公开(公告)号：CN1459017A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN02800595.3

申请日：2002-03-08

Applicant: ASML美国公司

Inventor： 科尔·波特 ,  艾伦·斯塔纳

IPC: F27D11/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  F27B17/0025 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  F27D2019/0003

Abstract: 提供了通过限制作为变量的当前值函数的斜率而尽可能降低与变量斜率相关的应力的一种系统和方法。更具体来说，本发明提供了通过在处理期间动态控制温度斜率，把半导体基片或其它被加热物体的径向增量温度保持在晶体滑动曲线以下的系统和方法。

公开(公告)号：CN1453643A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03122236.6

申请日：2003-04-23

Applicant: ASML美国公司

Inventor： 斯科特·D·考斯顿 ,  詹姆斯·G·查考耶尼斯

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70091 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70625

Abstract: 一种在光刻装置中控制线宽变化的系统和方法。照射源发出电磁能量并穿过照射光学组件。照射光学组件包括具有第一和第二光学元件的部分相干性调节组件。第一光学元件，以预定的方式改变入射的电磁能的部分相干性，以补偿水平和垂直线偏移，第二光学元件，改变入射到所述第一光学元件上的电磁能的角分布。使用这两个光学元件一起根据照射场位置改变照射源发出的电磁能的部分相干性，并改善了线宽控制。调节第二光学元件允许校正与时间相关的线宽变化。

公开(公告)号：CN1374474A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02106830.5

申请日：2002-03-05

Applicant: ASML美国公司

Inventor： 南·V·恩古云

IPC: F16L41/00

CPC classification number: F16K27/003 ,  Y10T137/87249 ,  Y10T137/87885

Abstract: 一种用于将流体输送给一个或多个流体处理部件的流体输送装置。该流体输送装置包括一个或多个模块式子组件,各子组件包括一个上部模块、一个下部模块和一个基座块。该上部模块包括一个用于与流体处理部件连接的通道,这样,该上部通道与流体处理部件流体连通。该下部模块包括一个用于与上部模块连接的下部通道,这样,该下部通道与上部通道流体连通。该下部模块包括流动通路,该流动通路包括下部通道。该基座块包括一个容器和一个通路。该上部模块装于该容器内,该下部模块穿过该通路。该模块式子组件可以包括一个隔板,该隔板有多个对齐孔,以便使上部模块和下部模块的流体连接孔对齐。还公开了一种使用该流体输送装置的方法。