公开(公告)号：CN101009287A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610163183.4

申请日：2006-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  玄在雄 ,  金锡必 ,  李政勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低触点电阻的NAND型非易失存储器件，及操作该器件的方法。该NAND型非易失存储器件包括：第一串与第二串，其每个的一端分别连接到公共位线与公共源线。第一串与第二串每个都具有串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管。字线分别连接到同一行的单位器件的控制栅极。第一串选择线与第二串选择线分别连接到第一串与第二串的串选择晶体管的栅极。第一源选择线与第二源选择线分别连接到第一串与第二串的源选择晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN1963946A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610091210.1

申请日：2006-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  边成宰 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  金锡必 ,  玄在雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C16/0416 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。

公开(公告)号：CN1901201A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610108020.6

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  玄在雄 ,  边成宰 ,  李政勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种非易失存储装置及其制备方法，其通过减小每个位的面积和控制主体偏压而具有提高的集成度并/或提高的性能。该非易失存储装置可以使用至少一对鳍的外侧表面和/或上表面的表面部分作为至少一对沟道区域，该至少一对鳍从主体突出并彼此间隔开地沿一个方向延伸。至少一个控制栅电极可以形成来跨过该沟道区域，并且至少一对存储节点可以插入在控制栅电极和沟道区域之间的至少一个部分。

公开(公告)号：CN1825594A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610004871.6

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  韩祯希 ,  朴玩濬 ,  金元柱 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/56 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0554 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。