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公开(公告)号：WO2019221413A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：PCT/KR2019/004845
申请日：2019-04-23
Applicant: (주)에스엔텍
Inventor： 배정운
Abstract: 본 발명은 반도체공정 모니터링을 위한 웨이퍼에 있어서, 특히 플라즈마 균일도나 밀도 등의 상태를 측정하는 플라즈마 측정용 웨이퍼에 관한 것으로, 상부의 제1웨이퍼와 하부의 제2웨이퍼가 본딩되어 형성되는 웨이퍼 본체와 플라즈마 상태 측정을 위해 상기 웨이퍼 본체의 내부에 격리되게 형성되는 한 쌍의 메탈전극으로 구성되어, 플라즈마 균일도나 밀도 등의 상태를 측정하기 위해 구비되는 메탈전극이 공정 중에 오염되거나 마모되는 문제를 해소할 뿐만 아니라 플라즈마 형성에 따라 발생하는 고주파 성분(RF component)에 의해 내부 회로가 파손되는 문제를 해소해주는 발명이다.
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公开(公告)号：WO2018199601A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：PCT/KR2018/004753
申请日：2018-04-24
Applicant: (주)에스엔텍
Inventor： 배정운
Abstract: 본 발명은 반도체공정 모니터링을 위한 센서회로들을 내부에 탑재하면서도 서로 다른 온도 조건에서 실시되는 공정을 지원하도록 웨이퍼들이 본딩된 형태를 가지는 센서 탑재 웨이퍼에 관한 것으로, 적어도 하나의 리세스를 구비하는 하부의 제1웨이퍼와, 적어도 하나의 리세스를 구비하며 상기 제1웨이퍼에 본딩되는 상부의 제2웨이퍼로 구성되되, 상기 제1웨이퍼는 제1리세스(1st recess)와, 상기 제1리세스의 내측 및 상기 제1웨이퍼의 상부면에 형성되는 제1절연막과, 상기 제1웨이퍼의 상부면 일측에서부터 상기 제1리세스의 일측 내벽 및 바닥면의 일측에 걸쳐서 상기 제1절연막 상에 형성되는 제1전극과, 상기 제1리세스의 바닥면에서 상기 제1전극과 이격되면서 상기 제1웨이퍼의 상부면 타측에서부터 상기 제1리세스의 타측 내벽 및 바닥면의 타측에 걸쳐 상기 제1절연막 상에 형성되는 제2전극과, 상기 제1리세스의 바닥면에서 상기 제1전극과 상기 제2전극에 전기적으로 접촉되는 제1센서회로를 구비하는 것이다.
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公开(公告)号：KR101972497B1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：KR1020170095037
申请日：2017-07-27
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: H01L23/482 , H01L23/532 , H01L23/00
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公开(公告)号：KR101917832B1
公开(公告)日：2018-11-12
申请号：KR1020170085516
申请日：2017-07-05
Inventor： 배정운
Abstract: 본발명은반도체공정모니터링을위한테스트용웨이퍼에있어서, 특히플라즈마밀도를측정하는플라즈마밀도측정용웨이퍼에관한것으로, 웨이퍼본체와, 상기웨이퍼본체의상면에노출되게형성되는도전성의탐침전극과, 상기탐침전극을둘러싸는형태로상기웨이퍼본체의상면에노출되게형성되는도전성의쉴드패턴과, 상기탐침전극과전기적으로연결되면서상기웨이퍼본체의내부에구비되는플라즈마밀도측정회로부와, 상기쉴드패턴과전기적으로연결되면서상기웨이퍼본체의하면에노출되게형성되는도전성의그라운드전극을포함하여구성되는것이특징인발명이다.
