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公开(公告)号：TW202004386A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108109744
申请日：2019-03-21
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 寧 幸 福 , NINH, HONG,PHUC , 牧野勉 , MAKINO, TSUTOMU
Abstract: 絕緣系統之範例包括數位隔離器，用於在其輸入側接收第一電源供應器的供應，以及在其輸出側接收第二電源供應器的供應；絕緣系統之範例亦包括輸出調整單元，用於接收第二電源供應器的供應、並在當第二電源供應器的電壓大於預定電壓時，直接輸出數位隔離器的輸出、以及在當第二電源供應器的電壓小於或等於預定電壓時，無論數位隔離器的輸出為何皆停止資料輸出。
Abstract in simplified Chinese: 绝缘系统之范例包括数码隔离器，用于在其输入侧接收第一电源供应器的供应，以及在其输出侧接收第二电源供应器的供应；绝缘系统之范例亦包括输出调整单元，用于接收第二电源供应器的供应、并在当第二电源供应器的电压大于预定电压时，直接输出数码隔离器的输出、以及在当第二电源供应器的电压小于或等于预定电压时，无论数码隔离器的输出为何皆停止数据输出。
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公开(公告)号：TW201947059A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114718
申请日：2019-04-26
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 湯福 , TANG, FU , 羅伊 黛芬妮 , LONGRIE, DELPHINE , 徐鵬富 , HSU, PENG-FU
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/283
Abstract: 揭露一種藉由循環沉積於基板上沉積氧化物膜之方法。該方法可包含：利用該循環沉積製程之第一子循環的至少一沉積循環，將金屬氧化物膜沉積於基板上；以及利用該循環沉積製程之第二子循環的至少一沉積循環，將氧化矽膜直接沉積於該金屬氧化物膜上。此外亦揭露半導體裝置結構，其包含有本發明方法沉積而成之氧化物膜。
Abstract in simplified Chinese: 揭露一种借由循环沉积于基板上沉积氧化物膜之方法。该方法可包含：利用该循环沉积制程之第一子循环的至少一沉积循环，将金属氧化物膜沉积于基板上；以及利用该循环沉积制程之第二子循环的至少一沉积循环，将氧化硅膜直接沉积于该金属氧化物膜上。此外亦揭露半导体设备结构，其包含有本发明方法沉积而成之氧化物膜。
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公开(公告)号：TWI666336B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW105103434
申请日：2016-02-03
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 賀加 蘇維 P. , HAUKKA, SUVI P. , 多益斯 艾娃 , TOIS, EVA
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公开(公告)号：TW201920757A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108102215
申请日：2014-03-07
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 尼斯卡嫩 安提 J. , NISKANEN, ANTTI J. , 陳尚 , CHEN, SHANG , 波爾 維爾傑米 , PORE, VILJAMI
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/34
Abstract: 提供用於藉由電漿加強原子層沉積（PEALD）來沉積氮化矽膜的製程。在一些實施例中，矽前驅物包括碘配位體。所述氮化矽膜在沉積至諸如FinFET或其他類型的多閘極FET的三維結構上時針對垂直部分與水平部分兩者具有相對均勻的蝕刻速率。在一些實施例中，本揭露的各種氮化矽膜針對稀釋的HF（0.5%）具有小於熱氧化物移除速率的一半的蝕刻速率。
Abstract in simplified Chinese: 提供用于借由等离子加强原子层沉积（PEALD）来沉积氮化硅膜的制程。在一些实施例中，硅前驱物包括碘配位体。所述氮化硅膜在沉积至诸如FinFET或其他类型的多闸极FET的三维结构上时针对垂直部分与水平部分两者具有相对均匀的蚀刻速率。在一些实施例中，本揭露的各种氮化硅膜针对稀释的HF（0.5%）具有小于热氧化物移除速率的一半的蚀刻速率。
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公开(公告)号：TW201910547A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107125586
申请日：2018-07-25
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 李主日 , LEE, JU IL , 金熙哲 , KIM, HIE CHUL , 金大淵 , KIM, DAE YOUN
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本發明提供一種基底處理裝置，所述基底處理裝置能夠防止頂蓋通過基底處理裝置的自身重量及/或由真空泵產生的真空吸引力及/或高溫過程下的熱衝擊而在包含多個反應器的腔室中向下方下垂。並且，提供一種用於在多個反應器之間傳遞基底的旋轉軸。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基底处理设备，所述基底处理设备能够防止顶盖通过基底处理设备的自身重量及/或由真空泵产生的真空吸引力及/或高温过程下的热冲击而在包含多个反应器的腔室中向下方下垂。并且，提供一种用于在多个反应器之间传递基底的旋转轴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201839848A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107112951
申请日：2018-04-17
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 金永勳 , KIM, YOUNG HOON , 韓鎔圭 , HAN, YONG GYU , 金大淵 , KIM, DAE YOUN , 柳太熙 , YOO, TAE HEE , 林完奎 , LIM, WAN GYU , 劉陳根 , YU, JIN GEUN
IPC: H01L21/3065 , H05H1/42
