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公开(公告)号：CN106165126B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201580015794.1
申请日：2015-02-23
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , G06F17/505 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/46
Abstract: 提供了包含缓冲结构和邻近该缓冲结构的第一面形成的一组半导体层的半导体结构。该缓冲结构能够具有有效的晶格常数以及厚度使得该组半导体层内的总体应力在室温下为压缩性的并且在大约0.1GPa和大约2.0GPa之间的范围内。能够使用一组生长参数来生长该缓冲结构，该组生长参数经选择以实现目标有效的晶格常数a，控制在该缓冲结构的生长过程中存在的应力，和/或控制在冷却该半导体结构后存在的应力。
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公开(公告)号：CN105765742B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480054847.6
申请日：2014-10-02
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/30
Abstract: 描述了一种包括阳极氧化铝层的半导体结构。所述阳极氧化铝层可位于半导体层和另一个材料层之间。所述阳极氧化铝层可包括延伸到所述半导体层的相邻表面的多个孔。所述材料层可渗入至少一些所述多个孔并与所述半导体层直接接触。在说明性的实施方案中，所述材料层为传导材料，并且所述阳极氧化铝位于p型接触部处。
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公开(公告)号：CN104854718B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380064482.0
申请日：2013-12-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L23/367 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/642 , H01L2224/16
Abstract: 提供了用于装置的热管理结构。该热管理结构包括电镀的金属，该电镀的金属连接用于位于装置第一侧上的第一类型的第一触点的多个接触区域。电镀的金属能够在用于第二类型的第二触点的接触区域之上形成桥结构，而无需接触第二触点。在该桥结构下面，热管理结构还能够包括位于第二类型的接触区域上的绝缘材料的层。
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公开(公告)号：CN107187700A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710351521.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司 , 首尔伟傲世有限公司
Abstract: 公开了一种食品储藏盒以及食品存藏装置。所述食品储藏盒包括：内部盒，用于容纳食物；至少一个紫外辐射源，被配置为生成指向容纳于内部盒中的食物的紫外辐射，其中，所述至少一个紫外辐射源布置在所述食品储藏盒的至少一个内侧上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025018A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610189330.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/32
Abstract: 本公开涉及超晶格结构。提供了包括多个周期的超晶格层，多个周期中的每一个由多个子层形成。每个子层包括与(一个或者多个)相邻子层不同的组成并且包括与(一个或者多个)相邻子层的极化相反的极化。以这种方式，分别相邻子层的极化彼此补偿。此外，超晶格层可以被配置为对诸如紫外辐射的辐射至少部分透明。
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公开(公告)号：CN103038900B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201180037699.3
申请日：2011-06-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/04
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405
Abstract: 提供发光二极管，该发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
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公开(公告)号：CN104979440A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510170384.6
申请日：2015-04-10
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L23/367 , H01L21/02428 , H01L21/0254 , H01L21/187 , H01L21/4871 , H01L21/76251 , H01L23/3732 , H01L23/3736 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L29/7786 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/641 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L33/02 , H01L33/0066
Abstract: 提供了配置用于其上的半导体层的外延生长的复合衬底。复合衬底包括由具有不同热膨胀系数的不同材料制成的多个衬底层。半导体层的材料的热膨胀系数可以在衬底层材料的热系数之间。复合衬底可以具有配置为减小在针对使用异质结构制造的器件的工作温度和/或室内温度下的半导体层内的拉伸应力量的复合热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN104854718A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380064482.0
申请日：2013-12-11
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L23/367 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/642 , H01L2224/16 , H01L33/64
Abstract: 提供了用于装置的热管理结构。该热管理结构包括电镀的金属，该电镀的金属连接用于位于装置第一侧上的第一类型的第一触点的多个接触区域。电镀的金属能够在用于第二类型的第二触点的接触区域之上形成桥结构，而无需接触第二触点。在该桥结构下面，热管理结构还能够包括位于第二类型的接触区域上的绝缘材料的层。
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公开(公告)号：CN111035859B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911314813.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种紫外处理装置，所述紫外处理装置包括：柔性基底，包括位于第一侧上的紫外吸收层和与第一侧相对定位的第二侧；以及紫外辐射系统，结合到柔性基底，其中，紫外辐射系统包括：被构造为穿过第二侧发射紫外辐射的至少一个紫外辐射源、被配置为控制所述至少一个紫外辐射源的操作的控制系统、以及被配置为检测与第二侧邻近定位的表面上的病原体活性的至少一个感测单元，其中，控制系统基于病原体活性控制所述至少一个紫外辐射源的操作。
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