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公开(公告)号：CN104853625A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201380053801.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: A61L2/10 , A61L2202/14
Abstract: 紫外辐射被指向区域中。紫外辐射源的目标波长范围和/或目标强度范围可以对应于包括病毒破坏操作配置和细菌消毒操作配置的多个可选择的操作配置当中至少一个。每个配置可以包括目标波长范围和目标强度范围的唯一组合。
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公开(公告)号：CN104160479A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380013532.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02587 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/0684 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 提供了一种用于制造半导体结构的解决方案。该半导体结构包括使用一组外延生长周期生长在基板上的多个半导体层。在每个外延生长周期期间，生长具有拉伸应力或压缩应力中的一个的第一半导体层，然后直接在第一半导体层上生长具有拉伸应力或压缩应力中的另一个的第二半导体层。一组生长条件中的一个或多个、一层或两层的厚度、和/或层之间的晶格失配，可以被配置成在层之间的界面的最小百分比内产生目标级别的压缩和/或拉伸应力。
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公开(公告)号：CN111035859B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911314813.7
申请日：2015-10-28
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种紫外处理装置，所述紫外处理装置包括：柔性基底，包括位于第一侧上的紫外吸收层和与第一侧相对定位的第二侧；以及紫外辐射系统，结合到柔性基底，其中，紫外辐射系统包括：被构造为穿过第二侧发射紫外辐射的至少一个紫外辐射源、被配置为控制所述至少一个紫外辐射源的操作的控制系统、以及被配置为检测与第二侧邻近定位的表面上的病原体活性的至少一个感测单元，其中，控制系统基于病原体活性控制所述至少一个紫外辐射源的操作。
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公开(公告)号：CN112316173A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011283256.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种漫射照明器。所述漫射照明器包括一组光源和包括多个层的导光结构。层中的至少一些层可由含氟聚合物形成，至少一个层可由透明流体形成。导光结构还包括漫射光通过其射出的发射表面。导光结构还可包括与所述多个层中的至少一层相关的漫射元件。每个漫射元件可使光漫射到朗伯分布的40％之内。漫射元件可基于在与待照射表面相对应的目标距离处的漫射光的期望的均匀性来布置。漫射照明器可发射紫外光，并且可实现为杀菌系统的一部分。
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公开(公告)号：CN111905123A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010843044.6
申请日：2015-10-15
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供了一种能够使用紫外辐射对物体的表面检测和/或灭菌的系统。所述系统可以包括包含用于诱导污染物中的荧光和/或对物体的表面进行灭菌的紫外源的杀菌室和/或手持式紫外单元。所述物体可以包括防护服，所述防护服由使用者穿戴并且还可以包括用于在空气进入防护服之前对空气杀菌的紫外源。所述系统可以实施为多层次系统，其用于保护使用者和其它物体免受暴露于污染物，并且在暴露到包括污染物的环境之后对防护服进行灭菌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025018B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201610189330.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开涉及超晶格结构。提供了包括多个周期的超晶格层，多个周期中的每一个由多个子层形成。每个子层包括与(一个或者多个)相邻子层不同的组成并且包括与(一个或者多个)相邻子层的极化相反的极化。以这种方式，分别相邻子层的极化彼此补偿。此外，超晶格层可以被配置为对诸如紫外辐射的辐射至少部分透明。
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公开(公告)号：CN105590999B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610127836.7
申请日：2011-06-17
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405
Abstract: 提供深紫外发光二极管，该深紫外发光二极管包含n型接触层和与n型接触层相邻的光产生结构。光产生结构包含量子阱组。接触层和光产生结构可被配置为使得n型接触层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。另外，光产生结构可被配置为使得其宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。二极管可包含阻挡层，该阻挡层被配置为使得阻挡层的能量与量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。二极管可包含复合接触，该复合接触包含至少部分地对于由光产生结构产生的光透明的粘接层和被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。
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公开(公告)号：CN107072261A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053031.6
申请日：2015-09-30
Applicant: 首尔伟傲世有限公司 , 传感器电子技术股份有限公司
Abstract: 提供一种用紫外辐射处理表面的方案。可移动紫外源用于发射具有比待处理的表面的区域小的特征剖面区域的紫外辐射光束。可移动紫外源可根据需要移动，以用紫外辐射光束的特征剖面区域内的辐射来直接照射所述表面的任意部分。运动可包括例如旋转运动和/或相对于表面重新定位可移动紫外源。
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公开(公告)号：CN103548156B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280010124.7
申请日：2012-02-25
Applicant: 传感器电子技术股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01S5/0224 , H01S5/0422 , H01S5/3201 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。
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