Abstract: 本發明提供一種在半導體基板的圖案結構上沉積薄膜的方法，方法包含（a）供應源氣體；（b）供應反應氣體；以及（c）供應電漿，其中步驟（a）、步驟（b）以及步驟（c）在反應空間內的半導體基板上依序重複，直到獲得所要厚度為止，且等電漿的頻率為60百萬赫茲或更高的高頻。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种在半导体基板的图案结构上沉积薄膜的方法，方法包含（a）供应源气体；（b）供应反应气体；以及（c）供应等离子，其中步骤（a）、步骤（b）以及步骤（c）在反应空间内的半导体基板上依序重复，直到获得所要厚度为止，且等等离子的频率为60百万赫兹或更高的高频。
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公开(公告)号：TW201724396A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105120863
申请日：2016-07-01
Applicant: ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 懷特 卡耳路易士 , WHITE, CARL LOUIS , 杉古 詹凱文 , SHUGRUE, JOHN KEVIN
IPC: H01L23/34 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4404 , C25D11/04 , C25D11/16
Abstract: 本發明提供與反應槽室組件的表面相關的裝置及方法。表面可以被粗糙化及/或陽極處理，以提供所期望的散熱度及孔隙率以幫助減少反應槽室的預燒時間並幫助減少槽室內的顆粒。該裝置及方法可適用於沉積薄膜在半導體或其它基板上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供与反应槽室组件的表面相关的设备及方法。表面可以被粗糙化及/或阳极处理，以提供所期望的散热度及孔隙率以帮助减少反应槽室的预烧时间并帮助减少槽室内的颗粒。该设备及方法可适用于沉积薄膜在半导体或其它基板上。
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公开(公告)号：TW201724394A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105117112
申请日：2016-06-01
Applicant: ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 托爾 約翰 , TOLLE, JOHN , 希爾 埃里克 , HILL, ERIC
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C14/021 , C23C14/50 , C23C16/0209 , C23C16/0218 , C23C16/458 , C23C16/4582 , C23C16/46 , H05B3/26 , H05B6/105
Abstract: 本發明提供了一種反應器系統及相關方法，其包括晶片托盤中的加熱元件。加熱元件用於加熱晶片托盤及位於反應槽室組件內的晶片托盤上的基板或晶片，以及用於引起晶片的自然氧化物之昇華。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种反应器系统及相关方法，其包括芯片托盘中的加热组件。加热组件用于加热芯片托盘及位于反应槽室组件内的芯片托盘上的基板或芯片，以及用于引起芯片的自然氧化物之升华。
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公开(公告)号：TW201627522A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104138865
申请日：2015-11-24
Applicant: ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 宗補羅度 伯特 , JONGBLOED, BERT , 皮耶賀 迪特爾 , PIERREUX, DIETER , 納盆 維爾納 , KNAEPEN, WERNER
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/0228
Abstract: 本發明揭露一種用於沈積氮氧化鋁（AlON）的製程。所述製程包括使基板作為對象以時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物以在所述基板上形成含鋁及含氮化合物。所述含鋁及含氮化合物隨後暴露至氧前驅物以形成AlON。在時間上分離地暴露於鋁前驅物及氮前驅物，以及後續暴露於氧前驅物一起構成AlON沈積循環。可執行多個AlON沈積循環以沈積具有所要厚度的AlON薄膜。所述沈積可在批次處理腔室中執行，所述批次處理腔室可容納25或多於25個基板的批次。所述沈積可在不暴露至電漿的情況下執行。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种用于沉积氮氧化铝（AlON）的制程。所述制程包括使基板作为对象以时间上分离地暴露于铝前驱物及氮前驱物以在所述基板上形成含铝及含氮化合物。所述含铝及含氮化合物随后暴露至氧前驱物以形成AlON。在时间上分离地暴露于铝前驱物及氮前驱物，以及后续暴露于氧前驱物一起构成AlON沉积循环。可运行多个AlON沉积循环以沉积具有所要厚度的AlON薄膜。所述沉积可在批次处理腔室中运行，所述批次处理腔室可容纳25或多于25个基板的批次。所述沉积可在不暴露至等离子的情况下运行。
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公开(公告)号：TW202030351A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109102098
申请日：2020-01-21
Applicant: 荷蘭商ASM IP私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 財津優 , ZAITSU, MASARU , 深澤篤毅 , FUKAZAWA, ATSUKI
IPC: C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/316
Abstract: 一種用於形成一介電膜之方法，該介電膜含有一Si-O鍵形成於一基板之一上部表面中的一溝槽，該方法包括：藉由相對於得出一最終介電膜之一初始介電膜的一非目標部分，預選擇欲選擇性移除的一目標部分來設計形成在該溝槽中之含有一Si-O鍵之該最終介電膜的一拓樸；在該上部表面上及該溝槽中共形地沉積該初始介電膜；及相對於該初始介電膜之該非目標部分中所含的一雜質量相對地增加該初始介電膜之該目標部分中所含的一雜質量，以得到一經處理介電膜，從而提供該目標部分及該非目標部分遭受蝕刻時之不同的抗化學性質。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于形成一介电膜之方法，该介电膜含有一Si-O键形成于一基板之一上部表面中的一沟槽，该方法包括：借由相对于得出一最终介电膜之一初始介电膜的一非目标部分，预选择欲选择性移除的一目标部分来设计形成在该沟槽中之含有一Si-O键之该最终介电膜的一拓朴；在该上部表面上及该沟槽中共形地沉积该初始介电膜；及相对于该初始介电膜之该非目标部分中所含的一杂质量相对地增加该初始介电膜之该目标部分中所含的一杂质量，以得到一经处理介电膜，从而提供该目标部分及该非目标部分遭受蚀刻时之不同的抗化学性质。
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