반도체 공정에서 기판의 특정 위치에서의 엔드포인트 검출시스템

    公开(公告)号:KR1020180050865A

    公开(公告)日:2018-05-16

    申请号:KR1020160147413

    申请日:2016-11-07

    Applicant: 오재석

    Inventor: 오재석

    Abstract: 본발명은반도체공정에서기판의특정위치에서의엔드포인트를검출하는시스템에관한것이다. 본발명은반도체플라즈마식각또는클리닝공정의엔드포인트를검출하는시스템으로서, 공정가스를주입하여대상물에대한식각또는클리닝공정이이루어지는공정챔버, 공정챔버의뷰포트를통하여상기대상물의특정영역을확대하는줌 기능및 초점조절기능을가지고대상물의특정영역에서발생한광 데이터를수집하는광학유닛, 광학유닛으로부터광 데이터를받아분석하는분광기, 분광기의분석결과식각또는클리닝공정이엔드포인트에도달한경우식각또는클리닝공정을정지시키도록제어하는제어부, 공정챔버와광학유닛사이에개재되어대상물의특정영역을변경하여관찰할수 있도록상하좌우로각도조절이가능한틸팅유닛, 및광학유닛을통과한상기광 데이터를상기분광기에전달하는광 데이터전달유닛을포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 반도체식각또는클리닝공정에서특정위치에서의엔드포인트를감지할수 있다.

    광대역 필터를 이용한 분광 광도 측정 기술 및 장치

    公开(公告)号:KR101803250B1

    公开(公告)日:2017-11-30

    申请号:KR1020160007150

    申请日:2016-01-20

    Abstract: 특정파장을가지는복수의광을용이하게선택하고검출하기위해서, 입사한광을확산시키는수광부, 제 1 광대역필터쌍, 상기제 1 광대역필터쌍을통과한광을검출하는검출기를포함하고, 제 1 광대역필터쌍은, 광의입사방향에대해제 1 각도를갖도록배치되어, 입사하는광에대하여제 1 파장대역을통과시키는제 1 광대역필터, 광의입사방향에대해제 1 각도와는상이한제 2 각도를갖도록배치되어, 제 1 광대역필터를통과한광에대하여제 2 파장대역을통과시키는제 2 광대역필터, 제 2 광대역필터를통과한광의경로를상기제 1 광대역필터에입사하는광의경로와같아지도록조정하는제 1 경로보상수단을포함하고, 제 1 광대역필터, 제 2 광대역필터및 제 1 경로보상수단은광의입사방향에대해직렬적으로배치되는것을특징으로하는, 분광광도장치가제공된다. 이에따라, 입사대비출력광의효율을증가시키면서, 필요로하는특정파장을가지는복수의광을동시에검출할수 있다.

    플라즈마 처리 장비에서의 내부 표면 컨디셔닝 평가를 위한 시스템들 및 방법들
    345.
    发明公开
    플라즈마 처리 장비에서의 내부 표면 컨디셔닝 평가를 위한 시스템들 및 방법들 审中-实审
    用于等离子处理设备内部表面处理评估的系统和方法

    公开(公告)号:KR1020170070120A

    公开(公告)日:2017-06-21

    申请号:KR1020177012596

    申请日:2015-09-23

    Abstract: 실시예에서, 플라즈마소스는내부의제1 천공들을통해하나이상의플라즈마소스가스를이송하도록구성된제1 전극; 제1 전극의주변부주위에서제1 전극과접촉하여배치된절연체; 제2 전극 - 제2 전극은, 제1 전극, 제2 전극및 절연체가플라즈마발생공동을정의하도록제2 전극의주변부가절연체에맞닿은상태로배치됨 - 을포함한다. 제2 전극은플라즈마발생공동으로부터제2 전극을통해프로세스챔버를향하여플라즈마생성물들을이동시키도록구성된다. 플라즈마생성물들을생성하기위해플라즈마발생공동내에서하나이상의플라즈마소스가스로플라즈마를점화시키도록전력공급부가제1 전극및 제2 전극에걸쳐전기전력을제공한다. 제1 전극, 제2 전극및 절연체중 하나는플라즈마로부터의광학신호를제공하는포트를포함한다.

