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公开(公告)号：CN103794693B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410052014.8
申请日：2014-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT系统与现有技术相比，轴向分辨率提高4-6倍，在医学诊断上具有良好的应用前景。基于InPBi材料的发光二极管结构简单，可以通过分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种成熟的材料工艺进行生长；器件制备工艺简单成熟，易控制。因此利用本发明可以有效克服现有相关相干成像系统现有技术的局限，而且工艺简单、成熟、可控，具有极高的产业价值。
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公开(公告)号：CN104810454A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510240317.7
申请日：2015-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0062
Abstract: 本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi和Ga的元素百分含量分别为1.6％和2.3％时，该材料室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.4～2.7μm，半峰宽达到600nm，同时在Ga元素的补偿作用下，其晶格常数与InP衬底接近匹配。本发明报道的InGaPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InGaPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN104138637A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403289.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供一种小型可遥控的光感基因刺激装置及其控制方法，该装置包括中央处理单元、无线射频模块、开关驱动电路、数字电位器、自动功率控制电路、兴奋光源、光敏二极管、稳压模块及电源。无线射频模块接收外部指令并传送给中央处理单元，开关驱动电路实现兴奋光源的导通与断开形成光脉冲；数字电位器改变光敏二极管的静态工作电流从而控制兴奋光源的初始功率；光敏二极管接收兴奋光源输出光并转换为光电流反馈给自动功率控制电路对出光功率进行反馈调节以实现稳定输出。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，适用于光感基因实验，填补了光基因领域内穿戴式光感基因刺激装置的空白，具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN103830847A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593718A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN101748367B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910200648.2
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法，所述的装置由三个以倾斜角固定在蒸镀平台上的承片台构成，使用时首先将解理出腔面的激光器置于承片台上，腔面贴近承片台边缘；然后利用弹簧片固定激光器，激光器的上表面被弹簧片保护；最后将承片台安装在蒸镀平台上，将安装好的蒸镀平台放入蒸镀腔体中进行蒸镀。在蒸镀过程中，由于激光器上表面被弹簧片覆盖，下表面紧贴承片台，并且激光器腔面与蒸发平面成一定倾斜角，激光器的上下表面都受到保护而不会被蒸镀薄膜，有效避免了蒸镀时引入金属短路或者金属电极被绝缘薄膜覆盖的可能性。本发明提供的夹具结构简单，易于加工，加工成本低，使用寿命长，而且该夹具操作简单，容易推广使用。
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公开(公告)号：CN101741011B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910200647.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊接。利用本发明所涉及的封装方法可以实现半导体激光器芯片的铟焊料封装，使得激光器可以稳定工作在宽温区环境下，有利于推动激光器在宽温区环境下的应用。本发明所涉及的封装方法实施过程简单，所设计的夹具结构简单，便于加工，因此本发明方法容易推广，利用激光器芯片封装的产业化。
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公开(公告)号：CN101748367A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910200648.2
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法，所述的装置由三个以倾斜角固定在蒸镀平台上的承片台构成，使用时首先将解理出腔面的激光器置于承片台上，腔面贴近承片台边缘；然后利用弹簧片固定激光器，激光器的上表面被弹簧片保护；最后将承片台安装在蒸镀平台上，将安装好的蒸镀平台放入蒸镀腔体中进行蒸镀。在蒸镀过程中，由于激光器上表面被弹簧片覆盖，下表面紧贴承片台，并且激光器腔面与蒸发平面成一定倾斜角，激光器的上下表面都受到保护而不会被蒸镀薄膜，有效避免了蒸镀时引入金属短路或者金属电极被绝缘薄膜覆盖的可能性。本发明提供的夹具结构简单，易于加工，加工成本低，使用寿命长，而且该夹具操作简单，容易推广使用。
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公开(公告)号：CN1945910A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610030991.3
申请日：2006-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体层构成波导中的限制结构。所述的光栅腐蚀技术是利用InGaAs/InP结构作为光栅的腐蚀牺牲层，选择不同的腐蚀液配比，获得深度大范围可调，精度可控的光栅结构。
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