公开(公告)号：JP5719850B2

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：JP2012538879

申请日：2010-11-09

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ,  KLA−TENCOR CORPORATION

Inventor： ビアフォア・ジョン・ジェイ ,  スミス・マーク・ディー ,  グレーブス・ジョン・エス ,  ブランケンシップ・デビッド

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G06F19/702 ,  G03F7/0045

公开(公告)号：JP5701602B2

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：JP2010519994

申请日：2008-08-11

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーション ,  KLA−TENCOR CORPORATION

Inventor： カドクリー・アズミ ,  ビエラク・スティーブン ,  バエズ−イラバニ・メヘディ

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01N21/9501

公开(公告)号：JP5602146B2

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：JP2011539666

申请日：2009-12-02

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： パク・パトリック・タン−シン ,  キア・ウィー−テック ,  チン・アーロン・ゲードン ,  マーリク・イルファン ,  ダフィー・ブライアン

IPC: G03F1/86

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N2021/95676 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

公开(公告)号：JP5583766B2

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：JP2012518552

申请日：2010-06-23

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： ユエ・パトリック ,  ダフィー・ブライアン ,  プリハル・マーティン ,  トラウッシュ・トーマス ,  マハー・クリス

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  G01N23/225

CPC classification number: G01R31/2656 ,  G01R31/2894 ,  G05B19/41875 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2014140058A

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：JP2014040657

申请日：2014-03-03

Applicant: Kla-Tencor Corp ,  ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： PAVEL IZIKSON ,  JOHN ROBINSON ,  MIKE ADEL ,  AMIR WIDMANN ,  CHOI DONGSUB ,  ANAT MARCHELLI

IPC: H01L21/66 ,  G05B19/418 ,  G05B23/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: G05B21/02 ,  G03F7/70508 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide various methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurement are performed on wafers.SOLUTION: The measurement is performed at all measurement spots on all of the wafers in at least one lot. An optimal sampling scheme, an enhanced sampling scheme, a reduced sampling scheme, and thresholds are determined for the dynamic sampling scheme for the process on the basis of results of the measurement. The thresholds correspond to values of the measurement at which the optimal sampling scheme, the enhanced sampling scheme, and the reduced sampling scheme for the measurement are to be used for the process.

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于在晶片上进行测量的过程中创建或执行动态采样方案的各种方法和系统。解决方案：测量在至少一个批次中的所有晶片上的所有测量点进行 。 基于测量结果为过程的动态采样方案确定最佳采样方案，增强采样方案，降低采样方案和阈值。 阈值对应于将用于该过程的最佳采样方案，增强采样方案和用于测量的简化采样方案的测量值。

公开(公告)号：JP5518712B2

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：JP2010524232

申请日：2008-09-08

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： ニールセン・ヘンリック・ケー． ,  ジョージェスコ・ダン・ジー．

IPC: H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC classification number: H05K1/183 ,  H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L24/49 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/141 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10727 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：JP2012533756A

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：JP2012521696

申请日：2010-07-16

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： チャオ・グオヘン ,  バエズ−イラバニ・メヘディ ,  ヤング・スコット ,  バスカー・クリス

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/8806 ,  G01N2021/8822

Abstract: 【解決手段】サンプル表面の粗度によるスペックルノイズを最小限に抑える暗視野検査システムは、ウェハ上に合成集束照射線を生成するための、複数のビーム成形経路を含み得る。 各ビーム成形経路は、傾斜角でウェハを照射することができる。 複数のビーム成形経路は、リング状照射を形成することができる。 このリング状照射は、スペックルの影響を低減することにより、ＳＮＲを改善することができる。 対物レンズは、ウェハからの散乱光を捕捉することができ、画像センサーは、対物レンズの出力を受け取ることができる。 ウェハの照射が傾斜角で実施されるため、対物レンズは高いＮＡを有し得、このことによって、画像センサーの光学解像度、および結果的に得られる信号レベルが改善される。
【選択図】図１Ａ

公开(公告)号：JP2012533737A

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：JP2012520785

申请日：2010-07-15

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： ラング・スティーブン・アール． ,  デューラント・ステファーノ ,  カーク・グレゴリー ,  ダネン・ロバート・エム． ,  アジ・プラシャント

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01N21/95607 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/31504

Abstract: ウェーハ欠陥検査のための方法は、検査ターゲットを提供することと、検査ターゲットに少なくとも１つの欠陥検査強化を加えることと、少なくとも１つの検査強化を含む検査ターゲットを照射して検査ターゲットの１つまたは複数の特徴と関連づけられた１つまたは複数の検査信号を生成することと、検査信号を検出することと、検査信号から１つまたは複数の検査パラメータを生成することとを含み得るが、これらに限定されない。 検査ターゲットは、少なくとも１つの検査層および少なくとも１つの検査強化層を含むが、これに限定されない。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2012529182A

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：JP2012514021

申请日：2010-05-28

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： ブラウン・デビッド・エル．

IPC: H01L27/146 ,  G02B1/11 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02161 ,  G02B1/115 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/50

Abstract: A sensor for capturing light at the ultraviolet (UV) or the deep UV wavelength includes a multi-layer anti-reflective coating (ARC). In a two-layer ARC, the first layer is formed on either the substrate or the circuitry layer, and the second layer is formed on the first layer and receives the light as an incident light beam. Notably, the first layer is at least twice as thick as the second layer, thereby minimizing an electrical field at a substrate surface due to charge trapping in the ARC. In a four-layer ARC, the third layer is formed on the second layer and the fourth layer is formed on the third layer. The first and third layers may be formed from the same material, and the second and fourth layers may be formed from materials having same/similar indexes of refraction. In this case, the first layer is at least twice as thick as any of the second, third, or fourth layers.

公开(公告)号：JP2012515925A

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：JP2011548106

申请日：2010-01-21

Applicant: ケーエルエー−テンカー・コーポレーションKla−Tencor Corporation

Inventor： チュアン・ユン−ホ ,  ブラウン・デビッド・エル．

IPC: G01N21/956 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225 ,  H04N5/372

CPC classification number: H04N7/18 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8887 ,  G01N2021/95676 ,  H04N5/3694 ,  H04N5/372

Abstract: 【解決手段】ウェーハ／マスク／レチクルの表面を検査するための検査システムは、モジュラーアレイを含み得る。 モジュラーアレイは、複数の時間遅延積分（ＴＤＩ）センサーモジュールを含み得る。 各ＴＤＩセンサーモジュールは、ＴＤＩセンサーと、ＴＤＩセンサーの駆動および処理を行うための複数の局所回路とを有する。 局所回路のうち少なくとも１つは、ＴＤＩセンサーと関連付けられたクロックを制御し得る。 少なくとも１つのライトパイプを用いて、複数のＴＤＩセンサーモジュールに照明源を分配することができる。 複数のＴＤＩセンサーモジュールは、同一検査領域または異なる検査領域を取り込むように配置され得る。 複数のＴＤＩセンサーモジュールは、同一であってもよいし異なる積分段に対して設けられてもよい。 モジュールの間隔は、１回の通過で検査領域の１００％を網羅する処理範囲に対応できるように設定することもできるし、あるいは、処理範囲全体を網羅するのに２回以上の通過が必要となる部分的処理範囲に対応できるように設定することもできる。
【選択図】図４