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公开(公告)号：CN114916255A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202080088706.1
申请日：2020-12-07
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种喷吹不含杂质的高品质的活性气体的构造的活性气体生成装置。本发明的活性气体生成装置(100)具备：基座凸缘(4)，具有中央底面区域(48)和周边突出部(46)；冷却板(9)，设置在基座凸缘(4)的周边突出部(46)上；绝缘板(7)，设置在冷却板(9)与高电压施加电极部(1)之间；以及电极按压部件(8)，以从下方支承高电压施加电极部(1)的方式设置在冷却板(9)的下表面上。并且，通过冷却板(9)、电极按压部件(8)以及高电压施加电极部(1)，设置将壳体内空间(33)与放电空间(6)之间的气体的流动分离的气体分离构造。
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公开(公告)号：CN108292603B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201680068427.2
申请日：2016-01-06
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够以超过马赫的超高速向处理对象衬底供给气体的气体供给装置。并且，本发明的气体供给装置的气体喷出器(1)具有喷嘴部(10)。构成喷嘴部(10)的第一段限制筒(13)的开口部截面形状呈直径r1的圆形。第二段限制筒(14)沿着Z方向与第一段限制筒(13)连续地形成，开口部截面形状呈直径r2的圆形，将从第一段限制筒(13)供给的原料气体(G1)向下方的低真空处理腔(18)进行供给。这时，直径r2被设定为满足“r2>r1”。
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公开(公告)号：CN113179676A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201980080397.0
申请日：2019-11-27
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性气体生成装置，能够有意图地减弱活性气体到达后级的处理空间之前的区域中的电场强度。本发明通过高电压施加电极部(1)与接地电位电极部(2)的组合来构成在内部具有放电空间(6)的电极对。高电压施加电极部(1)作为主要构成部而具有电极用电介质膜(11)以及形成在电极用电介质膜(11)的上表面上的金属电极(10)。辅助导电膜(18)以俯视时不与金属电极(10)重叠且包围金属电极(10)的方式形成为圆环状。金属制的电极按压部件(8)在俯视时呈圆环状，以与辅助导电膜(18)的上表面的一部分接触的形态设置，并被固定于金属制的基底凸缘(4)。基底凸缘(4)被赋予接地电位。
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公开(公告)号：CN113170567A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077109.6
申请日：2019-11-12
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明的目的在于提供一种活性气体生成装置的结构，能够有意图地减弱在装置的后级设置的处理空间的电场强度，并且将活性气体的失活量抑制在必要最小限度。而且，在本发明的活性气体产生装置(101)中，设置于电极用电介质膜(11)上的辅助导电膜(12)以俯视时与所述活性气体流通路径的一部分重叠的方式设置，并且辅助导电膜(12)被设定为接地电位。设置于电极用电介质膜(21)上的活性气体用辅助部件(60)设置为，在电极用电介质膜(11)和(21)之间的电介质空间内，在放电空间(6)与气体喷出孔(23)之间填埋活性气体流通路径的一部分而限制为活性气体流通用间隙。
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公开(公告)号：CN109196959B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680086092.7
申请日：2016-05-27
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/30
Abstract: 本发明的目的是提供一种能够均匀性良好、比较高速地生成高密度的活性气体的活性气体生成装置。并且，本发明在活性气体生成用电极群及喷嘴构成部的下方设置气体喷流用整流器(70)而构成活性气体生成装置。气体喷流用整流器(70)将活性气体穿过多个喷嘴后的气体用气体整流通路(71)的入口部(711)一起接受。气体整流通路(71)形成为，出口部(710)的出口开口面积被设定为比入口部(711)的入口开口面积窄，并且通过由气体整流通路(71)进行的整流动作，多个喷嘴穿过后活性气体各自的圆柱状的气体喷流被变换为线状的整流后活性气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108293291B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201680069682.9
申请日：2016-01-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/24 , C23C16/513
Abstract: 本发明的目的在于提供能够生成高密度的活性气体的活性气体生成装置。并且，在本发明的活性气体生成装置中，金属电极(201H及201L)形成在电介体电极(211)的下表面上，在俯视时夹着电介体电极(211)的中央区域(R50)互相对置而配置。金属电极(201H及201L)将Y方向作为互相对置的方向。在电介体电极(211)的上表面的中央区域(R50)向上方突出而设置有楔形台阶形状部(51)。楔形台阶形状部(51)形成为随着俯视时靠近多个气体喷出孔(55)中的每个气体喷出孔，Y方向的形成宽度变短。
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公开(公告)号：CN108293291A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069682.9
申请日：2016-01-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/24 , C23C16/513
Abstract: 本发明的目的在于提供能够生成高密度的活性气体的活性气体生成装置。并且，在本发明的活性气体生成装置中，金属电极(201H及201L)形成在电介体电极(211)的下表面上，在俯视时夹着电介体电极(211)的中央区域(R50)互相对置而配置。金属电极(201H及201L)将Y方向作为互相对置的方向。在电介体电极(211)的上表面的中央区域(R50)向上方突出而设置有楔形台阶形状部(51)。楔形台阶形状部(51)形成为随着俯视时靠近多个气体喷出孔(55)中的每个气体喷出孔，Y方向的形成宽度变短。
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公开(公告)号：CN103766001A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280043157.1
申请日：2012-04-19
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H05H1/24 , C23C16/452 , C23C16/505 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/452 , H01J37/32036 , H01J37/32348 , H01J37/32357 , H01J37/32559 , H05H1/2406 , H05H2001/2412 , H05H2001/2431
Abstract: 本发明提供一种能够高效且多量地输出在被处理件上成膜功能绝缘膜中所使用的金属功能物质粒子气体的等离子体产生装置。本发明所涉及的等离子体产生装置100具备：电极单元；围绕电极单元的框体(16)。电极单元具有：第一电极(3)；放电空间(6)；第二电极(1)；电介质(2a、2b)；在俯视观察下形成于中央部的贯通口(PH)。并且，圆筒形状的绝缘筒部(21)配设在贯通口(PH)的内部，在该圆筒形状的侧面部具有喷出孔(21x)。此外，等离子体产生装置(100)具备与绝缘筒部(21)的空穴部(21A)连接且用于供给金属前体的前体供给部(201)。
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公开(公告)号：CN102066925B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980123355.7
申请日：2009-04-17
Applicant: 三菱电机株式会社 , 东芝三菱电机产业系统株式会社
CPC classification number: G01N33/0013
Abstract: 本发明提供在大气压附近实时地测定氮原子密度的氮原子测定方法。氮原子测定方法，是在大气压附近测定氮原子的密度的氮原子测定方法，具有以下步骤：对于在氮原子发生源中发生的含有氮原子的气体中的规定量，在上述氮原子发生源的下游，混合浓度已知的规定量的一氧化氮气；上述含有氮原子的气体与混合的上述一氧化氮气的反应后，测定一氧化氮的密度和二氧化氮的密度；使用如下关系算出氮原子密度：氮原子密度为从上述一氧化氮气的已知的浓度减去测定的上述一氧化氮的浓度和测定的上述二氧化氮的浓度之和所得到的差。
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公开(公告)号：CN102067291A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880130098.5
申请日：2008-06-24
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3143 , H01L21/02332 , H01L21/67207
Abstract: 本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。
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