公开(公告)号：WO2012028460A3

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/EP2011/064185

申请日：2011-08-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/22 ,  H01L25/075 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen Strahlungserzeugenden aktiven Bereich (13) umfasst, - zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) zum elektrischen Kontaktieren des aktiven Bereichs, - einem Träger (3), und - einem Verbindungsmittel (4), das zwischen dem Träger (3) und dem Halbleiterkörper (1) angeordnet ist, wobei - der Halbleiterkörper (1) an seiner dem Träger (3) zugewandten Außenflächen eine Aufrauung (15) aufweist, - der Halbleiterkörper (1) mittels des Verbindungsmittels (4) mechanisch mit dem Träger (3) verbunden ist, - das Verbindungsmittel (4) stellenweise in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper (1) und dem Träger (3) steht, und - die zumindest zwei Kontaktstellen (2a, 2b) an der dem Träger (3) abgewandten Oberseite des Halbleiterkörpers (1) angeordnet sind.

公开(公告)号：WO2011092072A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：PCT/EP2011/050541

申请日：2011-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin ,  HOEPPEL, Lutz ,  ILLEK, Stefan ,  BARCHMANN, Bernd ,  RODE, Patrick

IPC: H01L25/075 ,  F21K99/00

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/22 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), einen rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.

Abstract translation: 提供了一种照明装置。 根据至少一个方面，所述照明装置具有前侧支架（1），后支撑（2）和多个发光二极管芯片（3），其发射光的照明装置的操作并且发射的热损失。 背部支撑件（2）是至少局部地从覆盖前支撑（1）。 LED芯片（3）被布置在后架（2）和前支撑（1）和通过将它们机械地锁定之间。 它们是由后和/或支撑的前侧的装置（1,2）被电接触。 前支撑（1）导热地连接到所述发光二极管芯片（3）和具有发光二极管芯片中的一个背离在其上的发光二极管芯片的一部分的输送产生的热损失的光输出表面（101）的距离（3）（3）形成在所述环境 ，

公开(公告)号：WO2011018273A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：PCT/EP2010/059291

申请日：2010-06-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PETER, Matthias ,  MEYER, Tobias ,  OFF, Jürgen ,  TAKI, Tetsuya ,  HERTKORN, Joachim ,  SABATHIL, Matthias ,  LAUBSCH, Ansgar ,  BIEBERSDORF, Andreas

Inventor： PETER, Matthias ,  MEYER, Tobias ,  OFF, Jürgen ,  TAKI, Tetsuya ,  HERTKORN, Joachim ,  SABATHIL, Matthias ,  LAUBSCH, Ansgar ,  BIEBERSDORF, Andreas

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.

Abstract translation: 在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。 此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。 （4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。 外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。 良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

公开(公告)号：WO2011000659A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：PCT/EP2010/057728

申请日：2010-06-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GRÖTSCH, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  KOCUR, Simon ,  EBERHARD, Franz

Inventor： GRÖTSCH, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  KOCUR, Simon ,  EBERHARD, Franz

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit - einem ersten, einem zweiten und einem dritten Halbleiterkörper (10, 20, 30) angegeben, die im Betrieb eine erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung (11, 21, 31) in einem ersten, zweiten und dritten Wellenlängenbereich emittiert, - einem ersten Kantenfilter (41), der zwischen dem ersten Halbleiterkörper (10) und dem zweiten Hableiterkörper (20) angeordnet ist, und - einem Spiegel (50), der an der dem zweiten Halbeiterkörper (20) abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体器件，包括： - 第一，第二和第三半导体主体（10，20，30）被指定，在操作期间的第一，第二和第三电磁辐射（11，21，31）在第一，第二和第三 发射的，波长范围 - 在所述第一半导体本体（10）和所述第二Hableiterkörper之间的第一边缘过滤器（41）（20）被布置，以及 - 反射镜（50），所述第二半导体本体（20）的侧远离第一 布置半导体主体（10）。

公开(公告)号：WO2010112310A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：PCT/EP2010/053047

申请日：2010-03-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AVRAMESCU, Adrian, Stefan ,  QUEREN, Désirée ,  EICHLER, Christoph ,  SABATHIL, Matthias ,  LUTGEN, Stephan ,  STRAUSS, Uwe

Inventor： AVRAMESCU, Adrian, Stefan ,  QUEREN, Désirée ,  EICHLER, Christoph ,  SABATHIL, Matthias ,  LUTGEN, Stephan ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/3425 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  Y10S977/95 ,  Y10S977/951 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinander folgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf.

