-
公开(公告)号：CN102042540B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010511004.8
申请日：2010-10-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21S8/00 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B33/0806 , H05B33/0803 , H05B33/0821
Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。
-
公开(公告)号：CN103326621A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310087700.4
申请日：2013-03-19
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/02008 , G05F1/67 , Y02E10/58
Abstract: 本发明涉及光发电装置、该光发电装置中的最大输出点跟踪控制方法、以及具备该光发电装置的移动体。光发电装置，具备：光发电模块，串联连接有多个光发电元件的串联部被并联连接多个，多个所述串联部中的连接于同一串联行的所述光发电元件相互并联连接；以及跟踪控制装置，对所述光发电模块的输出进行最大输出点跟踪控制。所述光发电模块具备：温度传感器，对作为所述光发电模块工作时的面板温度的实际面板温度进行检测。
-
公开(公告)号：CN103311333A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310082847.4
申请日：2013-03-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/05
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L31/042 , H02S10/40 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光发电模块、光发电模块阵列以及移动体。所述光发电模块具备：多个光发电元件，呈长方形的元件外周的长边被平行地配置；以及延长布线，在与所述长边交叉的短边方向上延长且将所述光发电元件相互连接，所述延长布线按每个指定的个数并联连接所述光发电元件。
-
公开(公告)号：CN103095142A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210428192.7
申请日：2012-10-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M3/3353 , B60L8/003 , B60L58/20 , B60L2210/12 , B60L2210/14 , B60L2240/526 , B60L2240/527 , H02J7/0054 , H02J7/022 , H02J2007/0059 , H02M7/30 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7083 , Y02T10/7225 , Y02T10/7233
Abstract: 本发明涉及DC-DC转换器、太阳能充电系统及可移动体。该DC/DC转换器包括第一DC/DC转换器以及用于实施从第一DC/DC转换器提供的电压的DC/DC转换的第二DC/DC转换器。第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器之一是固定因数DC/DC转换器，以及第一DC/DC转换器或第二DC/DC转换器中的另一个是可变因数DC/DC转换器。
-
公开(公告)号：CN103036466A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210368233.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M7/5387 , H02M1/44 , B60L11/18
CPC classification number: H02M1/088 , H02M3/1582 , H02M3/1588 , H02M7/5387 , H02M2001/0051 , Y02B70/1466 , Y02T10/7258
Abstract: 本发明提供一种切换式电源装置，该切换式电源装置配备有：高耐受电压第一晶体管，其第一电极连接到第一节点；低耐受电压第二晶体管，其第一电极连接到所述第一晶体管的第二电极，以及其第二电极连接到第二节点；以及驱动电路。所述第一和第二晶体管中的每一个具有在正向方向上连接在所述第二和第一电极之间的寄生二极管。在电流要从所述第一节点流动到所述第二节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一和第二晶体管，并且在电流要从所述第二节点流动到所述第一节点的情况中，所述驱动电路接通所述第一晶体管而关断所述第二晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102831870A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210311483.8
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及显示装置和显示装置的亮度不均校正方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值（或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值）。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
-
公开(公告)号：CN101996597A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010247405.7
申请日：2010-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明涉及显示装置、校正系统、作成装置、决定装置及其方法。将包括亮度不均区域的、或者将包括亮度不均区域及其周边区域的校正区域所含有的像素中的一部分像素选择作为调整校正像素，并使得对调整校正像素的灰阶值校正量与对该校正区域所含有的除调整校正像素以外的像素的灰阶值校正量不同，从而实现了类似于对校正区域内的所有像素的亮度值相同地仅校正了小于与显示用图像数据的1灰阶相当的亮度值(或，与显示用图像数据的小数部分不为0的灰阶值相当的亮度值)。由此能够确切地校正显示装置的亮度不均。
-
公开(公告)号：CN100483743C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN02823154.6
申请日：2002-11-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/66833 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , H01L21/84 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11568 , H01L27/118 , H01L27/1203 , H01L29/792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体存储器件，它具有形成在半导体层中的第一导电类型区、形成在半导体层中且与第一导电类型区相接触的第二导电类型区、排列在半导体层上横跨第一和第二导电类型区的边界的存储功能元件、以及提供在第一导电类型区上且经由绝缘膜而与存储功能元件相接触的电极，以及一种包含此半导体存储器件的电子装置。借助于构成基本上一种器件的可选择的存储单元，本发明完全适应按比例缩小和高密度集成。
-
公开(公告)号：CN1303691C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410043186.5
申请日：2004-05-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/28291 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L27/11521 , H01L27/11534 , H01L27/1159 , H01L27/1463 , H01L29/7923
Abstract: 半导体开关元件(31)和半导体存储元件(32)分别具有栅电极(3)、一对源区/漏区(13)和沟道形成区(19)。在半导体存储元件(32)的栅电极(3)的相对侧上提供具有电荷存储功能的存储功能体(25)。在半导体存储元件(32)中，当施加电压到栅电极(3)时，从源区/漏区(13)之一流到源区/漏区(13)中另一个的电流量随着保持在存储功能体(25)中的电荷量变化。
-
公开(公告)号：CN1639874A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03805147.8
申请日：2003-03-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7923
Abstract: 本发明的课题在于：提供能够用一个晶体管实现2位的存储保持，并能实现微细化的半导体存储器件。在栅电极13的侧壁的两侧形成与栅绝缘膜12独立的2个电荷保持部61、62。据此，使电荷保持部61、62担当的存储器功能和栅绝缘膜12担当的晶体管工作功能分离。由于在栅电极13的两侧形成的2个电荷保持部61、62通过栅电极13分离，能有效地抑制改写时的干扰。因此，能够提供用一个晶体管实现2位的存储保持，并能实现微细化的半导体存储器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
83
records
(took 0.044 seconds)
