公开(公告)号：TW201308443A

公开(公告)日：2013-02-16

申请号：TW101124529

申请日：2012-07-06

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. ,  國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 增田健良 ,  MASUDA, TAKEYOSHI ,  烟山智亮 ,  HATAYAMA, TOMOAKI

IPC: H01L21/38 ,  H01L21/469 ,  H01L21/477 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/046 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 本發明之MOSFET(1)之製造方法包括如下步驟：將雜質導入至碳化矽層(10)；自導入有雜質之碳化矽層(10)之表層部選擇性地去除矽，藉此於表層部形成碳層(81)；及加熱形成有碳層(81)之碳化矽層(10)，藉此使上述雜質活化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之MOSFET(1)之制造方法包括如下步骤：将杂质导入至碳化硅层(10)；自导入有杂质之碳化硅层(10)之表层部选择性地去除硅，借此于表层部形成碳层(81)；及加热形成有碳层(81)之碳化硅层(10)，借此使上述杂质活化。

公开(公告)号：TWI623045B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW105140348

申请日：2016-12-07

Applicant: 國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日新電機股份有限公司 ,  NISSIN ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： 浦岡行治 ,  URAOKA, YUKIHARU ,  山﨑遙 ,  YAMAZAKI, HARUKA ,  藤井茉美 ,  FUJII, MAMI ,  高橋英治 ,  TAKAHASHI, EIJI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/318 ,  H01L29/786

公开(公告)号：TWI626511B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW104102947

申请日：2015-01-29

Applicant: 國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  AZ電子材料盧森堡有限公司 ,  AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.

Inventor： 石河泰明 ,  ISHIKAWA, YASUAKI ,  浦岡行治 ,  URAOKA, YUKIHARU ,  野中敏章 ,  NONAKA, TOSHIAKI

IPC: G03F7/075 ,  G02B1/00 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201535055A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW104102947

申请日：2015-01-29

Applicant: 國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  AZ電子材料盧森堡有限公司 ,  AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S. A. R. L.

Inventor： 石河泰明 ,  ISHIKAWA, YASUAKI ,  浦岡行治 ,  URAOKA, YUKIHARU ,  野中敏章 ,  NONAKA, TOSHIAKI

IPC: G03F7/075 ,  G02B1/00 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供一種薄膜電晶體基板，其係具備保護膜之薄膜電晶體基板，可賦予高驅動穩定性。 本發明係一種薄膜電晶體基板，其係包含薄膜電晶體及被覆該薄膜電晶體之保護膜的薄膜電晶體基板，該保護膜係由感光性矽氧烷組成物構成的硬化物，該薄膜電晶體基板的特徵為：該薄膜電晶體具有由氧化物半導體構成的半導體層；該感光性矽氧烷組成物含有：鹼溶解速度不同的至少兩種聚矽氧烷；感光劑；及溶劑。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种薄膜晶体管基板，其系具备保护膜之薄膜晶体管基板，可赋予高驱动稳定性。 本发明系一种薄膜晶体管基板，其系包含薄膜晶体管及被覆该薄膜晶体管之保护膜的薄膜晶体管基板，该保护膜系由感光性硅氧烷组成物构成的硬化物，该薄膜晶体管基板的特征为：该薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的半导体层；该感光性硅氧烷组成物含有：碱溶解速度不同的至少两种聚硅氧烷；感光剂；及溶剂。

公开(公告)号：TW200914611A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：TW097118119

申请日：2008-05-16

Applicant: 出光興產股份有限公司 IDEMITSU KOSAN CO., LTD. ,  國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  國立大學法人帶廣畜產大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION, OBIHIRO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND VETERINARY MEDICI

Inventor： 澤田和敏 SAWADA, KAZUTOSHI ,  吉田和哉 YOSHIDA, KAZUYA ,  松井健史 MATSUI, TAKESHI ,  牧野壯一 MAKINO, SOU-ICHI ,  川本惠子 KAWAMOTO, KEIKO

IPC: C12N

CPC classification number: C12N15/8258 ,  A61K39/0258 ,  A61K2039/517 ,  A61K2039/552 ,  C12N15/8257 ,  Y02A50/474

Abstract: 本發明開發一種低成本且高效率生產豬水腫病疫苗之技術。具體言之,係以植物細胞效率良好地表現豬水腫病之病毒蛋白質(Stx2e蛋白質)之基因,而以低成本生產豬水腫病之植物疫苗。於胺基末端加成有源自植物之分泌訊號胜之Stx2e蛋白質,係使用源自植物之醇脫氫基因之5'-非轉譯區域(ADH5'UTR),以萵苣等之植物細胞加以表現。

Abstract in simplified Chinese: 本发明开发一种低成本且高效率生产猪水肿病疫苗之技术。具体言之,系以植物细胞效率良好地表现猪水肿病之病毒蛋白质(Stx2e蛋白质)之基因,而以低成本生产猪水肿病之植物疫苗。于胺基末端加成有源自植物之分泌信号胜之Stx2e蛋白质,系使用源自植物之醇脱氢基因之5'-非转译区域(ADH5'UTR),以莴苣等之植物细胞加以表现。

公开(公告)号：TW200817509A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：TW096116136

申请日：2007-05-07

Applicant: 日本國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 橋本隆 HASHIMOTO, TAKASHI ,  川正孝 KAJIKAWA, MASTAKA

