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公开(公告)号：CN115485814A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031672.7
申请日：2021-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/30 , C09J5/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/06
Abstract: 本发明提供包含含有无官能性有机聚硅氧烷的光固化性有机硅树脂组合物的、用于将晶片临时粘接于支撑体的晶片加工用临时粘接剂、晶片加工体和使用晶片加工用临时粘接剂的薄型晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN114521211A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202080067798.5
申请日：2020-09-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J153/02 , C09J183/07 , C09J11/08 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的至少2层结构的复合临时粘合材料层，第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。由此提供一种改善加热接合时的晶圆翘曲，具有良好的剥离性与清洗除去性，能够在段差大的基板上以均匀的膜厚形成，对TSV形成工序等的工序适应性高，并且对热工艺的耐受性优异，能够提高薄型晶圆的生产率的晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及使用其的薄型晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN107039239B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201611069822.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。
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公开(公告)号：CN107556480B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201710209017.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/388 , G03F7/038 , G03F7/004 , H01L21/02
Abstract: 本发明所要解决的问题在于，提供一种含硅酮骨架高分子化合物、包含该高分子化合物的光固化性树脂组合物、其光固化性干膜、使用它们的积层体、及图案形成方法，所述硅酮骨架高分子化合物能够以厚膜容易地实行微细图案的形成，并且，能够形成一种作为电性/电子零件保护用皮膜、或基板接合用皮膜等的可靠性优良的固化物层(固化皮膜)，其耐开裂性、及对于基板、电子零件或半导体元件等、尤其是对在电路基板中使用的基材的密接性等各种膜特性优良。本发明的解决问题的技术方案是一种含硅酮骨架高分子化合物，其由下述式(1)表示，包含硅酮骨架且重均分子量为3000～500000。
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公开(公告)号：CN106318291B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201610505786.1
申请日：2016-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J153/02 , C09J183/04 , C09J183/07 , C09J183/05 , C09J7/30
Abstract: 本发明提供晶片加工用临时粘合构件、晶片加工用层叠体以及薄晶片的制造方法。本发明的晶片加工用临时粘合构件为用于晶片加工的临时粘合构件，其包括热塑性树脂的第一临时粘合层(A)、热固性硅氧烷聚合物的第二临时粘合层(B)以及热固性聚合物的第三临时粘合层(C)。使用与层(B)邻接设置的层(A)中所含有的固化催化剂使层(B)固化。在不发生台阶覆盖不充分和其他缺陷的情况下，形成厚度均匀的粘接层。
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公开(公告)号：CN110875235A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910826854.8
申请日：2019-09-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 用于生产薄晶片的方法包括：通过用光从晶片层合体的支持体侧照射晶片层合体而将支持体从晶片层合体分离，所述晶片层合体包括支持体、在支持体上形成的粘合剂层和以其表面层合的包括朝向粘合剂层的电路平面的晶片；和在分离之后通过剥离将晶片上残留的树脂层从晶片去除；其中粘合剂层从支持体侧依序仅包括具有遮光性的树脂层A和包括热固性有机硅树脂或非有机硅热塑性树脂的树脂层B。
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公开(公告)号：CN109599371A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811153534.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明公开半导体器件、其生产方法和层叠体。本文公开了半导体器件，其包括：支持体；在支持体上形成的双层粘合剂树脂层；在粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层；芯片层和成型树脂层，其中粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B，从支持体侧依次提供树脂层A和树脂层B，能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。
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公开(公告)号：CN107919315A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710941396.3
申请日：2017-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , B32B7/12 , B32B37/12
CPC classification number: H01L24/04 , H01L21/6835 , H01L24/03 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/1284
Abstract: 提供了允许载体与晶片之间容易结合、允许晶片容易从载体脱层、能够提高薄晶片的生产率并且适合于生产薄晶片的晶片层合体以及制备所述晶片层合体的方法。所述晶片层合体包括载体、在所述载体上形成的粘合剂层和以使其具有电路表面的正面朝向所述粘合剂层的方式层合的晶片。所述粘合剂层从载体侧依序包括遮光性树脂层A和包含非有机硅热塑性树脂涂料的树脂层B。所述树脂层A由包含具有稠合环的重复单元的树脂组成，和树脂层B具有1至500MPa的在25℃的储能弹性模量E’和5至50MPa的拉伸断裂强度。
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公开(公告)号：CN107556480A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710209017.1
申请日：2017-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G77/388 , G03F7/038 , G03F7/004 , H01L21/02
CPC classification number: G03F7/0757 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B27/28 , B32B2457/14 , C08G59/22 , C08G77/14 , C08G77/455 , C08G77/52 , C08G77/54 , C08G77/80 , C08J5/18 , C08J2383/14 , C08K3/36 , C08L83/10 , C08L83/14 , C09D183/10 , C09D183/14 , C09J183/14 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/0384 , G03F7/161 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L23/296 , H01L23/49894 , H01L24/83 , H01L2224/83855 , H01L2924/0715 , C08L63/00
Abstract: 本发明所要解决的问题在于，提供一种含硅酮骨架高分子化合物、包含该高分子化合物的光固化性树脂组合物、其光固化性干膜、使用它们的积层体、及图案形成方法，所述硅酮骨架高分子化合物能够以厚膜容易地实行微细图案的形成，并且，能够形成一种作为电性/电子零件保护用皮膜、或基板接合用皮膜等的可靠性优良的固化物层(固化皮膜)，其耐开裂性、及对于基板、电子零件或半导体元件等、尤其是对在电路基板中使用的基材的密接性等各种膜特性优良。本发明的解决问题的技术方案是一种含硅酮骨架高分子化合物，其由下述式(1)表示，包含硅酮骨架且重均分子量为3000～500000。
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公开(公告)号：CN107403720A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710334028.2
申请日：2017-05-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/26
CPC classification number: H01L22/12 , C09D183/04 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/4846 , H01L21/6835 , H01L21/7684 , H01L21/7688 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L21/26
Abstract: 本发明所要解决的问题在于，提供一种晶片加工体，其即使在形成有电路的晶片上形成小于100nm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。本发明的技术方案是一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和/或保护有机膜层(A)的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层(B)，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层(B)含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。
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