Abstract translation: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例中它是基于氮化物材料系统上，并在至少一个有源量子阱（2）。 所述至少一个有源量子阱（2）适于产生操作期间的电磁辐射。 此外，所述至少一个有源量子阱（2）在平行于所述半导体芯片（1）N连续的区域（A），其中N是大于或等于2的自然数的生长方向z的方向。 至少两个活性量子阱的区域（A）的孔（2）具有相互不同的平均铟℃。

公开(公告)号：WO2010108811A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/EP2010/053304

申请日：2010-03-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  KOCUR, Simon ,  GRÖTSCH, Stefan

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  KOCUR, Simon ,  GRÖTSCH, Stefan

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird eine Leuchtdiode angegeben, mit einem ersten Halbleiterkörper (10), der zumindest einen aktiven Bereich (11) umfasst, der elektrisch kontaktiert ist, wobei im Betrieb der Leuchtdiode im aktiven Bereich (11) elektromagnetische Strahlung (110) eines ersten Wellenlängenbereichs erzeugt wird, und einem zweiten Halbleiterkörper (20), der an einer Oberseite (10a) des ersten Halbleiterkörpers (10) am ersten Halbleiterkörper (10) befestigt ist, wobei der zweite Halbleiterkörper (20) einen Re-Emissionsbereich (21) mit einer Mehrfachquantentopfstruktur (213) aufweist und wobei im Betrieb der Leuchtdiode im Re-Emissionsbereich (21) elektromagnetische Strahlung (110) des ersten Wellenlängenbereichs absorbiert und elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs (220) reemittiert wird, und einem Verbindungsmaterial (30), das zwischen erstem (10) und zweitem Halbleiterkörper (20) angeordnet ist, wobei das Verbindungsmaterial (30) den ersten (10) und den zweiten Halbleiterkörper (20) mechanisch miteinander verbindet.

Abstract translation: 提供了一种具有第一半导体本体（10），包括至少一个有源区（11），该电接触的发光二极管，其中所述光在电磁辐射的有源区（11）的发光二极管的操作过程中（110）被第一波长范围内的形成 和附连到第一半导体主体的上表面（10A）的第二半导体本体（20）（10）附连到所述第一半导体本体（10），所述第二半导体本体（20），具有多量子阱结构（再发射区域（21）213 ），并且其中（在光再发射区域的发光二极管21）的第一波长范围吸收和第二波长范围（220）的电磁辐射的电磁辐射（110）的操作被重新发射，并且接合材料（30）（第一10之间）和 第二半导体本体（20）被布置，其中，所述连接材料（30）第一（10）和第二Halble 机械连接iterkörper（20）。

公开(公告)号：WO2010081754A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/EP2010/050039

申请日：2010-01-05

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH ,  BEHRES, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： BEHRES, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer zur Emission von Strahlung geeigneten aktiven Schicht (4), die von Mantelschichten (3a, 3b) umgeben ist, angegeben, bei dem die Mantelschichten (3a, 3b) und/oder die aktive Schicht (4) ein Indium-enthaltendes Phosphidverbindungshalbleitermaterial aufweisen und das Phosphidverbindungshalbleitermaterial als zusätzliches Element der V. Hauptgruppe mindestens eines der Elemente Sb oder Bi enthält. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer zur Emission von Strahlung geeigneten aktiven Schicht (4) angegeben, bei dem die aktive Schicht ein Indium-enthaltendes Nitridverbindungshalbleitermaterial aufweist, wobei das Nitridverbindungshalbleitermaterial der aktiven Schicht (4) als zusätzliches Element der V. Hauptgruppe mindestens eines der Elemente As, Sb oder Bi enthält.

