公开(公告)号：TWI473542B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW101134632

申请日：2012-09-21

Applicant: 撼動科技公司 ,  SHOCKING TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 弗萊明 羅伯特 ,  FLEMING, ROBERT ,  格利克曼 麥可 ,  GLICKMAN, MICHAEL ,  格雷登 布雷特 ,  GRAYDON, BHRET ,  吳君君 ,  WU, JUNJUN ,  巴斯克斯 丹尼爾 ,  VASQUEZ, DANIEL

IPC: H05K1/03 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0257 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/0738 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW200919245A

公开(公告)日：2009-05-01

申请号：TW097123392

申请日：2008-06-23

Applicant: 撼動科技公司 SHOCKING TECHNOLOGIES, INC

Inventor： 雷克斯 科索沃斯基 KOSOWSKY, LEX ,  羅伯特 弗萊明 FLEMING, ROBERT

IPC: G06F

CPC classification number: G06F17/5068 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/0293 ,  H05K1/0373 ,  H05K3/0005 ,  H05K2201/0738 ,  H05K2203/105

Abstract: 一種根據設計者訂定之準則所設計的基板設備,準則的訂定係為處理發生於基板設備的瞬變電流/電壓事件,其中這些個準則至少部分係基於設計者所提供的輸入。自這些個準則,可決定一或多個整合VSDM至基板設備的內層或部分表面之特性,整合而成的VSDM層用於保護基板中一或多個的電子組件,以避免其受到瞬變電流/電壓事件之影響。

Abstract in simplified Chinese: 一种根据设计者订定之准则所设计的基板设备,准则的订定系为处理发生于基板设备的瞬变电流/电压事件,其中这些个准则至少部分系基于设计者所提供的输入。自这些个准则,可决定一或多个集成VSDM至基板设备的内层或部分表面之特性,集成而成的VSDM层用于保护基板中一或多个的电子组件,以避免其受到瞬变电流/电压事件之影响。

公开(公告)号：TWI510148B

公开(公告)日：2015-11-21

申请号：TW101141158

申请日：2012-11-06

Applicant: 撼動科技公司 ,  SHOCKING TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： 佛提斯 喬安 ,  VRTIS, JOAN ,  巴斯克斯 丹尼爾 ,  VASQUEZ, DANIEL ,  弗萊明 羅伯特 ,  FLEMING, ROBERT ,  科索沃斯基 雷克斯 ,  KOSOWSKY, LEX

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW200910383A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW097131826

申请日：2008-08-20

Applicant: 撼動科技公司 SHOCKING TECHNOLOGIES, INC

Inventor： 雷克斯 科索沃斯基 KOSOWSKY, LEX ,  羅伯特 弗萊明 FLEMING, ROBERT ,  吳君君 WU, JUNJUN

IPC: H01B

Abstract: 一種混合改良型高縱橫比(high-aspect ratio, HAR)顆粒之電壓調變介電(voltage switchable dielectric, VSD)材質,至少一部分比例包含提供核殼型(core-shell)HAR顆粒的表面改良HAR顆粒,可選擇性的或者附加性的,使一部分比例包含具有活化表面之表面改良HAR顆粒。

Abstract in simplified Chinese: 一种混合改良型高纵横比(high-aspect ratio, HAR)颗粒之电压调制介电(voltage switchable dielectric, VSD)材质,至少一部分比例包含提供核壳型(core-shell)HAR颗粒的表面改良HAR颗粒,可选择性的或者附加性的,使一部分比例包含具有活化表面之表面改良HAR颗粒。

公开(公告)号：WO2013044096A3

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/US2012056663

申请日：2012-09-21

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES INC ,  FLEMING ROBERT ,  GLICKMAN MICHAEL ,  GRAYDON BHRET ,  WU JUNJUN ,  VASQUEZ DANIEL

Inventor： FLEMING ROBERT ,  GLICKMAN MICHAEL ,  GRAYDON BHRET ,  WU JUNJUN ,  VASQUEZ DANIEL

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0288 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0257 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/16 ,  H05K2201/0738 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments disclosed herein generally relate to structures, methods and devices employing a voltage switchable dielectric material to achieve vertical and/or dual switching protection against ESD and other overvoltage events.

Abstract translation: 本文公开的实施例大体上涉及采用电压可切换介电材料的结构，方法和设备，以实现针对ESD和其他过电压事件的垂直和/或双切换保护。

公开(公告)号：WO2013070806A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：PCT/US2012/063999

申请日：2012-11-07

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： VRTIS, Joan ,  VASQUEZ, Daniel ,  FLEMING, Robert ,  KOSOWSKY, Lex

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments disclosed herein generally relate to voltage switchable dielectric (VSD) materials and supporting impedance elements, and to structures, methods and devices employing voltage switchable dielectric materials and supporting impedance elements to achieve protection against ESD events, wherein the VSD materials and/or supporting impedance elements are incorporated in first level and/or second level packages, and wherein the first level package may be a die attached to a substrate and the second level package may be a circuit board to which the first level package is attached.

