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公开(公告)号：CN119673252A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410303703.5
申请日：2024-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和存储器系统。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，用于存储原始设置数据；页缓冲器电路，通过多条位线连接到存储器单元阵列；以及安全缓冲器和控制电路。安全缓冲器包括访问控制电路和具有受限访问的多个寄存器，并且所述多个寄存器存储在初始化序列中通过页缓冲器电路从存储器单元阵列向下转储的原始设置数据。控制电路控制页缓冲器电路和安全缓冲器。所述多个寄存器包括第一寄存器和第二寄存器。响应于第一寄存器被访问，访问控制电路与访问第一寄存器同时访问第二寄存器中的至少一部分寄存器。
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公开(公告)号：CN117597622A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280047360.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李圭谨 , 哈里·爱德华·米尔顿 , 慎成桓 , 具本坤 , 李承宰
IPC: G02B27/01
Abstract: 提供了一种由增强现实(AR)设备执行的测量用户视力的方法。该方法包括：通过使用AR设备中包括的外向相机捕获AR设备的前部区域，来获得包括至少一个物理对象的图像在内的背景图像；识别背景图像中的至少一个物理对象的图像的边缘；基于所识别的边缘确定背景图像上用于测量用户视力的第一区域；确定AR设备中包括的显示器上与所确定的第一区域相对应的第二区域；将用于测量用户视力的虚拟对象输出到所确定的第二区域；在输出虚拟对象之后获得用于视力测量的用户输入信号；以及基于所获得的用户输入信号计算用户的视力处方值。
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公开(公告)号：CN116390479A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211678710.0
申请日：2022-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 一种制作半导体器件的方法包括：在衬底的第一区域和第二区域上形成绝缘层和外围结构，在所述绝缘层和所述外围结构上形成第一掩膜层和第二掩膜层，图案化所述第一掩膜层和第二掩膜层以在所述第一区域和所述第二区域上形成第一掩膜结构和第二掩膜结构，使用所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构作为蚀刻掩膜蚀刻所述绝缘层以形成绝缘图案，在所述第一区域上在相邻绝缘图案之间的空间中形成牺牲层，通过干蚀刻工艺去除所述第一区域上的所述第二掩膜图案，在去除在所述第一区域上的所述第二掩膜图案之后，在所述第二区域上的所述第二掩膜层的表面上形成抗氧化层，以及通过湿蚀刻工艺去除具有所述抗氧化层的所述第二掩膜层。
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公开(公告)号：CN108133934B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201810063223.0
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L21/764
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425021B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201410339949.4
申请日：2014-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及非易失性存储器件和相关的字线驱动方法。非易失性存储器件包括：多个存储块，每个包括排列在字线和位线的交叉点处的多个存储单元；地址解码器，被配置成响应于地址将第一线电连接到存储块中的一个的字线；线选择开关电路，被配置成根据地址以不同的配置将第一线电连接到第二线；第一线解码器，被配置成向第二线提供驱动所需的字线电压；以及电压生成器，被配置成生成字线电压。
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公开(公告)号：CN110197690A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910122861.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。
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公开(公告)号：CN103578555B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310305782.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/22
CPC classification number: G06F12/14 , G06F12/1433 , G06F21/78 , G06F21/79 , G06F2212/202
Abstract: 提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。
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公开(公告)号：CN103578555A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310305782.5
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/22
CPC classification number: G06F12/14 , G06F12/1433 , G06F21/78 , G06F21/79 , G06F2212/202
Abstract: 提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。
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公开(公告)号：CN102800781A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210162730.2
申请日：2012-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法和一种发光设备。该半导体发光装置包括：透光基底；发光部分；第一电极和第二电极，分别电连接到第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层；后反射部分，包括反射金属层以及置于透光基底和反射金属层之间的透光介电层。
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