公开(公告)号：CN115087767B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202080096470.6

申请日：2020-09-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤一成 ,  中西文毅

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种具有主面的砷化镓单晶衬底，其中，在通过X射线光电子能谱法测定主面时，以三氧化二砷形式存在的As原子数相对于以五氧化二砷形式存在的As原子数之比为2以上，所述X射线光电子能谱法使用能量为150eV的X射线、并且将光电子的出射角度设定为5°。主面的算术平均粗糙度(Ra)为0.3nm以下。

公开(公告)号：CN101644871B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200910164134.6

申请日：2009-08-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/365

CPC classification number: G02F1/3558 ,  G02F1/353 ,  G02F2001/3548

Abstract: 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。

公开(公告)号：CN102099511B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980128007.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的支撑衬底。接着，在所述支撑衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述支撑衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

公开(公告)号：CN102105835B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200980128974.5

申请日：2009-07-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  山本喜之 ,  中幡英章

IPC: G02F1/355 ,  G02F1/377

CPC classification number: G02F1/3775 ,  G02F1/3558 ,  G02F2202/101 ,  Y10T156/1075

Abstract: 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。

公开(公告)号：CN101680109B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。

公开(公告)号：CN102099511A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980128007.9

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的底部衬底。接着，在所述底部衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述底部衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。

公开(公告)号：CN102046858A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119278.8

申请日：2009-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  水原奈保 ,  佐藤一成 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明公开了一种适合作为电磁波透过体的AlxGa1-xN单晶。本发明还公开了一种包含AlxGa1-xN单晶的电磁波透过体。当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。电磁波透过体(4)包括具有一个主面(2m)的AlxGa1-xN单晶(2)，其中当在25℃的气氛温度下，施加1MHz和1GHz中的至少任何一种高频信号时，所述AlxGa1-xN单晶(2)具有不大于5×10-3的介电损耗角正切。

公开(公告)号：CN102017079A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114047.8

申请日：2009-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  宫永伦正 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B29/36 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C4/185 ,  C23C16/34 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开了Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底、外延晶片及它们的制造方法，所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底实现了高结晶度和低成本。本发明的制造Si(1-v-w-x)CwAlxNv衬底的方法包括准备异质衬底(11)和在所述异质衬底(11)上生长具有主面的Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的步骤。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处组成比x+v为0＜x+v＜1。组成比x+v沿着自所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面至所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面的方向单调增大或减小。在所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层与所述异质衬底(11)之间的界面处的组成比x+v比所述Si(1-v-w-x)CwAlxNv层的所述主面处的组成比x+v更接近所述异质衬底(11)的材料的组成比x+v。

公开(公告)号：CN101802274A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880003999.8

申请日：2008-11-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法能够稳定地生长具有大孔径和厚度的AlN晶体。本发明具体公开一种生长AlN晶体的方法，所述方法包括准备具有主面(4m)的SiC衬底(4)的步骤，在所述主面(4m)中，管径为1000μm以上的微型管(4mp)的密度为0cm-2，且管径为100μm以上且小于1000μm的微型管(4mp)的密度为0.1cm-2以下；和通过气相淀积在所述主面(4m)上生长AlN晶体(5)的步骤。

公开(公告)号：CN101680109A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。