公开(公告)号：FR3049768A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652822

申请日：2016-03-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L23/62 ,  H01L29/87

Abstract: L'invention concerne un triac (40) à structure verticale comprenant, du côté de la face supérieure d'un substrat (43) en silicium : une métallisation principale (A1) dont une première partie repose sur une première région (47) d'un premier type de conductivité formée dans une couche (45) du deuxième de type de conductivité, et dont une deuxième partie repose sur une partie de ladite couche ; une métallisation de gâchette (G) reposant sur une deuxième région (51) du premier type de conductivité formée dans ladite couche (45), au voisinage de la première région (47) ; et au moins un barreau (57) de silicium poreux formé dans ladite couche, une première extrémité (57A) dudit barreau étant en contact avec la métallisation de gâchette, et la deuxième extrémité (57B) dudit barreau étant en contact avec la métallisation principale.

公开(公告)号：FR3047602A1

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：FR1651064

申请日：2016-02-10

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： CHARLEY SYLVAIN ,  HEURTIER JEROME ,  JEUFFRAULT LAURENT

IPC: H01G7/06 ,  H03H7/38

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant : un premier condensateur (CV) de capacité réglable à une valeur de consigne par application d'une tension de polarisation (VBIAS) ; un deuxième condensateur (CV') de capacité réglable à une valeur de consigne par application d'une tension de polarisation, le deuxième condensateur (CV') étant agencé pour recevoir la même tension de polarisation (VBIAS) que le premier condensateur (CV) ; et un circuit de contrôle (121) adapté à recevoir ladite valeur de consigne et à générer ladite tension de polarisation (VBIAS) en tenant compte d'une grandeur représentative de la capacité du deuxième condensateur (CV').

公开(公告)号：FR3039014A1

公开(公告)日：2017-01-20

申请号：FR1556647

申请日：2015-07-13

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： SIMONNET JEAN-MICHEL ,  BALLON CHRISTIAN

IPC: H02H9/04 ,  H01L29/74 ,  H04M3/18

Abstract: L'invention concerne une structure de protection d'interface SLIC de ligne téléphonique (3, 5) contre des surtensions inférieures à un seuil négatif ou supérieures à un seuil positif, comprenant au moins un thyristor (32, 34) connecté entre chaque conducteur de la ligne téléphonique et un potentiel de référence (GND), dans laquelle pour tous les thyristors une métallisation correspondant à l'électrode principale côté gâchette est en contact, par l'intégralité de sa surface, avec une région semiconductrice correspondante ; et la gâchette (36, 38) est connectée directement à une source de tension (58) définissant l'un desdits seuils.

公开(公告)号：FR2928508A1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：FR0851486

申请日：2008-03-07

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS S

Inventor： BONNET BENOIT ,  DUPONT FRANCOIS

IPC: H04B7/005 ,  H01Q1/52

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique intégré (5) d'émission-réception radiofréquence, comportant : au moins une borne (521) destinée à recevoir un signal à émettre ou à transmettre un signal reçu ; au moins une antenne plane (51), à fréquence de résonance réglable ; au moins un coupleur bidirectionnel (52) dont une ligne primaire est intercalée entre ladite borne et l'antenne et dont les bornes respectives (523, 524) d'une ligne secondaire fournissent des informations représentatives de la puissance transmise et de la puissance réfléchie côté ligne primaire ; au moins un détecteur (53, 54) de la puissance transmise et de la puissance réfléchie ; et un circuit (56) de sélection de la fréquence de résonance de l'antenne en fonction du rapport entre la puissance transmise et la puissance réfléchie.

公开(公告)号：FR2923950A1

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：FR0759185

申请日：2007-11-20

Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS S

Inventor： DUPONT FRANCOIS ,  EZZEDDINE HILAL ,  CHARLEY SYLVAIN

IPC: H01P5/18 ,  H03G3/20

Abstract: L'invention concerne un coupleur directif en lignes distribuées comportant: une première ligne conductrice (2) entre des premier et deuxième ports (IN, OUT) destinés à véhiculer un signal à transmettre ; et une deuxième ligne conductrice, couplée à la première, entre des troisième et quatrième ports (CPLD, ISO), la deuxième ligne étant interrompue approximativement en son milieu, les deux extrémités intermédiaires étant connectées à des atténuateurs (4').

