-
公开(公告)号：CN117715417A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311733913.X
申请日：2023-05-10
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种半导体元件制备方法，包括：提供第一基底；形成第一介电层在第一基底上；提供第二基底，其包括在第二基底上方的金属化层；形成第二介电层在金属化层的上方；键结第一介电层与第二介电层，以形成第一基底与第二基底之间的键结结构；图案化第二基底以在键结结构上形成堆叠结构；图案化金属化层以在键结结构上形成位元线；及形成字元线在堆叠结构的侧面。导电特征形成于第一基底上，以及第一介电层形成于导电特征上。导电特征与位元线借由键结结构而分开。
-
公开(公告)号：CN117641887A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310522313.2
申请日：2023-05-10
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一键结结构、一位元线和一字元线。该键结结构设置于该基底上。该位元线设置于该键结结构上。该通道层设置于该位元线上。该字元围绕该通道层。该键结结构包括一介电材料。
-
公开(公告)号：CN116705092A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310085262.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本公开提供一种半导体存储器。该半导体存储器包括一数据存储元件、一数据处理元件以及一接触元件。该数据处理元件设置在该数据存储元件上。该接触元件设置在该数据存储元件与该数据处理元件之间。该接触元件将该数据存储元件与该数据处理元件电性连接。
-
公开(公告)号：CN114464620A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111218729.2
申请日：2021-10-20
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体结构包括基板与第一位线。基板具有多个主动区位线隔离区。每个隔离区位于紧邻的两个主动区之间以将主动区彼此隔离。第一位线形成在主动区中的第一主动区上。第一位线的底部延伸至在第一主动区内。第一位线延伸的底部被第一主动区围绕。如此，能够减少非预期的电性连接。
-
公开(公告)号：CN114373733A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110935615.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容接触点结构以及一着陆垫层。该电容接触点结构从该基底突伸。该着陆垫层覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111916392A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201911016679.2
申请日：2019-10-24
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/98 , H01L25/18
Abstract: 本公开提供一种半导体装置的制备方法。该制备方法包括提供一第一晶圆，该第一晶圆具有一第一基底以及多个第一导体，所述多个导体配置在该第一基底上方；形成一第一互连结构，以穿经该第一基底并接触所述多个导体其中之一；在该第一基底与该第一互连结构上形成一接合介电质；将一第二晶圆接合在该第一晶圆上，其中该第二晶圆具有一第二基底、一第二层间介电层以及多个第二导体，该第二层间介电层配置在该第二基底的一第二前表面上，所述多个第二导体配置在该第二层间介电层内，其中该第二层间介电层接触该接合介电质；以及形成一第二互连结构，以穿经该第二基底，并穿入该第二层间介电层，且接触该第二导体与该第一互连结构。
-
公开(公告)号：CN109285834B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710994380.9
申请日：2017-10-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板具有一存储器阵列区与一周边电路区；多个第一线图案位于该存储器阵列区中且沿着一第一方向延伸；多个第二线图案位于该存储器阵列区中的所述第一线图案上方；以及多个线性元件位于该周边电路区中。该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向。该多个线图案与该多个线性元件实质位于该基板中的相同阶层。
-
公开(公告)号：CN111223840A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201910262604.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开关于一种多环接合垫、具有多环接合垫的半导体结构及其制造方法。该接合垫包括一内环构件、一外环构件以及多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及连接该第一内边缘到该第二内边缘的多个第三内边缘。该外环构件环绕该内环构件并且具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及连接该第一外边缘到该第二外边缘的多个第三外边缘。该多个桥接构件设置在该内环构件和该外环构件之间以将该内环构件连接到该外环构件。
-
公开(公告)号：CN110718531A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201811296137.0
申请日：2018-11-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/525
Abstract: 一种反熔丝结构，包括一主动区及该主动区上的一栅极电极。该主动区包括一第一本体部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。该栅极电极包括一第二本体部分及在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面。该第一延伸部分及该第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。
-
公开(公告)号：CN109285834A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710994380.9
申请日：2017-10-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板具有一存储器阵列区与一周边电路区；多个第一线图案位于该存储器阵列区中且沿着一第一方向延伸；多个第二线图案位于该存储器阵列区中的所述第一线图案上方；以及多个线性元件位于该周边电路区中。该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向。该多个线图案与该多个线性元件实质位于该基板中的相同阶层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.041 seconds)
