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公开(公告)号：CN109478015B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201680087729.4
申请日：2016-10-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G03F7/004 , H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/324 , H01L21/02 , C08L65/00
Abstract: 本发明揭示一种有机层组成物及使用有机层组成物的图案形成方法，有机层组成物包含：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元；添加剂，在作为含芳族环化合物的结构中包含经取代或未经取代的胺基、经取代或未经取代的乙烯基、经取代或未经取代的乙炔基、叠氮基及腈基中的至少一者；以及溶剂。化学式1与在说明书中所定义的相同。本发明因包含预定聚合物及预定添加剂而在以旋涂方法进行涂布的同时具有提高的耐蚀刻性的有机层组成物。由有机层组成物制造的有机层具有提高的膜密度及膜平坦度。
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公开(公告)号：CN114302930A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080060553.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种研磨钨图案晶圆的化学机械研磨(CMP)浆料组成物以及一种使用其研磨钨图案晶圆的方法。所述化学机械研磨浆料组成物包含：选自极性溶剂及非极性溶剂中的至少一者；磨蚀剂；由式1表示的化合物；及多羧酸，其中在化学机械研磨浆料组成物中，由式1表示的化合物以约0.001重量％至约2重量％的量存在，且多羧酸以约0.001重量％至约5重量％的量存在。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105622364B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201510725055.3
申请日：2015-10-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C07C43/23 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C08G61/02 , C08G2261/1422 , C08G2261/1424 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3424 , C08G2261/362 , C08G2261/45 , C08G2261/72 , C09D165/00
Abstract: 本发明提供一种同时确保耐蚀刻性和平坦化特征的单体、聚合物、有机层组成物、有机层及形成图案的方法，其中，本发明公开由化学式1表示的单体、由化学式2表示的聚合物、包含用于有机层的化合物(即单体、聚合物或其组合)的有机层组成物、由有机层组成物制造的有机层以及通过固化有机层组成物获得的有机层。化学式1和化学式2与具体实施方式中所定义的相同。
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公开(公告)号：CN108291013A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070703.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明揭示一种聚合物，其包含由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元；包含所述聚合物的有机层组成物；及使用所述有机层组成物形成图案的方法。在化学式1及化学式2中，A1及A2独立地为二价基团，其包含经取代或未经取代的苯环中的至少一者，A3为包含四级碳的二价基团，且*为连接点。
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公开(公告)号：CN106883380A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611079474.5
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/02 , C08L65/00 , C09D165/00 , G03F7/00 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及一种聚合物、有机层组合物及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元：其中Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的苯环或包含两个至四个稠合的经取代或未经取代的苯环的芳环，A1及A2独立地为经取代或未经取代的芳环，其限制条件是A1及A2中的至少一者经氢可键结官能基取代，且A1的氢可键结官能基的数量与A2的氢可键结官能基的数量的总和大于或等于3，L为二价有机基，且＊为连接点。本发明的聚合物具有令人满意的溶解性特征以及优异的机械特征、耐蚀刻性及耐热性。[化学式1]所述化学式1与具体实施方式中所定义的相同。
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公开(公告)号：CN105575775A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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