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公开(公告)号：CN101251719B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710162430.3
申请日：2002-10-03
Applicant: ASML美国公司
Inventor： A·源
IPC: G03F7/30 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6708 , B05B12/1472 , B05C5/027 , B05C11/08 , H01L21/67051
Abstract: 本发明涉及一种通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法。所述方法包括以下步骤：在基板位于其内的显影剂流体模块内设置层流气流场；在聚合物层的表面上的多个位置处将一定量的显影剂流体施加到基板上的聚合物层上；使至少一部分聚合物层显影；然后允许至少一部分所述一定量的显影剂流体停留在所述聚合物上，从而可控制地使pH值的随后突变最小化；以及然后利用一定量的另一流体冲洗所述聚合物。
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公开(公告)号：CN1307485C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN03122236.6
申请日：2003-04-23
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 斯科特·D·考斯顿 , 詹姆斯·G·查考耶尼斯
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 一种在光刻装置中控制线宽变化的系统和方法。照射源发出电磁能量并穿过照射光学组件。照射光学组件包括具有第一和第二光学元件的部分相干性调节组件。第一光学元件，以预定的方式改变入射的电磁能的部分相干性，以补偿水平和垂直线偏移，第二光学元件，改变入射到所述第一光学元件上的电磁能的角分布。使用这两个光学元件一起根据照射场位置改变照射源发出的电磁能的部分相干性，并改善了线宽控制。调节第二光学元件允许校正与时间相关的线宽变化。
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公开(公告)号：CN1288505C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN03122237.4
申请日：2003-04-23
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 詹姆斯·G·查考耶尼斯 , 斯科特·D·考斯顿
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70091
Abstract: 电磁能量从光刻装置的照明光源发射。发射的电磁能量的一部分，通过照明光学模块。照明光学模块包括具有光瞳平面的一维光学变换单元。有可调整孔径的孔径装置，位置邻近于该光瞳平面，使该一维光学变换单元接收的一部分电磁能量，通过孔径装置的孔径。用该孔径装置把通过照明光学模块的电磁能量角分布，作为照明场位置的函数而调整，从而改善光刻装置中的线宽控制。
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公开(公告)号：CN1460130A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN00816928.4
申请日：2000-11-17
IPC: C23C16/00 , C23F1/02 , H01L21/31 , H01L21/469
CPC classification number: C23C16/448 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01J37/32596 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3146 , H01L21/31604
Abstract: 提供了一种在衬底表面上沉积介电膜的系统和方法，所述系统具有一个带有用于支撑衬底的衬底支架的处理室和一个或多个用于将气体送入处理室的气体入口，提供了在所述处理室内确定第一个等离子体区的第一个等离子体源，而且，还提供了在所述处理室内确定第二个等离子体区的第二个等离子体源。气体分别在所述第一个和第二个等离子体区发生不同程度的离子化，而且，这些分别离子化的气体发生反应，在衬底表面上形成介电膜。
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公开(公告)号：CN1445610A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02154739.4
申请日：2002-10-18
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 马克·奥斯卡特斯基 , 莱弗·莱泽科弗 , 斯考特·考斯顿 , 詹姆斯·特萨考耶尼斯 , 彼得·J·鲍姆加特纳 , 沃尔特·奥古斯汀
CPC classification number: G03F7/70158 , G03F7/70183
Abstract: 本发明涉及照明系统，其包括一照明光源、一设置在照明光源光路中的光束调节器、一第一衍射阵列、一聚光系统和一第二衍射阵列。照明光源发出的光经过光束调节器射到第一衍射阵列。然后，该光射到设置在第一衍射阵列和第二衍射阵列之间的光路中的聚光系统，该聚光系统包括多个固定光学元件和多个可移动光学元件。多个可移动光学元件设置在具有多个固定光学元件的光路中。可移动光学元件能在多个固定光学元件之间平移，以缩放从第一衍射阵列接收到的光。第二衍射阵列与聚光系统光学耦合，从聚光系统接收光，依次在光网上产生照明区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1434319A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02160297.2
申请日：2002-10-18
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 詹姆斯·特萨考耶尼斯 , 沃尔特·奥古斯汀
CPC classification number: G03F7/70583
Abstract: 本发明涉及一种激光束扩束用的方法和系统。一种照明系统包括一水平反射的多路复用器和一垂直反射的多路复用器。该水平反射的多路复用器沿着第一尺寸复制该输入光束，从而形成第一多路复用光束。该垂直反射的多路复用器沿第二尺寸复制该第一多路复用光束，从而形成第二多路复用光束。在一个例子中，该水平反射的多路复用器包括一第一分束器、第二分束器和反射镜。该垂直反射的多路复用器包括一分束器和反射镜。
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公开(公告)号：CN1424429A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160621.8
申请日：2002-11-01
Applicant: ASML美国公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/045 , C23C16/4412 , C23C16/45595 , C23C16/54
Abstract: 一种用于化学气相沉积的方法和系统，其中通过延长反应气体在反应区域的停留时间来形成优先沉积化学物质。这些优先沉积物质在半导体晶片上的和/或其它CDV基材上的沟槽的侧边和底部沉积更快，从而促进更均匀的膜的形成，这将消除昂贵的后加工步骤如反作用掩膜。
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公开(公告)号：CN1420978A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN00812823.5
申请日：2000-08-11
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 克里斯托弗·T·拉特利夫 , 杰弗里·M·科瓦尔斯基 , 邱泰青
IPC: F27B5/14
CPC classification number: C23C16/463 , C23C16/455 , C23C16/4584 , C30B25/10 , C30B25/14 , F27B5/14 , F27B2005/161 , F27D1/1858 , F27D2003/0075 , H01L21/67109
Abstract: 公开了一种用于热处理晶片(28)的装置。此装置包括具有热源(20)的加热室(18)。冷却室(32)邻近加热室设置，并包括冷却源(40)。晶片保持器(38)设置成可经过通道(54)在冷却室与加热室之间运动，而一个或多个闸门(52)限定了通道的尺寸。此一个或多个闸门可在其开启和遮挡位置之间运动，在其开启位置时，晶片保持器可通过通道，在其遮挡位置时，限定了一个通道，此通道小于当闸门处于开启位置所限定的通道。
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公开(公告)号：CN1397662A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02141805.5
申请日：2002-07-15
Applicant: ASML美国公司
IPC: C23C16/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45514 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45519 , C23C16/45563 , C23C16/45572 , C23C16/45578
Abstract: 一种用于输送气体到基片上的喷射器和排气装置，它包括：至少两个彼此相邻且间隔设置以在其间形成至少一个排放通道的喷射器；和一个用于固定至少两个喷射器的安装板，其中至少两个喷射器中的每一个可单独安装到安装板或从安装板拆下，且安装板带有与至少一个排放通道连通的至少一个排放槽。排气装置固定到安装板以从喷射器排放气体。
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公开(公告)号：CN1372175A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02108085.2
申请日：2002-02-06
Applicant: ASML美国公司
Inventor： 艾伦·L.·斯塔纳
CPC classification number: H05B1/0233 , G05D23/1935 , H01L21/67248
Abstract: 本发明提供了一种惯性温度控制系统和方法,用于使坯体温度在两个温度之间变化,从而平滑地到达结束温度,而基本上没有温度过调节或振荡。将设置点温度输入给温度控制算法,该设置点温度以物理上可达到的速率加速或减速。
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