热敏头
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109383133A

    公开(公告)日:2019-02-26

    申请号:CN201810890851.6

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 本发明提供一种简化了形成配线所需的工序的热敏头。该热敏头具备:公共电极,其具有沿着副扫描方向延伸的多个第一延伸部,且在绝缘基板上沿着主扫描方向形成;多个独立电极,其在绝缘基板上沿着主扫描方向形成,在一端设有位于两个第一延伸部之间且沿着副扫描方向延伸的第二延伸部,且在另一端设有第一焊盘;发热体,其在多个第一延伸部及多个第二延伸部的上层呈带状形成;以及保护膜,其覆盖包括公共电极中的至少多个第一延伸部的第一区域和包括多个独立电极中的至少多个第二延伸部且除了多个第一焊盘的第二区域,就公共电极中的至少多个第一延伸部及多个独立电极而言,至少被保护膜覆盖的位置构成为由包含银的材料形成的单层。

    半导体装置
    36.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118216001A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202280073505.3

    申请日:2022-09-05

    Inventor: 铃木敬史

    Abstract: 半导体装置1具有芯片焊盘5、6、半导体晶片2、3以及密封它们的绝缘体部28。半导体晶片2具有形成于正面侧的源电极2S和形成于背面侧的漏电极2D,以漏电极2D和芯片焊盘5相向的方向搭载于芯片焊盘5上。半导体晶片3具有形成于正面侧的源电极3S和形成于背面侧的漏电极3D,以源电极3S和芯片焊盘6相向的方向搭载于芯片焊盘6上。而且,在绝缘体部28内形成有布线26DS,其将半导体晶片2的源电极2S和半导体晶片3的漏电极3D电连接。

    半导体装置及其制造方法
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117121201A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202280027220.6

    申请日:2022-02-14

    Abstract: 本发明使半导体装置的性能提高。半导体装置(1)具备由导电材料构成的芯片焊盘(2a)、在芯片焊盘(2a)的上表面上设置的半导体芯片(CH1)、以及半导体芯片(CH3)。半导体芯片(CH1)具有栅极焊盘电极(GP1)及漏极焊盘电极(DP1),半导体芯片(CH3)具有焊盘电极(AP1)。在栅极焊盘电极(GP1)及焊盘电极(AP1)各自的上表面上,以电连接于栅极焊盘电极(GP1)及焊盘电极(AP1)的方式设有导电层(3)。通过树脂层(5)以使得导电层(3)的上表面及芯片焊盘(2a)的下表面暴露的方式,将芯片焊盘(2a)、半导体芯片(CH1)、半导体芯片(CH3)及导电层(3)密封。在两个导电层(3)的上表面上设有具备一个以上的无源元件的无源元件部件(7)。

    半导体装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN116235295A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202180064367.8

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明的课题为制造一种适合高频收发的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法具备以下步骤:通过电镀在基板的第一面形成第一导电部;形成第一绝缘膜,该第一绝缘膜覆盖第一导电部及基板的第一面;在第一绝缘膜的一部分形成使第一导电部的一部分露出的开口;将第一导电部作为电极来进行电镀,在开口的内部形成导电栓;形成第二导电部,该第二导电部与导电栓的相反侧的端部电连接;与第二导电部电连接而配置半导体元件;利用密封材料密封半导体元件及第二导电部的至少一部分;以及将第一导电部、第一绝缘膜、导电栓、第二导电部、半导体元件、以及密封材料一体地从基板剥离。

    热敏头
    39.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109383133B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201810890851.6

    申请日:2018-08-07

    Abstract: 本发明提供一种简化了形成配线所需的工序的热敏头。该热敏头具备:公共电极,其具有沿着副扫描方向延伸的多个第一延伸部,且在绝缘基板上沿着主扫描方向形成;多个独立电极,其在绝缘基板上沿着主扫描方向形成,在一端设有位于两个第一延伸部之间且沿着副扫描方向延伸的第二延伸部,且在另一端设有第一焊盘;发热体,其在多个第一延伸部及多个第二延伸部的上层呈带状形成;以及保护膜,其覆盖包括公共电极中的至少多个第一延伸部的第一区域和包括多个独立电极中的至少多个第二延伸部且除了多个第一焊盘的第二区域,就公共电极中的至少多个第一延伸部及多个独立电极而言,至少被保护膜覆盖的位置构成为由包含银的材料形成的单层。

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