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公开(公告)号：KR101216500B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020100129877
申请日：2010-12-17
Applicant: (주)에스엔텍
Abstract: 본발명은기판및 상기기판상에형성된도전층과활성층및 전극을포함하는반도체발광소자에관한것으로서, 상기기판표면에는단면투영시수직측면과원호상면을갖는원호상면요철패턴들이돌출형성되어있는것을특징으로한다. 이에의해, 제품을슬림화할 수있으며, 광출력효율이향상되는반도체발광소자및 그제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120098175A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110017949
申请日：2011-02-28
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/67069
Abstract: PURPOSE: A dry etching apparatus using waves is provided to easily discharge an etching by-product of an etched sacrificial layer to the outside by vibrating a vacuum chamber and a holder with an ultrasonic frequency when the sacrificial layer between a substrate and an element is removed. CONSTITUTION: A holder(120) is formed in a vacuum chamber(110). A peeled object(130) is composed of a substrate(131) and an element(137). A sacrificial layer(135) is formed between the substrate and the element. The sacrificial layer is etched by etching gas flowing into the vacuum chamber. A wave generator(140) is attached in the vacuum chamber and vibrates with a sound wave or an ultrasonic frequency. [Reference numerals] (AA) Etching gas
Abstract translation: 目的：提供使用波浪的干式蚀刻装置，以便当基板和元件之间的牺牲层被去除时，通过振动真空室和具有超声频率的保持器来容易地将蚀刻的牺牲层的蚀刻副产物排出到外部 。 构成：保持器（120）形成在真空室（110）中。 剥离物（130）由基板（131）和元件（137）构成。 在衬底和元件之间形成牺牲层（135）。 通过蚀刻进入真空室的气体来蚀刻牺牲层。 波发生器（140）附接在真空室中，并以声波或超声频率振动。 （标号）（AA）蚀刻气体
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公开(公告)号：KR101160680B1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020090119217
申请日：2009-12-03
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은 마그네트 사이의 거리 또는 타겟과 마그네트 사이의 거리를 조절할 수 있는 원통형 스퍼터링 캐소드에 관한 것이다. 본 발명의 원통형 스퍼터링 캐소드에 의하면, 자기장 및 플라즈마의 균일성을 향상시켜 타겟의 균일 침식을 유도하여 박막을 균일하게 증착할 수 있으며, 타겟의 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 원통형 스퍼터링 캐소드는 타겟과 마그네트 사이의 거리 또는 마그네트 간의 거리를 조절함으로써 표면자기장의 세기를 조절하여 박막의 특성이 변하지 않도록 균일하게 유지할 수 있는 장점이 있다.
스퍼터링(sputtering), 원통형, 캐소드, 타겟, 마그네트-
公开(公告)号：KR1020120068303A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020100129872
申请日：2010-12-17
Applicant: (주)에스엔텍
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting element and a manufacturing method thereof are provided to improve optical power efficiency by including a substrate having a multiple embossing pattern. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting device comprises a substrate(10), a conductive layer(20) formed on the substrate, an active layer(30), and an electrode. A multiple embossing pattern(50) having a plurality of first patterns and a plurality of second patterns is formed on the surface of the substrate. The first pattern has a partial arc cross-sectional shape and is formed by an isotropic etching process. The second pattern is formed by a surface plasma embossing process on the surface of the first pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光元件及其制造方法，通过包括具有多个压花图案的基板来提高光功率效率。 构成：半导体发光器件包括衬底（10），形成在衬底上的导电层（20），有源层（30）和电极。 在基板的表面上形成具有多个第一图案和多个第二图案的多重压印图案（50）。 第一图案具有局部弧形截面形状，并通过各向同性蚀刻工艺形成。 第二图案通过在第一图案的表面上的表面等离子体压花处理形成。
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公开(公告)号：KR101148165B1
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：KR1020100055958
申请日：2010-06-14
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 기판 온도 제어방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는, CIGS 광 흡수층 증착공정과 같이 정밀한 온도제어가 요구되는 분야에서, 상기 기판의 온도를 제어하기 위한 기판 온도 제어방법으로서, 승온 되는 당해 공정의 기판 온도에 대응하여 목표 온도를 지속적으로 변경시켜 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 온도 제어방법에 관한 것이다.
