图像传感器和电子装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113284914A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110119680.9

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本公开提供了图像传感器和电子装置。一种图像传感器可以包括:第一光感测器件,在半导体基板上并配置为感测第一波长谱的光;以及第二光感测器件和第三光感测器件,被集成在半导体基板中并配置为分别感测第二波长谱的光和第三波长谱的光。第一光感测器件可以在半导体基板的厚度方向上与第二光感测器件和第三光感测器件中的每个重叠。第二光感测器件和第三光感测器件在该厚度方向上不重叠,并且每个具有上表面、下表面以及在上表面与下表面之间的掺杂区。第三光感测器件包括比第二光感测器件的上表面距半导体基板的上表面更深的上表面以及比第二光感测器件的掺杂区厚的掺杂区。图像传感器可以省略第一光感测器件。

    光电转换器件及有机传感器和电子设备

    公开(公告)号:CN111192961A

    公开(公告)日:2020-05-22

    申请号:CN201911017125.4

    申请日:2019-10-24

    Abstract: 本发明涉及光电转换器件及有机传感器和电子设备。光电转换器件包括:面向彼此的第一电极和第二电极;在所述第一电极和所述第二电极之间并且配置成吸收光的波长谱的至少一部分中的光并将其转换成电信号的光电转换层;以及在所述第一电极和所述光电转换层之间并且包括镧系元素、钙(Ca)、钾(K)、铝(Al)、或其合金的无机纳米层。有机CMOS图像传感器可包括所述光电转换器件。电子设备可包括所述有机CMOS图像传感器。

    图像传感器和电子装置
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110120398B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN201910084606.0

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明构思涉及一种图像传感器和电子装置。该图像传感器可以包括:光电二极管,在半导体基板内并配置为感测红外波长光谱中的光;光电转换器件,在半导体基板上并配置为感测可见波长光谱中的光;以及滤波元件,配置为选择性地透过红外波长光谱和可见波长光谱的至少一部分。滤波元件可以包括在光电转换器件上的多个滤色器。光电转换器件可以包括彼此面对的成对电极以及在该成对电极之间并配置为选择性地吸收可见波长光谱中的光的光电转换层。滤波元件可以在半导体基板与光电转换器件之间,并且可以选择性地吸收红外光并选择性地透过可见光。

    图像传感器和包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN107039473B

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN201611059608.7

    申请日:2016-11-25

    Abstract: 本公开涉及图像传感器和包括其的电子装置。一种图像传感器包括含有多个光感测器件的半导体衬底、布置在半导体衬底上并吸收第一颜色和第二颜色的混合光的光电转换器件、以及布置在光电转换器件的一侧并配置为选择性透射包括第三颜色的混合光的颜色滤光器,并且一种包括该图像传感器的电子装置被提供。

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