IPC: C12N

CPC classification number: C12N15/8243 ,  C07K14/415

Abstract: 可調整四種基因,A622、NBB1、PMT及QPT,以增加菸草(Nicotiana)植物中之菸鹼性生物鹼含量,以及在不產生菸鹼之植物及細胞中合成菸鹼性生物鹼。詳言之,使A622、NBB1、PMT及QPT中之一或多者過度表現可用來增加煙草植物中之菸鹼及菸鹼性生物鹼含量。不產生菸鹼之細胞可經遺傳工程處理以藉由過度表現A622及NBB1來產生菸鹼及相關化合物。

Abstract in simplified Chinese: 可调整四种基因,A622、NBB1、PMT及QPT,以增加烟草(Nicotiana)植物中之烟碱性生物碱含量,以及在不产生烟碱之植物及细胞中合成烟碱性生物碱。详言之,使A622、NBB1、PMT及QPT中之一或多者过度表现可用来增加烟草植物中之烟碱及烟碱性生物碱含量。不产生烟碱之细胞可经遗传工程处理以借由过度表现A622及NBB1来产生烟碱及相关化合物。

公开(公告)号：TW201840464A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：TW107104468

申请日：2018-02-08

Applicant: 國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日商拓自達電線股份有限公司 ,  TATSUTA ELECTRIC WIRE & CABLE CO., LTD.

Inventor： 野野口斐之 ,  NONOGUCHI, YOSHIYUKI ,  河合壯 ,  KAWAI, TSUYOSHI ,  飯原友 ,  IIHARA, TOMO

IPC: B82Y40/00 ,  H01L35/34

Abstract: 本發明之課題係提供具有優異熱電特性及化學安定性之n型導電材料。 　　本發明之解決手段係使用n型導電材料，其特徵係含有內包金屬錯合物之n型碳奈米管。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系提供具有优异热电特性及化学安定性之n型导电材料。 　　本发明之解决手段系使用n型导电材料，其特征系含有内包金属错合物之n型碳奈米管。

公开(公告)号：TW201727762A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105140348

申请日：2016-12-07

Applicant: 國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日新電機股份有限公司 ,  NISSIN ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： 浦岡行治 ,  URAOKA, YUKIHARU ,  山﨑遙 ,  YAMAZAKI, HARUKA ,  藤井茉美 ,  FUJII, MAMI ,  高橋英治 ,  TAKAHASHI, EIJI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/318 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786

Abstract: 提供場效遷移率超過20 cm2/Vs而動作速度快的薄膜電晶體及其製造方法以及具有所述薄膜電晶體的半導體裝置。一種薄膜電晶體，其是在基板上積層有閘極電極、閘極絕緣膜、氧化物半導體膜，於氧化物半導體膜的寬度方向的兩外側形成源極區域與汲極區域，且於源極區域與汲極區域所夾的區域形成通道區域，於源極區域連接源極電極、於汲極區域連接汲極電極的薄膜電晶體，於閘極絕緣膜中含有氟，且通道區域的寬度W相對於長度L的比例（W/L）不足8。

Abstract in simplified Chinese: 提供场效迁移率超过20 cm2/Vs而动作速度快的薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体设备。一种薄膜晶体管，其是在基板上积层有闸极电极、闸极绝缘膜、氧化物半导体膜，于氧化物半导体膜的宽度方向的两外侧形成源极区域与汲极区域，且于源极区域与汲极区域所夹的区域形成信道区域，于源极区域连接源极电极、于汲极区域连接汲极电极的薄膜晶体管，于闸极绝缘膜中含有氟，且信道区域的宽度W相对于长度L的比例（W/L）不足8。

公开(公告)号：TWI477278B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW099140959

申请日：2010-11-26

Applicant: 大曹股份有限公司 ,  DAISO CO., LTD. ,  公立大學法人大阪市立大學 ,  OSAKA CITY UNIVERSITY ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION ,  京都府公立大學法人 ,  KYOTO PREFECTURAL PUBLIC UNIVERSITY CORPORATION ,  國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 鈴木利雄 ,  SUZUKI, TOSHIO ,  植田秀昭 ,  UEDA, HIDEAKI ,  長崎健 ,  NAGASAKI, TAKESHI ,  切畑光統 ,  KIRIHATA, MITSUNORI ,  沼田宗典 ,  NUMATA, MUNENORI ,  池田篤志 ,  IKEDA, ATSUSHI

IPC: A61K33/22 ,  A61K31/716 ,  A61N5/10

CPC classification number: C01B31/0273 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C07F5/027 ,  C08B37/0057 ,  C08K3/02 ,  C08K3/041 ,  C08K3/045 ,  C08K3/06 ,  C08K3/08 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  C08L5/00

公开(公告)号：TWI460270B

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：TW098114432

申请日：2009-04-30

Applicant: 出光興產股份有限公司 ,  IDEMITSU KOSAN CO., LTD. ,  國立大學法人奈良先端科學技術大學院大學 ,  NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

Inventor： 澤田和敏 ,  SAWADA, KAZUTOSHI ,  吉田和哉 ,  YOSHIDA, KAZUYA ,  松井健史 ,  MATSUI, TAKESHI

IPC: C12N15/31 ,  C12N15/83 ,  C12N15/70

CPC classification number: C07K14/245 ,  A61K39/00 ,  A61K39/0258 ,  A61K2039/517 ,  C07K14/25 ,  C07K14/28 ,  C07K2319/00 ,  C07K2319/55 ,  C12N15/8258 ,  Y02A50/472 ,  Y02A50/474