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公开(公告)号：KR101807492B1
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020170055160
申请日：2017-04-28
Inventor： 배정운
Abstract: 본발명은반도체공정모니터링을위한센서회로들을내부에탑재하는센서탑재웨이퍼에관한것으로, 하부의제1웨이퍼; 그리고상기제1웨이퍼의상부에본딩되는제2웨이퍼로구성되되, 상기제1웨이퍼는제1리세스(1st recess)와, 상기제1리세스의내측및 상기제1웨이퍼의상부면에형성되는절연막과, 상기제1웨이퍼의상부면일측에서부터상기제1리세스의일측내벽및 바닥면의일측에걸쳐형성되는제1전극과, 상기제1리세스의바닥면에서상기제1전극과이격되면서상기제1웨이퍼의상부면타측에서부터상기제1리세스의타측내벽및 바닥면의타측에걸쳐형성되는제2전극과, 상기제1리세스의바닥면에서상기제1전극과상기제2전극에전기적으로접촉되는제1센서회로를포함하고, 상기제2웨이퍼는상기제1센서회로를상부에서커버하도록상기제1리세스에대향하게형성되는제2리세스(2nd recess)를포함하는것이특징인발명이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于在其中安装用于半导体工艺监控的传感器电路的传感器安装晶片，包括：下部第一晶片; 以及结合到第一晶片的上部的第二晶片，其中第一晶片具有第一凹槽，形成在第一凹槽的内侧上和第一晶片的上表面上的绝缘膜， 第一电极，形成在所述第一晶片的上表面的一侧上并且形成在所述第一凹槽的内壁和底表面的一侧上;以及第二电极，形成在所述第一凹槽的底表面上， 第二电极，其形成在第一凹部的另一侧上，并且形成在第一凹部的内壁和底部的另一侧;以及第二电极，其形成在第一凹部的底表面上，与第一电极和第二电极电接触 并且第二晶片包括形成为面对第一凹部的第二凹部，以覆盖第二传感器电路顶部上的第一传感器电路 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101596402B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020130121897
申请日：2013-10-14
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: H01L21/02
Abstract: 본발명은 N2 환경챔버의표면처리방법및 이에의해제작된 N2 환경챔버에관한것으로서, 상기표면처리방법은상기챔버의표면처리대상표면을전처리하는전처리단계; 전처리된상기표면에무정전재료를도장하는도장단계; 상기무정전재료가도장된표면을후처리하는후처리단계를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 챔버의제작시간과제작비를절감함과동시에, 제작이용이하고수분및 아웃가스발생을방지할수 있는 N2 환경챔버의표면처리방법및 이에의해제작된 N2 환경챔버가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160014897A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097008
申请日：2014-07-30
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/3407
Abstract: 본발명은막 형성장치용롤에관한것으로서, 중공체로마련되는내부관과, 상기내부관의둘레를열교환유체순환공간을두고둘러싸는외부관을갖는롤본체; 상기롤본체의중심에결합되는중공관체의롤회전축; 상기롤회전축의축선방향양측에서상기열교환유체순환공간과상기롤회전축의내부를연결하는적어도하나씩의내부유입유로및 내부배출유로; 상기롤회전축과구동원을연결하면서중심에외부배출구가관통되어있는조인트블록; 상기롤회전축의내부에마련되어상기외부배출구와상기내부배출유로를연결하는배출연결유로를형성하며, 중심에상기외부배출구와동축선상에위치하는유입관삽입구가형성되어있는로터리블록; 상기외부배출구와상기유입관삽입구에삽입되어외부로부터열교환유체를상기롤회전축내부로공급하는유입관;을포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 막형성장치의구성에서기재히팅을위한별도의구성을구비할필요가없는막 형성장치용롤이제공된다. 또한, 롤의기능적특성저하를방지함과동시에열교환유체의소모량을줄일수 있는막 형성장치용롤이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种成膜装置用卷筒，其特征在于，包括：辊本体，其包括中空内管和围绕所述内管周围的外管，具有使所述热交换流体循环的空间; 联接到辊体的中心的中空管状辊旋转轴; 至少一个内部入口通道和内部出口通道，其连接所述空间以使所述辊旋转轴的轴线方向的两侧上的热交换流体和所述辊旋转轴的内部循环; 连接所述辊旋转轴和驱动源的接头块，其中外部出口穿过所述接头块的中心; 旋转块，布置在辊旋转轴内部，以形成连接外部出口和内部出口通道的出口连接通道，其中位于与外部出口的同轴线上的入口管插入孔形成在中心 的旋转块; 以及插入外部出口的入口管和入口管插入孔，以从辊旋转轴的外部向内部供应热交换流体。 因此，本发明提供一种用于成膜装置的辊，其不必包括用于加热基材的任何单独的部件。 此外，可以防止辊的功能特征的脱落，并且能够降低热交换流体的消耗。
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公开(公告)号：KR200478365Y1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：KR2020130008414
