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公开(公告)号：CN117219623A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310685942.7
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器、包括其的电子器件及制备所述电容器的方法。可提供电容器，其包括：第一薄膜电极层、第二薄膜电极层、在第一和第二薄膜电极层之间的电介质层、以及在第一薄膜电极层和电介质层之间和/或在第二薄膜电极层和电介质层之间的第一中间层。第一中间层包括第一金属氧化物，第一和第二薄膜电极层的至少一个包括具有导电性金红石晶体结构的第二金属氧化物，第二金属氧化物包括非贵金属，电介质层包括具有介电性金红石晶体结构的第三金属氧化物，且第一金属氧化物、第二金属氧化物和金属氧化物具有彼此不同的组成，第一金属氧化物包括GeO2，第三金属氧化物包括TiO2，且第一中间层的厚度小于电介质层的厚度。
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公开(公告)号：CN114566592A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111375817.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。
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公开(公告)号：CN114203904A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110490254.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 提供一种电子器件，其包括：下电极；上电极，与下电极隔开而不与下电极直接接触；以及在下电极和上电极之间的电介质层，该电介质层包括第一金属氧化物区域、第二金属氧化物区域以及第三金属氧化物区域。第三金属氧化物区域在第一金属氧化物区域和第二金属氧化物区域之间，并包括硼和从铝(Al)、镁(Mg)、硅(Si)或铍(Be)选择的一种或更多种金属元素。在第三金属氧化物区域中，硼(B)的含量小于或等于Al、Mg、Si和/或Be的金属元素的含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252584B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610390165.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052
Abstract: 本公开提供了二次电池结构、单电池结构和电池系统。二次电池结构包括：第一电极结构，包括彼此分隔开的多个第一电极元件并设置成阵列的形式；第二电极结构，与第一电极结构分隔开并包括第二电极元件；以及电解质，允许离子在第一电极结构和第二电极结构之间运动，其中第一电极结构和第二电极结构限定阴极和阳极，并且第一电极元件的数量和第二电极元件的数量彼此不同。
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公开(公告)号：CN103579043B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201310124248.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25D17/00 , C25F5/00 , C25F7/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
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公开(公告)号：CN106252584A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610390165.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M10/052
CPC classification number: H01M10/4257 , H01M4/131 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , H01M2004/025 , H01M2004/028 , H01M2010/0495 , H01M2010/4271 , H01M2010/4278 , H01M2220/30 , H02J7/0068 , H01M4/13 , H01M10/052
Abstract: 本公开提供了二次电池结构、单电池结构和电池系统。二次电池结构包括：第一电极结构，包括彼此分隔开的多个第一电极元件并设置成阵列的形式；第二电极结构，与第一电极结构分隔开并包括第二电极元件；以及电解质，允许离子在第一电极结构和第二电极结构之间运动，其中第一电极结构和第二电极结构限定阴极和阳极，并且第一电极元件的数量和第二电极元件的数量彼此不同。
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公开(公告)号：CN105577135A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510977914.8
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。
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公开(公告)号：CN103579310A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310073946.6
申请日：2013-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
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