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公开(公告)号：CN101499389A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810066047.2
申请日：2008-02-01
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/316 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J9/027 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3165 , H01J2329/0455 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端。
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公开(公告)号：CN101471212A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710125661.7
申请日：2007-12-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/13
CPC classification number: H01J1/14 , H01J2201/19 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种热发射电子器件，其包括：一绝缘基底；多个行电极引线与列电极引线分别平行且等间隔设置于绝缘基底上，该多个行电极引线与多个列电极引线相互交叉设置，每两个相邻的行电极引线与每两个相邻的列电极引线形成一个网格，且行电极引线与列电极引线之间电绝缘；多个热电子发射单元，每个热电子发射单元对应一个网格设置，每个热电子发射单元包括一第一电极、一第二电极和一热电子发射体，该第一电极与第二电极间隔设置于每个网格中，并分别与所述行电极引线和列电极引线电连接，所述热电子发射体与所述第一电极和第二电极电连接，所述热电子发射体为至少一根碳纳米管长线。
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公开(公告)号：CN100508101C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200410095058.5
申请日：2004-11-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 朴相铉
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J2201/30469
Abstract: 提供了一种形成碳纳米管发射器的方法和使用该碳纳米管发射器的FED的制造方法。形成碳纳米管发射器的方法包括：在其上形成有多个电极的衬底上形成碳纳米管层；在碳纳米管层上涂覆光致抗蚀剂；对光致抗蚀剂进行构图使得光致抗蚀剂只保留在电极上方；通过利用图案化的光致抗蚀剂作为蚀刻掩模进行蚀刻，来去除碳纳米管层的暴露部分；以及去除光致抗蚀剂图案并在电极上形成碳纳米管发射器。
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公开(公告)号：CN100505135C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610079489.1
申请日：2006-05-09
Applicant: 诺利塔克股份有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 一种制造电子发射源的方法包括第一至第三步骤。在第一步骤中，在反应炉中将由包含铁、镍、钴和铬中任一种的金属制成的阴极结构加热到第一温度，其中已经向所述反应炉中引入碳源气体，以通过化学气相沉积在阴极结构上形成多个第一碳纳米管。在第二步骤中，在阴极结构和/或多个第一碳纳米管上沉积充当阴极结构材料的金属，以形成催化剂金属层。在第三步骤中，在反应炉中将包括催化剂金属层的阴极结构加热到比第一温度高的第二温度，其中已经向反应炉中引入了碳源气体，以通过化学气相沉积在催化剂金属层上形成比第一碳纳米管细的多个第二碳纳米管。还公开了一种电子发射源。
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公开(公告)号：CN101427357A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200580021057.9
申请日：2005-06-28
Applicant: 毫微-专卖股份有限公司
IPC: H01L21/44
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明揭示了在一种材料的表面上形成另一种纳米尺寸材料的涂层的方法，该方法使用微机械加工喷珠机植入纳米颗粒。该方法可采用许多种目标材料、纳米颗粒(例如碳纳米管、CNT)和环境条件，使用许多种载体珠粒尺寸和材料，或者不使用载体珠粒。本发明所要求的植入法可用来制造用于场致发射装置的表面活化CNT阴极。该植入法还可用来使撞击点附近的任何材料互相发生化学反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101425438A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710124241.7
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜或者一碳纳米管丝；通过使用有机溶剂或者施加机械外力处理该碳纳米管薄膜或者碳纳米管丝得到一碳纳米管长线；将该碳纳米管长线通电流加热熔断，在熔断处形成多个场发射尖端；以及将该熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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公开(公告)号：CN100482579C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410051806.X
申请日：2004-10-06
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , B05D3/12 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及纳米材料，特别涉及一种碳纳米管阵列处理方法。本发明中，在基底上形成一碳纳米管阵列；通过预定图形的模压装置对所述碳纳米管阵列压印；取下模压装置，形成具有相应图形的碳纳米管阵列。该方法工艺简单、成本较低、有利于大批量生产。
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公开(公告)号：CN101290857A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200710074133.3
申请日：2007-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极，其包括一导电基底和一碳纳米管薄膜，其中，该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连且平行于导电基底设置，部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出。本发明还涉及一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底；提供至少一层碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括择优取向排列的多个碳纳米管束首尾相连，部分碳纳米管从该碳纳米管薄膜中突出；以及将上述碳纳米管薄膜粘附固定于上述导电基底形成场发射阴极。
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公开(公告)号：CN100428392C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200310124424.0
申请日：2001-08-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 塚本健夫
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射设备，包括：A)包含碳的纤维；和B)电极，用于控制从所述包含碳的纤维上的电极发射，其中所述包含碳的纤维具有多个分层的石墨，使得不平行于所述纤维的轴向。本发明的图像显示装置，包括多个电子发射设备和光发射部件。
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公开(公告)号：CN100411084C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN03155198.X
申请日：2003-08-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种平板显示设备，包括：第一基板、形成在第一基板上的电子发射装置、被设置在离开所述第一基板预定距离处并且与所述第一基板组成一个真空装置的第二基板、以及形成在第二基板上的发光装置，该发光装置被从电子发射装置中发射出来的电子点亮。该发光装置包括形成在第二基板面向第一基板的表面上的至少一个阳极电极、以预定样式形成在该至少一个阳极电极上的荧光层、以及在荧光层上由碳基材料形成的导电层。
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