申请日：2013-10-14
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: H01L21/02
Abstract: 본고안은기판처리시스템의상호인접하는양측챔버를연결하는연결어댑터에관한것으로서, 상기양측챔버의기판배출구및 기판유입구둘레에각각결합되며, 중앙영역에기판통과구가형성되어있는한 쌍의플랜지부; 상기양 플랜지부사이에상기기판통과구를둘러싸도록개재되어양 단부가상기양 플랜지부에연결되고, 중간부분에접힘및 전개되는접힘단이형성되어있으며, 상기양 플랜지부의거리및 평면적위치조절이가능한가변연결부를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 인접하는양측챔버간의위치및 거리오차를용이하게보정함과동시에, 연결형태의변형을최소화하여기판이동을저해하지않는기판처리시스템의챔버연결어댑터가제공된다. 또한, 양챔버의상호대향하는기판출입구및 배출구간의평면적위치오차의보정이매우용이함과동시에, 구조를간단히하고제작단가를현격하게절감할수 있는기판처리시스템의챔버연결어댑터가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020150093316A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020140013920
申请日：2014-02-07
Applicant: (주)에스엔텍
CPC classification number: B65H35/04 , B65H2301/51512 , B65H2301/5153
Abstract: 본 발명은 연질의 기재가 감아 도는 롤의 인접 영역에 마련되어 상기 기재의 커팅을 가이드하는 롤커팅가이더에 관한 것으로서, 상기 롤의 중심축 길이 방향의 적어도 일 측에 착탈 가능하게 결합되는 축결합부와, 상기 축결합부로부터 상기 중심축의 반경 방향으로 연장되는 커팅가이드지지부를 갖는 축지지부재; 상기 중심축에 평행하게 배치되도록 상기 커팅가이드지지부에 결합되며, 상기 기재를 향하는 측에 길이방향을 따라 커팅가이드홈이 형성되어 있는 커팅가이드부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의해, 롤투롤 형태의 기재 이송 장치의 기재 이송 구간 중 임의의 선택된 영역에서 기재를 커팅할 수 있는 범용적인 호환성을 갖는 롤커팅가이더가 제공된다.
또한, 롤투롤 형태의 기재 이송 장치의 신규 제작 장치 또는 기존 장치 모두에 대해 범용적인 호환성을 갖는 롤커팅가이더가 제공된다.Abstract translation: 本发明涉及一种在与其上缠绕有柔性衬底的辊相邻的区域中制备的辊切割导向器，以引导衬底的切割。 根据本发明，辊切割导向器包括：轴支撑构件，其包括组合在所述辊的中心轴的纵向方向上的至少一个侧面上的轴组合部分，以及延伸到 所述中心轴从所述轴组合部的径向方向; 以及与所述切割引导件支撑部件组合的切割引导部件，所述切割引导件支撑部件与所述中心轴平行布置，所述中心轴在纵向方向上具有切割引导槽朝向基板。 本发明具有以下的效果：在基板转印装置的基板转印部分中以与卷筒对卷形式相对应的新型制造装置或现有装置具有通用兼容性的随机选择区域中的基板 以卷对卷形式的基片传送装置。
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公开(公告)号：KR1020150081726A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001490
申请日：2014-01-06
Applicant: (주)에스엔텍
IPC: C23C14/35 , H01L21/203
Abstract: 기재의증착대상면에박막을증착하는원통형스퍼터링캐소드장치및 이를이용한박막증착방법에관한것으로서, 외주면에타겟을가지고상호평행하게이격배치된적어도한 쌍의원통형타겟조립체; 상기각 타겟조립체내부에마련되며, 상기타겟조립체의축선을중심으로미리설정된회전각범위로회전가능한마그네트조립체; 상기타겟조립체를회전시키며, 상기마그네트조립체를회전및 회전위치유지시키는구동수단; 상기박막의증착과정에서증착두께별로미리설정된적어도 2단계의증착단계에따라상기마그네트조립체의회전각을미리설정된상기증착단계별회전각을갖도록상기구동수단의구동을제어하는제어부를포함하는것을특징으로한다. 이에의해, 기재의재질이한정되지않고, 기재및 초기증착층이플라즈마에의한데미지를입지않으면서고속으로안정적인박막증착이가능한원통형스퍼터링캐소드장치및 이를이용한박막증착방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种圆柱形溅射阴极器件，在基材的沉积靶表面上沉积薄膜，以及通过使用该薄膜沉积薄膜的方法。 该装置包括彼此平行分离的一对圆柱形目标组件; 放置在每个目标组件中并且以旋转角度范围围绕目标组件的轴线旋转的磁体组件; 操作单元旋转目标组件，并将目标组件保持在旋转位置; 以及控制部分，其控制所述操作单元的操作，以使所述目标组件的旋转角度根据至少两级的沉积程度，通过沉积层级而成为旋转角度，所述至少两层的沉积程度根据沉积薄膜的过程期间的沉积厚度而预先设定 电影。 因此，提供了一种圆柱形溅射阴极器件和通过使用它的沉积薄膜的方法，其能够稳定地沉积薄膜而不会损坏等离子体到基底材料和初始沉积层，而不限制基底材料 。
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