公开(公告)号：CN103000810B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201210103761.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金奎植 ,  陈勇完 ,  李光熙 ,  林东晳 ,  林宣晶

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。

公开(公告)号：CN107546327A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710513122.4

申请日：2017-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东晳 ,  李光熙 ,  八木弹生 ,  尹晟荣 ,  李启滉 ,  林宣晶 ,  陈勇完

IPC: H01L51/42 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/4293 ,  H01L51/44 ,  H01L2251/303 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开有机光电子器件、图像传感器和电子设备。所述有机光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括光电转换区域和掺杂区域的光吸收层，所述光电转换区域包括p型光吸收材料和n型光吸收材料，所述掺杂区域包括所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种以及激子猝灭剂，其中所述p型光吸收材料和所述n型光吸收材料的至少一种选择性地吸收可见光的一部分，且图像传感器包括所述有机光电子器件。

公开(公告)号：CN103524531B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310283609.X

申请日：2013-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  金奎植 ,  朴敬培 ,  林东皙 ,  林宣晶 ,  陈勇完

IPC: C07D495/22 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07F7/08 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D495/04 ,  H01B1/12 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4‑7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]

公开(公告)号：CN106992252A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611078238.1

申请日：2016-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东皙 ,  林宣晶 ,  李光熙 ,  X.布利亚德 ,  陈勇完 ,  八木弹生

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4293 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5004 ,  H01L2251/303 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及有机光电器件、图像传感器和电子设备。有机光电器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括提供p‑n结的第一材料和第二材料的光电转换层；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括第三材料的与所述第一电极邻近的夹层，其中所述第一材料和所述第三材料为各自具有约1.7eV‑约2.3eV的能带隙的有机材料，并且提供包括其的图像传感器。

公开(公告)号：CN103682150A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310408217.1

申请日：2013-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东皙 ,  金奎植 ,  金桢佑 ,  朴敬培 ,  李光熙 ,  林宣晶

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/50 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L51/442 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5234 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及透射电极、有机光电器件、图像传感器和有机发光二极管。根据实例实施方式，透射电极可包括光透射层。所述光透射层可包括金属和金属氧化物，以比所述金属小的量包括所述金属氧化物。根据实例实施方式，有机光电器件以及图像传感器可包括所述透射电极。

公开(公告)号：CN103524531A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310283609.X

申请日：2013-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  金奎植 ,  朴敬培 ,  林东皙 ,  林宣晶 ,  陈勇完

IPC: C07D495/22 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07F7/08 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0071 ,  C07D495/04 ,  H01B1/12 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/424 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  C07D495/22 ,  C07D495/14 ,  C07F7/0816

Abstract: 本发明提供有机光电材料和有机光电器件以及图像传感器。有机光电材料可包括由化学式1表示的化合物，其中A为包括4-7个彼此稠合的环的含噻吩的芳族基团，和有机光电器件以及图像传感器包括所述有机光电材料。[化学式1]

公开(公告)号：CN103000810A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210103761.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金奎植 ,  陈勇完 ,  李光熙 ,  林东晳 ,  林宣晶

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。