각 취출 용기에 공급하는 배관계를 다른 취출 용기의 배관계로 전환하는 전환기를 구비하고 있다. 이와 같이, 복수의 취출 용기에 대해, 단일한 원료 용기부로부터 유기 EL 원료를 전환 공급함으로써, 유기 EL 원료의 이용 효율을 개선할 수 있다.
유기 EL 장치, 성막 장치, 배관계, 전환기, 이용 효율, 캐리어 가스

公开(公告)号：KR100942106B1

公开(公告)日：2010-02-12

申请号：KR1020077028517

申请日：2006-06-07

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  혼다미노루 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 본 발명에 따르면, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 피처리체 표면의 실리콘에 대하여, 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리 용기 내에 마이크로파를 도입하여 형성되는 질소 함유 가스의 마이크로파 여기 고밀도 플라즈마를 작용시켜서, 500℃ 이상의 처리 온도에서 질화 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR1020090031746A

公开(公告)日：2009-03-27

申请号：KR1020097001448

申请日：2007-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: G01R29/08 ,  G01R21/04

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/52 ,  G01R1/24 ,  H01J37/32211 ,  H05H1/46

Abstract: [PROBLEMS] To accurately measure a standing wave as an index to identify the waveguide length Ug in a waveguide. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] By detecting temperature distribution of a conductive member constituting at least a part of a pipe wall of a waveguide in the longitudinal direction of the waveguide for propagation of an electromagnetic wave, a standing wave generated in the waveguide is measured according to the temperature distribution. The temperature distribution of the conductive member in the longitudinal direction of the waveguide can be accurately measured by temperature sensors arranged in the longitudinal direction of the waveguide, or a temperature sensor moving in the longitudinal direction of the waveguide, or an infrared camera.

Abstract translation: [问题]准确测量驻波作为波导中波导长度Ug的指标。 [解决问题的手段]通过检测构成波导管壁的至少一部分的导电构件在波导的纵向上的传播电磁波的温度分布，在波导中产生的驻波根据 到温度分布。 可以通过布置在波导的纵向的温度传感器或者在波导的纵向方向上移动的温度传感器或红外线照相机来精确地测量导电构件在波导的纵向方向上的温度分布。

公开(公告)号：KR1020080046285A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020087009253

申请日：2006-10-06

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: A magnetron sputtering apparatus enabling improvement of the film-forming speed by increasing the erosion density on the target at every movement and prolongation of the target life by realizing uniform consumption of the target by moving the erosion region with time. Plate magnets (3) are arranged around a columnar rotary shaft (2). A high-density erosion region is formed on a target (1) by rotating the columnar rotary shaft (2) so as to increase the film-forming speed. Since the erosion region is moved with rotation of the columnar rotary shaft (2), the target (1) is consumed uniformly.

Abstract translation: 一种磁控溅射装置，其能够通过随着时间移动侵蚀区域而实现目标的均匀消耗，通过增加目标的每次移动和延长目标寿命时的侵蚀密度来提高成膜速度。 板状磁体（3）围绕柱状旋转轴（2）布置。 通过旋转柱状旋转轴（2），在靶（1）上形成高密度腐蚀区域，以提高成膜速度。 由于侵蚀区域随着柱状旋转轴（2）的旋转而移动，所以目标（1）被均匀地消耗。

公开(公告)号：KR1020080030100A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020087004094

申请日：2006-08-04

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: C23C16/511 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192

Abstract: Provided is a plasma processing apparatus which can perform uniform processing even when a substrate to be processed has a large area. The plasma processing apparatus propagates microwaves introduced into wave guide tubes (102) to dielectric plates (104) through slots (103), and performs plasma processing to the surface of the substrate (107) by converting a gas supplied into a vacuum container (101) into the plasma state. In the plasma processing apparatus, a plurality of waveguide tubes (102) are arranged in parallel, a plurality of dielectric plates (104) are arranged for waveguide tubes (102), respectively, and partitioning members (106) formed of a conductor and grounded are arranged between the adjacent dielectric plates (104). The in-tube wavelength of the waveguide tube (102) is adjusted to be an optimum value by vertically moving a plunger (111). Furthermore, unintended plasma generation is eliminated in a space between the dielectric plate and the adjacent member, and stable plasma can be efficiently generated. As a result, high-speed and uniform processings, such as etching, form forming, cleaning, ashing, can be performed.

Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置，即使在待处理基板面积大的情况下也能够进行均匀的处理。 等离子体处理装置通过槽（103）将引入导波管（102）的微波传播到电介质板（104），通过将供给到真空容器（101）的气体进行转换，对基板（107）的表面进行等离子体处理 ）进入等离子体状态。 在等离子体处理装置中，多个波导管（102）平行配置，分别配置有用于波导管（102）的多个电介质板（104）和由导体形成的分隔部件（106） 布置在相邻的电介质板（104）之间。 通过垂直移动柱塞（111）将波导管（102）的管内波长调节为最佳值。 此外，在电介质板和相邻构件之间的空间中消除了意外的等离子体产生，并且可以有效地产生稳定的等离子体。 结果，可以进行诸如蚀刻，成形，清洁，灰化等高速均匀的处理。

公开(公告)号：KR101217381B1

公开(公告)日：2012-12-31

申请号：KR1020087009253

申请日：2006-10-06

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미다다히로 ,  고토데츠야 ,  마츠오카다카아키

IPC: C23C14/35

Abstract: 타겟 상에서의 매순간의 에로젼 밀도를 상승시켜 성막 속도를 향상시킴과 함께, 에로젼 영역을 시간적으로 이동시켜 타겟의 국소적 마모를 방지하여 균일한 소모를 실현함으로써 타겟을 장기 수명화할 수 있는 마그네트론 스퍼터 장치를 제공한다. 기둥 형상 회전축 (2) 의 주변에 판자석 (3) 을 복수 설치하고, 기둥 형상 회전축 (2) 을 회전시킴으로써, 타겟 (1) 상에 고밀도의 에로젼 영역을 형성하여 성막 속도를 상승시킴과 함께, 기둥 형상 회전축 (2) 의 회전과 함께 에로젼 영역이 움직임으로써 균일하게 타겟 (1) 을 소모시킨다.
마그네트론 스퍼터 장치, 회전 자석군, 고정 외주 판자석, 에로젼 밀도, 성막

公开(公告)号：KR1020090102679A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090025098

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 고바야시도시키 ,  스기야마마사키 ,  가토미츠오 ,  히로에아키히코 ,  오미다다히로 ,  히라야마마사키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32266

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method for feedback-controlling plasma processing apparatus are provided to supply uniformly the high frequency power to a susceptor. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus includes the process chamber, the susceptor(105), the feeding bar(B1,B2,B3), and the radio frequency power. The susceptor is prepared inside the process chamber. The processed article is mounted in a susceptor. The feeding bar is electrically connected to a susceptor in the power feed point. The radio frequency power is connected to the feeding bars. The radio frequency power supplies the high frequency power to a susceptor through the feeding bars.

Abstract translation: 目的：提供用于等离子体处理装置的反馈控制的等离子体处理装置和方法，以将高频功率均匀地提供给基座。 构成：等离子体处理装置包括处理室，基座（105），馈送杆（B1，B2，B3）和射频功率。 在处理室内制备感受体。 处理后的物品安装在基座上。 馈电棒电连接到馈电点中的基座。 射频功率连接到馈线。 射频电源通过馈线将高频电源提供给感受器。

公开(公告)号：KR1020090092720A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：KR1020090016233

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 히라야마마사키 ,  오미다다히로

IPC: H05H1/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32256 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32816 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4607

Abstract: A microwave plasma processing system and a method for using the same are provided to generate uniform plasma by using the symmetry of a dielectric substrate and uniformity of gas hole arrangement. In a microwave plasma processing system and a method for using the same, a microwave source is used in order to excite the plasma within a container. A conductive via transmits the supplied microwave from the micro wave source, and a plurality of dielectric plates(305) faces an internal side of the container. A dielectric plate is located to be adjacent to the conductor via, and a dielectric plate emits microwave to the inside of the container. A metal electrode(310) is surrounded by a lower-part of the dielectric plate, and 8 concave parts(305a) are at the spot symmetry around of the metal electrode.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理系统及其使用方法，以通过使用电介质基板的对称性和气孔布置的均匀性来产生均匀的等离子体。 在微波等离子体处理系统及其使用方法中，使用微波源来激发容器内的等离子体。 导电通孔从微波源传送提供的微波，并且多个电介质板（305）面向容器的内侧。 电介质板被定位成与导体通孔相邻，电介质板向容器的内部发射微波。 金属电极（310）由电介质板的下部包围，8个凹部（305a）位于金属电极的对称点。