    Abstract translation: 在一个实施例中,等离子体源包括:第一电极,其被配置为通过第一内部穿孔输送一种或多种等离子体源气体; 绝缘体,所述绝缘体被布置为围绕所述第一电极的外围与所述第一电极接触; 第二电极 - 第二电极包括第一电极,第二电极和第二电极的外围部分,使得绝缘体限定等离子体生成腔。 第二电极被配置为通过第二电极将等离子体产物从等离子体生成腔移向处理室。 电源在第一电极和第二电极上提供电力以利用等离子体产生腔内的至少一个等离子体源气体点燃等离子体以产生等离子体产物。 第一电极,第二电极和绝缘体中的一个包括用于从等离子体提供光信号的端口。

    가스 분석 장치
    346.
    发明公开
    가스 분석 장치 审中-实审
    气体分析仪

    公开(公告)号:KR1020170048198A

    公开(公告)日:2017-05-08

    申请号:KR1020160138200

    申请日:2016-10-24

    Inventor: 이도다쿠야

    Abstract: 측정광의흡광을이용하여, 정밀도좋게대상가스를분석한다. 가스분석장치(100)는, 복수의광원(1-1, 1-2, … 1-n)과, 도입부(5)와, 수광부(7)와, 분석부(94)를구비한다. 복수의광원(1-1, 1-2, … 1-n)의각각은, 측정광(Lm1, Lm2, … Lmn)을동시에출력한다. 도입부(5)는, 복수의측정광(Lm1, Lm2, … Lmn)을측정공간(S)으로도입한다. 수광부(7)는, 합계강도(Im)를측정한다. 분석부(94)는, 복수의대상가스의어느하나가존재하는측정공간(S)을통과했을때에수광부(7)에서측정되는합계강도(Im)인측정대상강도(Id)와, 복수의대상가스의모두가존재하지않는측정공간(S)을통과했을때에수광부(7)에서측정되는합계강도(Im)인기준강도(Id)의차에기초하여, 대상가스의분석을행한다.

    Abstract translation: 利用测量光的吸收,可以高精度分析目标气体。 气体分析仪100包括多个光源1-1至1-2以及引入单元5和光接收单元7以及分析单元94。 多个光源1-1,1-2,...,1-n中的每一个同时输出测量光Lm1,Lm2,...,Lmn。 引入部分5将多个测量光Lm1,Lm2,...,Lmn引入到测量空间S中。 光接收部分7测量总强度Im。 分析部分94分析当通过存在多个目标气体之一的测量空间S时由光接收部分7测量的总强度Im的测量对象Id的强度, 当气体通过其中不存在全部气体的测量空间S时,基于在光接收部分7处测量的流行强度(Id)的总强度(Im)的差异来分析目标气体。

    현미 분광 장치
    348.
    发明公开
    현미 분광 장치 审中-实审
    包括光学纤维和光谱的微结构

    公开(公告)号:KR1020170026196A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:KR1020160107484

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 보다우수한현미분광장치를제공한다. 현미분광장치는, 광원과, 상기광원으로부터의광을받는복수의투광파이버와, 분광기와, 받은광을상기분광기로유도하기위한복수의수광파이버와, 상기복수의투광파이버로부터의복수의광속을각각집광하여시료에조사하고, 상기시료에있어서의복수의집광점으로부터의복수의광속을상기복수의수광파이버에각각결상하기위한공초점광학계를구비한다.

    Abstract translation: 显微光谱仪(101)包括:光源(11,17); 多个从所述光源(11,17)接收光的投光光纤(12); 分光仪(1); 多个光接收光纤(22),用于将接收到的光引导到所述分光器(1); 以及共焦光学系统(5),用于使来自所述多个投光光纤(12)的多个光束中的每一个被聚集并照射到样本上,并且从多个聚光点形成多个光束的图像 分别在多个受光光纤(22)上。

Patent Agency Ranking