Abstract translation: 它是一种具有适用于包层的有源层（4）的辐射的发射组合物的光电子半导体器件（3A，3B）包围给出其中包覆层（3A，3B）和/或有源层（4） 包括磷化铟和含有作为含磷化物Sb或Bi中的至少一种第V主族的附加元件。 此外，光电子半导体装置设置有适合于有源层（4），的辐射发射一个形式，其中所述有源层包括含铟的氮化物半导体，其中所述有源层的氮化物化合物半导体（4）中的至少一种第V主族的附加元件 包含的元素如，Sb或Bi。

公开(公告)号：WO2010072187A3

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：PCT/DE2009/001550

申请日：2009-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

Inventor： GMEINWIESER, Nikolaus ,  SABATHIL, Matthias ,  LEBER, Andreas

IPC: H01L33/22

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) Auskoppelstrukturen (4) auf, die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht sind. Ein Material der Auskoppelstrukturen (4) ist hierbei von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden. Die Brechungsindices der Materialien der Auskoppelstrukturen (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) weichen um höchstens 30 % voneinander ab. Des Weiteren weisen Facetten (40) der Auskoppelstrukturen (4) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 30 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) beträgt.

公开(公告)号：WO2010072187A2

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：PCT/DE2009001550

申请日：2009-11-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LEBER ANDREAS

Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LEBER ANDREAS

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22

Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip comprises a semiconductor layer sequence (2) having at least one active layer (3), which is equipped to generate electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises decoupling structures (4), which are applied at least indirectly onto a radiation penetration surface (20) of the semiconductor layer sequence (2). A material of the decoupling structures (4) differs from a material of the semiconductor layer sequence (2). The refractive indices of the materials of the decoupling structures (4) and of the semiconductor layer sequence (2) deviate from each other by no more than 30%. In addition, facets (40) of the decoupling structures (4) comprise an overall surface, which carries at least 30% of the surface area of the radiation penetration surface (20).

Abstract translation: 在光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括具有至少一个有源层（3），其适于产生电磁辐射的一半导体层序列（2）。 此外，光电子半导体芯片（1）输出耦合结构（4），其被安装在至少间接地在所述半导体层序列的辐射穿透面（20）（2）。 耦合输出（4）的材料是在这种情况下，从半导体层序列（2）是不同的材料。 外耦合（4）和所述半导体层序列（2）的材料的折射率由不超过30％，从彼此不同。 此外具有耦合输出的小平面（40）（4）具有一个总面积，这是辐射穿透面（20）的表面面积的至少30％。

公开(公告)号：WO2010040337A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/DE2009/001379

申请日：2009-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： ENGL, Karl ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (1), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (100) aufweist, und einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4) angegeben. Der Halbleiterkörper ist zur Emission elektromagnetischer Strahlung von einer Vorderseite (2) vorgesehen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist mindestens eine Öffnung (110) auf, welche die Halbleiterschichtenfolge (1) in Richtung von der Vorderseite (2) zu einer der Vorderseite (2) gegenüberliegenden Rückseite (3) vollständig durchdringt. Die erste elektrische Anschlussschicht (4) ist an der Rückseite (3) des Halbleiterkörpers angeordnet, ein Teilstück (40) der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) verläuft von der Rückseite (3) her durch die Öffnung (110) zur Vorderseite (2) hin verläuft und bedeckt einen ersten Teilbereich (11) einer vorderseitigen Hauptfläche (10) der Halbleiterschichtenfolge (1). Ein zweiter Teilbereich (12) der vorderseitigen Hauptfläche (10) ist von der ersten elektrischen Anschlussschicht (4) unbedeckt.

Abstract translation: 提供了一种具有包括在适于产生电磁辐射活性层（100）的装置的半导体层序列（1）的光电子半导体本体，以及第一电连接层（4）。 半导体本体被设置用于电磁辐射的从正面侧（2）的排放。 半导体层序列（1）具有至少一个开口（110），其完全穿过半导体层序列（1）在从正面（2）到前侧的一个方向（2）相反的背面（3）。 第一电连接层（4）被布置在后侧（3）在半导体本体的，所述第一电连接层（4）的一部分（40）从背面侧（3）延伸来回穿过开口（110）的前侧（2）向 延伸，并覆盖半导体层序列（1）的前主表面（10）的第一部分（11）。 第一电连接层的前主表面（10）的第二部分（12）（4）覆盖。