公开(公告)号：FR3097682B1

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：FR1906589

申请日：2019-06-19

Applicant: STMICROELECTRONICS GMBH ,  STMICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  YVON ARNAUD ,  SAADNA MOHAMED ,  SCARPA VLADIMIR

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/318

Abstract: Composant monolithique comportant un transistor de puissance au nitrure de gallium La présente description concerne un composant (200) monolithique comportant un transistor de puissance à effet de champ (T1) et au moins une première diode Schottky (SC1) dans et sur un même substrat au nitrure de gallium (301). Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3092698A1

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：FR1901349

申请日：2019-02-11

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L29/40

Abstract: Assemblage comportant un composant vertical de puissance monté sur une plaque métallique de connexion La présente description concerne un assemblage comportant : - un composant vertical de puissance (100) comportant un substrat semiconducteur (101), une première électrode (A2) en contact avec une face inférieure du substrat (101), et une deuxième électrode (A1) en contact avec une face supérieure du substrat (101) ; - une plaque métallique de connexion (150) disposée du côté de la face inférieure du substrat (101) ; et - une entretoise métallique (140) comportant une face inférieure soudée à la plaque métallique de connexion (150) et une face supérieure soudée à la première électrode (A2) du composant vertical de puissance, l'entretoise métallique (140) étant en le même métal que la plaque métallique de connexion (150). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3050321A1

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：FR1653371

申请日：2016-04-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC ,  ANKOUDINOV ALEXEI ,  RODOV VLADIMIR

IPC: H01L29/74

Abstract: L'invention concerne une diode comprenant : une portion de substrat semiconducteur (152) dopé de type N entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) ; un premier transistor vertical (T11) à canal N, dont la grille (160) est dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le premier transistor ayant une zone de source (158) incluse dans un caisson (156) dopé de type P, le premier transistor ayant une région de canal (172) située dans ledit caisson ; un deuxième transistor (T12) à canal P ayant une grille (166) dopée de type P et une région de canal (174) située hors dudit caisson, les premier et deuxième transistors étant connectés en série entre les électrodes ; et une zone de sonde (37) dopée de type P, recouverte par la grille du premier transistor, la zone de sonde étant couplée à la grille du deuxième transistor.

公开(公告)号：FR3049766A1

公开(公告)日：2017-10-06

申请号：FR1652712

申请日：2016-03-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： ROUVIERE MATHIEU ,  FLORENCE ARNAUD

IPC: H01L27/02

Abstract: L'invention concerne un dispositif (210) de protection contre des décharges électrostatiques, comportant : des première (211) et deuxième (212) diodes montées en série entre des première (N1) et deuxième (N2) bornes de connexion du dispositif ; une troisième borne (N3) de connexion reliée au point milieu entre les première (211) et deuxième (212) diodes ; et un condensateur (213) monté en parallèle des première (211) et deuxième (212) diodes, entre les première (N1) et deuxième (N2) bornes.

公开(公告)号：FR3037741A1

公开(公告)日：2016-12-23

申请号：FR1555691

申请日：2015-06-22

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： GONTHIER LAURENT

IPC: H02M1/42 ,  H02M7/12

Abstract: L'invention concerne un convertisseur alternatif-continu comportant : une première borne (12) et une deuxième borne (14), destinées à recevoir une tension alternative (Vac) ; une troisième borne (16) et une quatrième borne (18), destinées à fournir une tension continue (Vdc) ; deux commutateurs (T1, T2) en série entre les troisième et quatrième bornes, dont le point milieu (32) est connecté à la première borne (12) ; et deux éléments de redressements (Th1, Th2) commandables en série entre les troisième et quatrième bornes, dont le point milieu (34) est connecté à la première borne ou à la deuxième borne (14).