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公开(公告)号：CN101375363B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN101410549A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011115.9
申请日：2007-01-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/511 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/511 , C30B29/04 , H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 一种微波等离子体CVD系统，其在可沉积大面积高品质金刚石薄膜的条件下可以令人满意地进行等离子体的位置控制。该微波等离子体CVD系统包括：真空腔(1)，其上部中心具有导入微波(20)的开口部(2)；基材支持台(11)，用于支持真空腔内基材；波导，用于将微波导入至开口部；介电窗(22)，用于将微波导入至真空腔；以及天线部(25)，用于将微波导入至真空腔，该天线部由圆棒部(23)和电极部(24)构成，该圆棒部(23)位于波导、开口部和介电窗的中心，该电极部(24)与该真空腔的上部结合以夹持介电窗从而保持真空。该电极部(24)的端面形成为宽于介电窗以遮蔽该介电窗，并且在真空腔中心侧的电极部(24)的表面上形成预定尺寸的凹部(26)。
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公开(公告)号：CN101400833A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008725.3
申请日：2007-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 本发明提供一种在磷原子/碳原子比为3％以上的条件下，在{111}单晶衬底的主表面上生长在300K下具有300Ωcm以下的电阻率的低电阻掺磷外延薄膜的方法，其特征在于主表面具有0.50°以上的倾斜角。根据本发明的具有低电阻掺磷金刚石外延薄膜的金刚石单晶的特征在于，薄膜表面相对于{111}面具有0.50°以上的倾斜角，以及在300K下低电阻掺磷金刚石外延薄膜的电阻率是300Ωcm以下。
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公开(公告)号：CN116472132A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202080106117.1
申请日：2020-10-22
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: B23B27/20
Abstract: 一种金刚石烧结体，其包含金刚石颗粒，其中，上述金刚石颗粒的含有率相对于上述金刚石烧结体为80体积％以上且99体积％以下，上述金刚石颗粒的平均粒径为0.1μm以上且50μm以下，上述金刚石颗粒的位错密度为1.2×1016m‑2以上且5.4×1019m‑2以下。
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公开(公告)号：CN116348624A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202180071522.9
申请日：2021-10-05
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: C22C26/00
Abstract: 一种金刚石烧结体，其包含金刚石颗粒，其中，上述金刚石颗粒的含有率相对于上述金刚石烧结体为80体积％以上且99体积％以下，上述金刚石颗粒的平均粒径为0.1μm以上且50μm以下，上述金刚石颗粒的位错密度为8.1×1013m‑2以上且小于1.0×1016m‑2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116056822A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180058436.4
申请日：2021-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 立方晶氮化硼烧结体具备70体积％以上且小于100体积％的立方晶氮化硼颗粒和结合材料，其中，所述结合材料作为构成元素而包含选自由钛、锆、钒、铌、铪、钽、铬、铼、钼以及钨组成的群组中的至少一种第一金属元素、钴、以及铝，所述立方晶氮化硼烧结体具有第一界面区域，所述第一界面区域由被所述立方晶氮化硼颗粒与所述结合材料的界面和通过从所述界面向所述结合材料侧离开10nm的地点的第一假想线夹着的区域构成，在将所述第一界面区域中所述第一金属元素中以最高浓度存在的元素作为第一元素的情况下，所述第一界面区域中的所述第一元素的原子浓度高于所述第一界面区域以外的所述结合材料中的所述第一元素的原子浓度。
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公开(公告)号：CN111133134B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201880060767.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石，所述单晶金刚石包含：在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域，所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra，所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的，其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。
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公开(公告)号：CN107109691B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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公开(公告)号：CN106884202A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201610991581.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及金刚石单晶和单晶金刚石工具。根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的单晶金刚石工具包含由金刚石单晶制成的刀尖，其中所述金刚石单晶是利用化学气相合成法合成的，且对波长为350nm的光具有25cm‑1以上且80cm‑1以下的吸收系数。根据本发明的金刚石单晶和单晶金刚石工具具有高硬度和高韧性、在工具的制造中易于加工、具有与包含天然金刚石或高温高压合成Ib型金刚石的工具的耐破裂或耐碎裂性相等或更高的耐破裂或耐碎裂性、且在切削时具有长寿命和高抗断裂性。
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公开(公告)号：CN104395508B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201380034864.9
申请日：2013-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/186 , B23B27/148 , B23B2226/31 , C30B25/20 , C30B29/04 , C30B30/00 , C30B31/22 , Y10T407/24 , Y10T428/30
Abstract: 根据本发明的金刚石单晶是利用化学气相合成法合成且对波长为350nm的光具有25cm-1以上且80cm-1以下的吸收系数的金刚石单晶。根据本发明的制造金刚石单晶的方法包括：将碳以外的离子注入至金刚石单晶籽晶基板的主面中，从而降低波长为800nm的光的透射率，所述主面相对于{100}面具有7°以下的偏角，并在气相中含碳分子的数目NC对氢分子的数目NH的比NC/NH为10％以上且40％以下，气相中氮分子的数目NN对含碳分子的数目NC的比NN/NC为0.1％以上且10％以下，且籽晶基板温度T为850℃以上且小于1000℃的合成条件下，利用化学气相合成法在所述籽晶基板的离子注入后的主面上均相外延生长金刚石单晶。
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