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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569208B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110459218.X
申请日：2011-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/36 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体封装及其制造方法。在一个实施方式中，为了制造半导体封装，提供其中制造有半导体芯片的晶片。散热层形成在整个晶片上方。散热层接触半导体芯片的顶表面。之后，从晶片分割多个半导体芯片。
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公开(公告)号：CN102623441A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210021184.0
申请日：2012-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/81 , H01L2224/83
Abstract: 公开了一种半导体装置和制造它们的方法。所述半导体装置可包括第一芯片、第一芯片上方的第二芯片、导电凸块、均匀一体底部填充材料和模制材料。导电凸块可在第一芯片的上表面和第二芯片的下表面之间延伸。均匀一体底部填充材料可置于第一芯片和第二芯片之间，包封导电凸块，并沿第二芯片的侧壁延伸。均匀一体底部填充材料的上表面可在与第二芯片的上表面平行的方向上延伸并与第二芯片的上表面相邻地设置。模制材料可位于第一芯片的上表面上方的均匀一体底部填充材料的外侧表面上，其中，模制材料通过均匀一体底部填充材料与第二芯片的侧壁分开，从而模制材料不接触第二芯片的侧壁。
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公开(公告)号：CN100424866C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410068670.3
申请日：2004-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/112 , H05K3/361 , H01L2224/05599
Abstract: 一种带式电路基板及使用该带式电路基板的半导体芯片封装。带式电路基板可包括由绝缘材料构成并在其一部分处形成有通孔的基膜、形成在基膜的第一表面上的第一布线图案层、以及形成在基膜的第二表面上并且通过填充在通孔中的导电材料或插塞电连接到形成在第一表面上的端子上的至少一个第二布线图案层。半导体芯片封装可以包括可通过芯片凸点电连接到带式电路基板上的半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1671270A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055125.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F4/02 , H05K3/027 , H05K3/06 , H05K2203/0369 , H05K2203/0783 , H05K2203/1121 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明公开了一种制造带式线路基底的方法。通过该方法用简化的制造工艺可以降低生产成本。可以形成具有细小节距的线路图案。在一实施例中，该方法包括提供基层膜，在基层膜上形成金属层，并且使用激光将金属层图案化为线路图案。在另一个实施例中，使用激光将金属层部分去除，并且通过例如后续的湿法蚀刻完成线路图案的形成。
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公开(公告)号：CN1591841A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068670.3
申请日：2004-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/112 , H05K3/361 , H01L2224/05599
Abstract: 一种带式电路基板及使用该带式电路基板的半导体芯片封装。带式电路基板可包括由绝缘材料构成并在其一部分处形成有通孔的基膜、形成在基膜的第一表面上的第一布线图案层、以及形成在基膜的第二表面上并且通过填充在通孔中的导电材料或插塞电连接到形成在第一表面上的端子上的至少一个第二布线图案层。半导体芯片封装可以包括可通过芯片凸点电连接到带式电路基板上的半导体芯片。
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