본 발명의 기판 온도 제어방법은, 전체 제조 비용 증가 및 생산성 저하를 방지하면서도, 오버 슈트의 발생 및 그에 따른 유리 기판의 변형을 방지하여 안정적으로 공정을 수행할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070016187A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：KR1020070007058
申请日：2007-01-23
IPC: C23C14/22 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/3442 , C23C14/225 , C23C14/3464 , C23C14/505
Abstract: 본 발명은, 주입구를 통해 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스와, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리 및, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀에서 반사시켜 중성빔으로 전환시키는 반사체를 구비하여 구성되는 중성빔발생장치와, 상기 반사체의 단부에 위치되고, 주입구를 통해 가스가 주입될 수 있으며, 상기 반사체에서 발생된 중성빔의 진행경로상에 피처리기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하는 반응챔버 및, 상기 피처리기판에 증착될 반응물질의 플럭스가 스퍼터링에 의해 생성되는 복수개의 타겟부를 구비하여 구성되고, � ��기 반사체의 반사체홀은, 상기 그리드 어셈블리에서 가속된 플럭스가 입사되는 입사면에서의 플럭스 입사면적(A1) 보다 반사체에서 출사되는 중성빔 플럭스의 출사면적(A2)이 크게되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 중성빔발생장치를 갖춘 물리적기상 증착장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, 주입구를 통해 주입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 추출하는 이온소오스와, 상기 이온소오스의 한쪽 단부에 위치하며, 특정 극성의 이온빔을 가속시키는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드 어셈블리 및, 상기 그리드 어셈블리의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 상기 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀에서 반사시켜 중성빔으로 전환시키는 반사 체를 구비하여 구성되는 중성빔발생장치와, 상기 반사체의 단부에 위치되고, 주입구를 통해 가스가 주입될 수 있으며, 상기 반사체에서 발생된 중성빔의 진행경로상에 피처리기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하는 반응챔버 및, 상기 피처리기판에 증착될 반응물질을 서멀 또는 이빔방식으로 증발시키는 복수의 소스부를 구비하여 구성되 고, 상기 반사체의 반사체홀은, 상기 그리드 어셈블리에서 가속된 플럭스가 입사되는 입사면에서의 플럭스 입사면적(A1) 보다 반사체에서 출사되는 중성빔 플럭스의 출사면적(A2)이 크게되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 중성빔발생장치를 갖춘 물리적기상 증착장치를 제공한다.
중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 증착-
公开(公告)号：KR100629653B1
公开(公告)日：2006-09-29
申请号：KR1020040082630
申请日：2004-10-15
Applicant: (주)에스엔텍
Inventor： 안경준
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은, 타겟 양측에 아노드를 배치하고 각각의 아노드가 번갈아가면서 아노드와 캐소드의 역할을 하도록 각각의 아노드에 타겟보다 진폭이 큰 반파 형태의 전원을 공급하면, 아노드 표면에 절연막이 형성되는 것이 방지되어 아크 발생이 억제되고 결과적으로 안정적인 플라즈마의 형성이 가능하게 되어 우수한 특성의 광학 박막의 증착이 가능하게 한 광학박막증착장치에 관한 것이다.
아크, 스퍼터링, 플라즈마, 아노드, 캐소드, 광학 박막-
公开(公告)号：KR1020060033491A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：KR1020040082630
申请日：2004-10-15
Applicant: (주)에스엔텍
Inventor： 안경준
IPC: C23C14/34
Abstract: 본 발명은, 타겟 양측에 아노드를 배치하고 각각의 아노드가 번갈아가면서 아노드와 캐소드의 역할을 하도록 각각의 아노드에 타겟보다 진폭이 큰 반파 형태의 전원을 공급하면, 아노드 표면에 절연막이 형성되는 것이 방지되어 아크 발생이 억제되고 결과적으로 안정적인 플라즈마의 형성이 가능하게 되어 우수한 특성의 광학 박막의 증착이 가능하게 한 광학박막증착장치에 관한 것이다.
아크, 스퍼터링, 플라즈마, 아노드, 캐소드, 광학 박막-
公开(公告)号：KR100559069B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040090820
申请日：2004-11-09
Applicant: (주)에스엔텍
Inventor： 안경준
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은, 챔버와 상기 챔버 내측의 기판 재치대와 상기 챔버 외부 양측에 배치된 자장 발생용 코일과 챔버 내 일측에 배치되는 할로겐 램프를 포함하고, 상기 기판 하측의 할로겐 램프로부터 상기 기판 재치대 상의 기판으로 열이 전달되도록 하기 위한 열투과창이 상기 기판 재치대에 형성되고, 상기 기판 재치대 내부에 냉각수로가 형성되고, 상기 코일에 의하여 둘러싸인 코어의 일측은 상기 챔버 내로 유입되고, 상기 챔버 내로 유입되는 코어의 일측 단부는 단부로 갈수록 코어의 두께가 작아지도록 테이퍼지게 하여 단부가 뾰족하게 형성되어 상기 단부에서 자장이 발생되는 자장 중 급속 열처리(RTP : Rapid Thermal Processing) 장치에 관한 것이다.
자장, 전자석, 급속 열처리Abstract translation: 本发明中，在与所述内基板载置台的腔室中的腔室，和用于卤素灯，和从衬底的卤素灯的基板，所述下部安装设置在线圈中的一个侧面和设置在所述腔室的两侧外部的磁场发生装置的腔室 在衬底台上形成冷却窗，并将由线圈包围的芯的一侧引入腔室内，并将冷却水引入腔室内， 朝向端部的芯由一个端部渐缩，使得所述芯端部的更小的厚度被锐化以形成磁场，该磁场在端部产生的磁场的快速热处理：涉及（RTP快速热处理）装置。
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