Abstract translation: 本文公开的实施例通常涉及可变压电介质（VSD）材料和支撑阻抗元件，以及使用可切换电介质材料和支持阻抗元件以实现ESD事件保护的结构，方法和器件，其中VSD材料和/或支持阻抗 元件被并入第一级和/或第二级封装中，并且其中第一级封装可以是附接到衬底的管芯，并且第二级封装可以是与第一级封装件相连的电路板。

公开(公告)号：WO2012071051A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/US2010/058435

申请日：2010-11-30

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES, INC. ,  SHI, Ning ,  FLEMING, Robert ,  WU, Junjun ,  KOSOWSKY, Lex

Inventor： SHI, Ning ,  FLEMING, Robert ,  WU, Junjun ,  KOSOWSKY, Lex

IPC: H01C7/10 ,  H01C7/105 ,  H01C7/112 ,  C01G9/02 ,  C01G9/00 ,  C01G41/02 ,  H02H9/04

CPC classification number: H01C7/105 ,  C01G9/02 ,  C01G29/00 ,  C01G41/02 ,  C01P2006/40 ,  H01C7/10 ,  H01C7/112 ,  H01C17/06 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/0257 ,  H05K1/0259 ,  H05K2201/0738 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Embodiments described include a non-polymeric voltage switchable dielectric (VSD) material comprising substantially of a grain structure formed from only a single compound, processes for making same, and applications for using such non-polymeric VSD materials.

Abstract translation: 所描述的实施例包括基本上由仅由单一化合物形成的晶粒结构，其制备方法和使用这种非聚合物VSD材料的应用的非聚合物电压可切换电介质（VSD）材料。

公开(公告)号：WO2011059769A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/US2010/054563

申请日：2010-10-28

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES, INC. ,  KOSOWSKY, Lex

Inventor： KOSOWSKY, Lex

IPC: C25D5/48

CPC classification number: C25D5/022 ,  C25D5/54 ,  H05K1/0254 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/167 ,  H05K3/107 ,  H05K3/188 ,  H05K3/388 ,  H05K3/423 ,  H05K3/426 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0738 ,  H05K2203/105

Abstract: Systems and methods include depositing one or more materials on a voltage switchable dielectric material. In certain aspects, a voltage switchable dielectric material is disposed on a conductive backplane. In some embodiments, a voltage switchable dielectric material includes regions having different characteristic voltages associated with deposition thereon. Some embodiments include masking, and may include the use of a removable contact mask. Certain embodiments include electrografting. Some embodiments include an intermediate layer disposed between two layers.

Abstract translation: 系统和方法包括在可开关电介质材料上沉积一种或多种材料。 在某些方面，电压可切换介电材料设置在导电背板上。 在一些实施例中，电压可切换介电材料包括具有与其上沉积相关联的不同特征电压的区域。 一些实施例包括掩蔽，并且可以包括使用可移除的接触掩模。 某些实施例包括电驱动。 一些实施例包括设置在两层之间的中间层。

公开(公告)号：WO2010039902A2

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/US2009059134

申请日：2009-09-30

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES INC ,  KOSOWSKY LEX ,  FLEMING ROBERT ,  WU JUNJUN ,  SARAF PRAGNYA ,  RANGANATHAN THANGAMANI

Inventor： KOSOWSKY LEX ,  FLEMING ROBERT ,  WU JUNJUN ,  SARAF PRAGNYA ,  RANGANATHAN THANGAMANI

IPC: H01C7/10

CPC classification number: H01C7/10 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22

Abstract: A composition of voltage switchable dielectric (VSD) material that comprises a concentration of core shelled particles that individually comprise a conductor core and a shell, the shell of each core shelled particle being (i) multilayered, and/or (ii) heterogeneous.

Abstract translation: 一种可变压电介质（VSD）材料的组合物，其包含单独包含导体芯和壳的核心包覆颗粒的浓度，每个核壳层颗粒的壳体是（i）多层和/或（ii）异质的。

公开(公告)号：WO2009129188A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：PCT/US2009/040384

申请日：2009-04-13

Applicant: SHOCKING TECHNOLOGIES, INC. ,  KOSOWSKY, Lex ,  FLEMING, Robert ,  GRAYDON, Bhret

Inventor： KOSOWSKY, Lex ,  FLEMING, Robert ,  GRAYDON, Bhret

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0257 ,  H05K1/0259 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0738 ,  H05K2203/105

Abstract: A substrate device includes an embedded layer of VSD material (230) that overlays a conductive element or layer (240) to provide a ground. An electrode (210), connected to circuit elements that are to be protected, extends into the thickness of the substrate to make contact with the VSD layer. When the circuit elements are operated under normal voltages, the VSD layer is dielectric and not connected to ground. When a transient electrical event occurs on the circuit elements, the VSD layer switches instantly to a conductive state, so that the first electrode is connected to ground.

Abstract translation: 衬底器件包括覆盖导电元件或层（240）以提供接地的VSD材料（230）的嵌入层。 连接到要被保护的电路元件的电极（210）延伸到基板的厚度以与VSD层接触。 当电路元件在正常电压下工作时，VSD层是电介质的，不连接到地。 当在电路元件上发生瞬态电事件时，VSD层立即切换到导通状态，使得第一电极连接到地。